公开(公告)号：KR100160093B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950024136

申请日：1995-08-04

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이종현

IPC: H01L21/316

Abstract: 본 발명은 실리콘기판상에 산화막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, n형실리콘기판에 선택적으로 n
+ 불순물을 확산시켜 상기 n형 실리콘기판의 상면 소정부분에 n
+ 확산영역을 형성하는 단계와; 양극반응을 수행하여 상기 n
+ 확산영역을 다공질실리콘층으로 만드는 단계 및; 상기 다공질실리콘층을 산화시켜 산화막을 형성하는 단계로 이루어져 종래 여타 산화막 형성방법에 비해 값싸고 간편한 방법으로 짧은 시간에 두꺼운 산화막을 선택적으로 성장시킬 수 있는 기판상에 두꺼운 산화막을 선택적으로 형성하는 방법이다.

公开(公告)号：KR100118639B1

公开(公告)日：1997-07-22

申请号：KR1019930020963

申请日：1993-10-09

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현 ,  최평

IPC: H01L27/20

公开(公告)号：KR1019970005674B1

公开(公告)日：1997-04-18

申请号：KR1019930029501

申请日：1993-12-24

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현 ,  조찬섭

IPC: H01L21/027

Abstract: A method for masking amorphous silicon is described that can protect a device region at the final step of semiconductor device fabrication and provide an amorphous silicon layer capable of anode reaction. The method includes the steps of forming an insulating layer 7 of SiO2 or Si3N4 over a substrate where aluminium electrodes are made and then forming an intrinsic or N types of an amorphous silicon layer 8 by CVD of sputtering, patterning the parts where a poly-silicon layer 9 is formed to etch the amorphous silicon layer 8 of the parts, and selectively forming the poly-silicon layer 9 by the anode reaction in HF liquid. Thereby, it is possible to easily form a fine structure of the semiconductor device and allow the amorphous silicon layer 8 to serve as a protection layer so that the aluminium electrodes can be kept completely after the anode reaction.

Abstract translation: 描述了一种掩蔽非晶硅的方法，其可以在半导体器件制造的最后步骤中保护器件区域，并提供能够进行阳极反应的非晶硅层。 该方法包括以下步骤：在形成铝电极的基板上形成SiO 2或Si 3 N 4绝缘层7，然后通过溅射CVD形成本征或N型非晶硅层8，对多晶硅 形成层9以蚀刻部件的非晶硅层8，并且通过HF液体中的阳极反应选择性地形成多晶硅层9。 因此，可以容易地形成半导体器件的精细结构，并且允许非晶硅层8用作保护层，使得在阳极反应之后可以完全保持铝电极。

公开(公告)号：KR1019970003734B1

公开(公告)日：1997-03-21

申请号：KR1019930020963

申请日：1993-10-09

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현 ,  최평

IPC: H01L27/20

Abstract: The bridge circuit part(1) makes up of the first, second piezo resistance bridge circuit(B1,B2) and the first, second fixed resistance bridge circuit(B3,B4). The first piezo resistance bridge circuit contains the two piezo resistance elements(R12,R13) and two fixed resistance elements(R11,R14). The second piezo resistance bridge circuit contains the two piezo resistance elements(R21,R24) and two fixed resistance elements(R22,R23). The first fixed resistance bridge circuit makes up of the four fixed resistance elements(R31-R34), and the second fixed resistance bridge circuit makes up of four fixed resistance elements(R41-R44). The signal processing circuit part(2) contains the first to fourth comparator(CP1-CD4), the low-pass filter(LF1,LF2) and the self-watching signal processing circuit(SP1,SP2).

Abstract translation: 桥电路部分（1）由第一，第二压电电阻桥电路（B1，B2）和第一，第二固定电阻桥式电路（B3，B4）组成。 第一压电电阻桥电路包含两个压电电阻元件（R12，R13）和两个固定电阻元件（R11，R14）。 第二压电电阻桥电路包含两个压电电阻元件（R21，R24）和两个固定电阻元件（R22，R23）。 第一固定电阻桥电路由四个固定电阻元件（R31-R34）组成，第二固定电阻桥电路由四个固定电阻元件（R41-R44）组成。 信号处理电路部分（2）包含第一至第四比较器（CP1-CD4），低通滤波器（LF1，LF2）和自我监视信号处理电路（SP1，SP2）。

公开(公告)号：KR1019960003957B1

公开(公告)日：1996-03-25

申请号：KR1019930020962

申请日：1993-10-09

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현

IPC: G01P15/00

Abstract: The method involves forming a pressure resistor(2) on a Si wafer(1) after cleaning it. Then vacuum deposition of Ni thin film(3) as a mass paddle are formed over the Si wafer. The patterning of the Ni thin film(3) is carried out by wet etching, and a heat treatment is carried out to form Ni silicide(3'). The Ni surface oxide layer is removed in NH4OH aq. solution. A metal paste(4) of fixed quantity is formed over the Ni silicide(3') using a dispenser, and is heat treated and stiffened. The method facilitates mass production, and manufacture of various sensors with differing weights.

