公开(公告)号：CN108699629A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780008849.5

申请日：2017-01-27

Applicant: 德林爵-内股份有限公司

Inventor： A.S.克莱因 ,  E.F.史密斯三世 ,  S.维斯瓦纳桑

IPC: C22C5/04 ,  C22C30/02 ,  C22F1/14

CPC classification number: C22C5/04 ,  G01R1/06755

Abstract: 钯基三元或更多元合金包括大约45‑55wt%的钯、大约32‑42wt%的铜、大约8‑15wt%的银、大约0‑5wt%的铼，以及任选地至多1.0wt%的一种或更多种改性元素。该合金是可时效硬化的，提供超过350 HK(Knoop，100克负荷)的硬度，具有19.5%IACS(International Annealed Copper Standard，国际退火铜标准)以上的电导率，在高达480℉(250℃)的温度下具有100 ksi以上的高温强度，并在其完全时效硬化的条件下保持延展性(拉伸伸长率>2%)。该合金可用于静态和可移动的电触点和探针应用。

公开(公告)号：CN107037346A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610848255.2

申请日：2016-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈田章 ,  竹迫宪浩 ,  秋山肇

IPC: G01R31/26 ,  G01R31/265 ,  G01R1/067 ,  H01L21/326 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/32 ,  G01R1/06755 ,  G01R31/2601 ,  G01R31/2874 ,  G01R31/2891 ,  H01L21/326 ,  H01L22/14 ,  G01R31/265

Abstract: 本发明得到能够容易且高精度地对多个探针的前端部的面内位置及温度进行检查的半导体装置的评价装置及评价方法。卡盘台(1)将半导体装置(2)固定。多个探针(3)固定于绝缘基板(5)。温度调整部(4)对多个探针(3)的温度进行调整。评价及控制部(10)经由多个探针(3)而使电流流过半导体装置(2)，对半导体装置(2)的电气特性进行评价。热图像测量部(15)取得被多个探针(3)的前端部按压于表面后的检查板(14)的热图像。热图像处理部(19)对热图像进行图像处理，求出多个探针(3)的前端部的面内位置及温度。

公开(公告)号：CN103348254B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201280007385.3

申请日：2012-02-03

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 小幡智和

IPC: G01R1/067

CPC classification number: G01R1/06755 ,  C22C1/02 ,  C22C5/00 ,  C22C5/04 ,  C22F1/14

Abstract: 本发明是一种由铑合金构成的探针，所述铑合金包含Fe:30～150ppm、Ir:80～350ppm、Pt:100～300ppm作为添加元素，余分由Rh构成。各添加元素的更优选的浓度为Fe:50～100ppm、Ir:150～350ppm、Pt:150～300ppm。本发明的由铑合金构成的探针在维持铑所具有的加工性的同时，即使在低接触压力下接触电阻也稳定，强度方面、防污特性也优异，是能长期稳定地使用的探针。

公开(公告)号：CN103249852A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201180059171.6

申请日：2011-07-28

Applicant: 株式会社德力本店

Inventor： 宍野龙 ,  宫本健一朗

IPC: C22C30/02 ,  C22C30/06 ,  G01R1/067 ,  H01B1/02 ,  C22F1/00 ,  C22F1/02 ,  C22F1/16

CPC classification number: C22C5/08 ,  C22C5/04 ,  C22C5/06 ,  C22C30/02 ,  C22F1/14 ,  G01R1/06755 ,  H01B1/02

Abstract: 本发明提供一种接触电阻低、耐腐蚀性好、硬度高，弯折强度大且加工性好的电气/电子材料，该电气/电子材料的特征在于，含有20～40质量%的Ag、20～40质量%的Pd、10～30质量%的Cu和1.0～20质量%的Pt，塑性加工后的沉淀硬化时的硬度为340～420HV，且具有弯折强度。

公开(公告)号：CN101817496B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010120962.2

申请日：2010-01-27

Applicant: 稳银科技股份有限公司

Inventor： 徐曾洋

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01R1/067

CPC classification number: G01R3/00 ,  G01R1/06716 ,  G01R1/06744 ,  G01R1/06755 ,  Y10T29/49105

Abstract: 本发明是一种微机电系统(Micro-Electro-Mechanical-System；MEMS)互连引脚及其形成方法，该微机电系统互连引脚形成于牺牲层上，所述牺牲层形成于导电层和基板上。所述MEMS互连引脚具有附连到框架上的引脚基座，所述框架直接接触导电层。然后至少部分地移除牺牲层，以使所述MEMS互连引脚与基板分离。在一实施例中，所述MEMS互连引脚具有引脚基座、自引脚基座的两个不同的表面延伸出的两个弹簧、以及附连到各弹簧的尖端部。所述尖端部包括一个或多个接触尖端以接触导电物体。

