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公开(公告)号：CN102439697A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080022533.X
申请日：2010-04-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·米勒·艾伦 , 拉拉·哈夫雷查克 , 谢志刚 , 穆罕默德·M·拉希德 , 汪荣军 , 唐先民 , 刘振东 , 龚则敬 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 张梅 , 迈克尔·S·考克斯 , 唐尼·扬 , 基兰库马·文德亚 , 葛振宾
IPC: H01L21/203 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/564 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/35 , C23C14/548 , H01J37/32642 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的实施例大体上提出用来进行物理气相沉积(PVD)工艺的处理腔室和沉积多组分薄膜的方法。处理腔室可包括：改良式RF进料构造，以减少任何驻波效应；改良式磁控管设计，用以加强RF等离子体均匀性、沉积膜组分和厚度均匀性；改良式基板偏压构造，用以改善工艺控制；以及改良式工艺套件设计，以改善基板临界表面附近的RF场均匀性。所述方法包括利用耦接多组分靶材的RF供应器，在腔室的处理区中形成等离子体、相对多组分靶材平移电磁管磁控管，其中当磁控管平移且形成等离子体时，磁控管相对多组分靶材的中心点位于第一位置，以及在腔室中的基板上沉积多组分薄膜。
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公开(公告)号：CN102439697B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201080022533.X
申请日：2010-04-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 阿道夫·米勒·艾伦 , 拉拉·哈夫雷查克 , 谢志刚 , 穆罕默德·M·拉希德 , 汪荣军 , 唐先民 , 刘振东 , 龚则敬 , 斯里尼瓦斯·甘迪科塔 , 张梅 , 迈克尔·S·考克斯 , 唐尼·扬 , 基兰库马·文德亚 , 葛振宾
IPC: H01L21/203 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/564 , C23C14/345 , C23C14/3492 , C23C14/35 , C23C14/548 , H01J37/32642 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/3455
Abstract: 本发明的实施例大体上提出用来进行物理气相沉积(PVD)工艺的处理腔室和沉积多组分薄膜的方法。处理腔室可包括：改良式RF进料构造，以减少任何驻波效应；改良式磁控管设计，用以加强RF等离子体均匀性、沉积膜组分和厚度均匀性；改良式基板偏压构造，用以改善工艺控制；以及改良式工艺套件设计，以改善基板临界表面附近的RF场均匀性。所述方法包括利用耦接多组分靶材的RF供应器，在腔室的处理区中形成等离子体、相对多组分靶材平移电磁管磁控管，其中当磁控管平移且形成等离子体时，磁控管相对多组分靶材的中心点位于第一位置，以及在腔室中的基板上沉积多组分薄膜。
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公开(公告)号：CN102224573B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN200980147109.5
申请日：2009-11-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01J37/3244 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/76843 , H01L21/76865 , H01L21/76877 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683 , H01L2221/1063
Abstract: 本发明的实施例大致关于处理半导体基板的设备与方法。明确地说，本发明的实施例关于在填充沟槽与介层洞之前用于沟槽与介层洞轮廓的修饰的方法与设备。本发明的一实施例包括通过让沟槽结构接触蚀刻剂以形成牺牲层来夹封沟槽结构的顶部开口。一实施例中，蚀刻剂设以与第一材料反应并产生形成牺牲层的副产物而移除第一材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105009252B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201480010134.X
申请日：2014-03-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/68735 , C23C16/045 , C23C16/4585 , H01J37/32642
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与装置的实施方式。在一些实施方式中，一种用于基板处理腔室的处理配件可包括：环，所述环具有主体及从主体径向向内延伸的唇部，其中所述主体具有形成在主体的底部内的第一环形通道；环形导电屏蔽件，所述环形导电屏蔽件具有下方向内延伸突出部分，所述下方向内延伸突出部分终止于向上延伸部分，所述向上延伸部分被配置以与环的第一环形通道接合；及导电构件，当环设置在导电屏蔽件上时，所述导电构件将环电气耦接至导电屏蔽件。
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公开(公告)号：CN103824746B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410050265.2
申请日：2009-11-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3244 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/76843 , H01L21/76865 , H01L21/76877 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683 , H01L2221/1063
Abstract: 本发明的实施例大致关于处理半导体基板的设备与方法。明确地说，本发明的实施例关于在填充沟槽与介层洞之前用于沟槽与介层洞轮廓的修饰的方法与设备。本发明的一实施例包括通过让沟槽结构接触蚀刻剂以形成牺牲层来夹封沟槽结构的顶部开口。一实施例中，蚀刻剂设以与第一材料反应并产生形成牺牲层的副产物而移除第一材料。
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公开(公告)号：CN102224585B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN200980147107.6
申请日：2009-11-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/76 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L21/67219 , H01L27/11521
Abstract: 本发明的实施例一般关于用于处理半导体基板的设备及方法。特别而言，本发明的实施例关于用于形成浅沟槽隔离的设备及方法，所述浅沟槽隔离具有含磨圆底部的凹部。本发明的一个实施例包含：通过从填充的沟槽结构移除一部分材料以及通过磨圆凹部的底部转角而形成填充的沟槽结构中的凹部。磨圆底部转角是通过在基板上沉积与填充于沟槽结构内相同的材料的共形层以及通过从凹部侧壁移除所述材料的共形层而执行的。
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公开(公告)号：CN105009252A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480010134.X
申请日：2014-03-10
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/68735 , C23C16/045 , C23C16/4585 , H01J37/32642
Abstract: 本文提供用于处理基板的方法与装置的实施方式。在一些实施方式中，一种用于基板处理腔室的处理配件可包括：环，所述环具有主体及从主体径向向内延伸的唇部，其中所述主体具有形成在主体的底部内的第一环形通道；环形导电屏蔽件，所述环形导电屏蔽件具有下方向内延伸突出部分，所述下方向内延伸突出部分终止于向上延伸部分，所述向上延伸部分被配置以与环的第一环形通道接合；及导电构件，当环设置在导电屏蔽件上时，所述导电构件将环电气耦接至导电屏蔽件。
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公开(公告)号：CN103824746A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410050265.2
申请日：2009-11-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3244 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/76843 , H01L21/76865 , H01L21/76877 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683 , H01L2221/1063
Abstract: 本发明的实施例大致关于处理半导体基板的设备与方法。明确地说，本发明的实施例关于在填充沟槽与介层洞之前用于沟槽与介层洞轮廓的修饰的方法与设备。本发明的一实施例包括通过让沟槽结构接触蚀刻剂以形成牺牲层来夹封沟槽结构的顶部开口。一实施例中，蚀刻剂设以与第一材料反应并产生形成牺牲层的副产物而移除第一材料。
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