公开(公告)号：CN102099692A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200980127951.2

申请日：2009-04-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小松茂和

IPC: G01R1/067 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R31/20 ,  G01R1/067 ,  G01R1/06755 ,  G01R1/07314 ,  G01R3/00 ,  H01L21/00

Abstract: 探针具有与被检查体接触的接触部。具有导电性的接触颗粒均匀地布置在接触部的内部。一部分的接触颗粒在接触部的被检查体侧的表面上突出。在接触部的与被检查体侧相反的面上布置有具有弹性的导电性部件。探针还具有形成有通孔的绝缘片，接触部贯穿通孔而布置。接触部的上部由不包含接触颗粒的导体构成。在导体的与被检查体侧相反的面上还布置有其它导体。

公开(公告)号：CN101809176A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200880110491.8

申请日：2008-11-17

Applicant: 田中贵金属工业株式会社

Inventor： 小幡智和

IPC: C22C5/04 ,  B21C1/00 ,  G01R1/067 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R1/06755 ,  B21C1/003 ,  C22C5/04 ,  C22F1/14 ,  G01R3/00

Abstract: 本发明是一种铱合金，该铱合金以作为添加元素的锆为必要元素，而且还添加有铝和/或铜，适合作为探针用的线材，其特征在于，锆的添加浓度为100～500ppm，铝和铜的总添加浓度为10～500ppm。根据本发明，对于将来要求进一步的微细化且使用环境严酷的探针用材料，能应对上述要求。

公开(公告)号：CN1639918A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03805218.0

申请日：2003-03-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 柏原秀树 ,  山本正道 ,  依田润 ,  年冈英昭 ,  小副川见佐子 ,  小山惠司 ,  真嵨正利 ,  谷佳枝

IPC: H01R11/01 ,  H01R43/00 ,  H01B5/16 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01R4/04 ,  G01R1/06755 ,  G01R1/073 ,  G01R3/00 ,  H01R43/007 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/258 ,  Y10T428/31678

Abstract: 一种各向异性导电膜及其制造方法。该导电膜因为即使在邻接电极间的缝隙小时也不发生膜的面方向的短路，因此特别是用于半导体封装件的安装时，可充分满足更加高密度化安装的要求；因为以比其更低的低压的连接能够更可靠地电连接，并且因流过大电流也不熔断还能够适用于高频信号，因此特别适用于接触探针等的安装。各向异性导电膜作为导电成分含有具有多个微细金属粒连成链状的形状的金属粉末，特别是用于半导体封装件安装时金属粉末的链长短于导电接合的相邻电极间的距离，另外用于接触探针安装时的链的直径大于1μm并且小于20μm；另外制造方法至少使一部分，由具有顺磁性的金属形成的链通过磁场取向同时形成膜。

公开(公告)号：CN1527945A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN02804024.4

申请日：2002-01-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 平田嘉裕 ,  羽贺刚 ,  沼泽稔之 ,  仲前一男 ,  冈田一范 ,  依田润

IPC: G01R1/067 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R1/06733 ,  G01R1/06738 ,  G01R1/06755 ,  G01R3/00 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49204

Abstract: 一种接触探针的制造方法。其包括：电铸工序，其使用在衬底(521)上配置的、具有和接触探针对应形状的图形框的抗蚀层(522)，进行电铸而填平抗蚀层(522)的间隙而形成金属层(526)；尖端加工工序，其将上述金属层(526)中成为接触探针尖端部的部分斜着削成尖；取出工序，其从图形框中只取出金属层(526)。

公开(公告)号：CN1213083A

公开(公告)日：1999-04-07

申请号：CN98116602.4

申请日：1998-07-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 前川滋树 ,  竹本惠 ,  三木一伸 ,  加纳睦 ,  长田隆弘 ,  加柴良裕

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G01R1/06738 ,  G01R1/06755 ,  G01R3/00

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件测试用探针及其制造方法和使用它的探针装置,探针前端形状为,按压时在测试点表面上探针前端面的切线与测试点表面形成的角度在15度以上,而且探针前端形成为球状曲面,设其曲率半径为R、测试点厚度为t,当设按压时在测试点表面上探针前端面切线与测试点表面形成的角度为θ时,上述球状曲面为满足θ=cos－1(1－t/R)≥15°关系的曲率半径R的球状曲面,而且在探针前端设有平坦部分。