Abstract translation: 该方法包括在清洁它之后在Si晶片（1）上形成压力电阻器（2）。 然后在Si晶片上形成作为质量桨的Ni薄膜（3）的真空沉积。 通过湿蚀刻进行Ni薄膜（3）的图案化，进行热处理以形成Ni硅化物（3'）。 在NH 4 OH水溶液中除去Ni表面氧化物层。 解。 使用分配器在Ni硅化物（3'）上形成固定量的金属浆料（4），并进行热处理和加硬。 该方法有助于批量生产和制造具有不同重量的各种传感器。

公开(公告)号：KR1019950012748A

公开(公告)日：1995-05-16

申请号：KR1019930020963

申请日：1993-10-09

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소 ,  만도기계 주식회사

Inventor： 이종현 ,  최평

IPC: H01L27/20

Abstract: 본 발명은 가속도센서에 관한 것으로서, 압저항들 및/또는 고정저항들로 이루어진 제1∼제4브릿지회로(B
1 ∼B
4 )로 브릿지회로부(1)를 구성하고, 비교기 (CP
1 ∼CP
2 )와 저역필터 (LF
1 ∼LF
2 ) 및 자기감시 신호처리 회로(SP
1 ,SP
2 )로 신호처리부(2)를 구성하여 압저항들과 고정저항들을 같은 저항값을 같도록 설계함으로써 자기감시 기능의 실현으로 센서의 신뢰성이 향상된 자기감시 기능을 갖는 가속도센서의 집적회로이다.

公开(公告)号：KR100239221B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019950026200

申请日：1995-08-23

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이정희 ,  정욱진

IPC: H01J31/10

Abstract: 본 발명은 전계방출소자 제조방법으로서, 실리콘기판(1)상에 실리콘산화막(2)과 실리콘층(3)이 차례로 형성된 SOI구조의 웨이퍼에 있어서, 상기 실리콘층(3) 위에 실리콘 질화막을 도포한후 사진식각법으로 실리콘질화막을 애노드가 위치할 영역의 실리콘질화막(4)과 게이트가 위치할 영역의 실리콘질화막(5) 및 캐소드가 위치할 영역의 실리콘질화막(6)으로 패터닝하고, LOCOS법으로 상기 실리콘층(3)의 일부를 완전히 산화시켜 LOCOS산화막(7)을 형성하며, 상기 실리콘질화막(4),(5),(6) 각각에 접촉창을 열고 금속을 입혀 애노드전극(11)과 캐소드전극(12) 및 게이트전극(13)을 형성한 다음 마지막으로 BHF(Buffered HF)로 상기 LOCOS 산화막(7)의 전부와 SOI웨이퍼에 매몰되어 있는 산화막(2)을 선택적으로 식각하여 전계방출소자를 제조함으로써 제조공정이 용이하고 단순� ��며 캐소드-애노드 사이 간격을 매우작게 조절할 수 있을 뿐만아니라 극히 뾰족한 실리콘팁을 제조할 수 있는 SOI(Silicon-On-Insulator)구조의 웨이퍼를 이용한 실리콘 전계방출소자 제조방법이다.

公开(公告)号：KR100217882B1

公开(公告)日：1999-09-01

申请号：KR1019970003543

申请日：1997-02-05

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 손병기 ,  박이순 ,  김상태

IPC: G01N27/28

Abstract: 본 발명은 반도체소자 제조공정을 통하여 제조되는 전계효과 트랜지스터 pH센서에 관한 것으로, 특히 pH센서를 이용하여 수용액이나 혈액중의 용존 이산화탄소 분압을 측정하기 위한 전계효과 트랜지스터형 용존 이산화탄소 분압센서의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 특징은 실리콘기판(1), 소스영역(2), 드레인영역(3), 산화실리콘층(4), 질화실리콘 pH감지층(5), 알루미늄 금속전극(6), 기준전극(7), 수화젤막(8)및 가스투과막(9)으로 구성된 FET형 이산화탄소 센서에서 광 중합형 감광성 고분자를 사용하여 수화젤막과 기체투과막을 형성할 때, 감광용액에 산소감쇄제를 넣어줌으로써 산소에 의한 중합금지 작용을 방지시켜 이들이 이중막 구조를 갖도록 하고, 상기 수화젤막은 친수성이 큰 아크릴아미드와 패턴형성 특성이 우수한 하이드록시에틸 메타크릴레이트(HEMA)을 동시에 사용하여 형성한다는데 있다. 본 발명에 의해 제조되는 이산화탄소 분압센서는 기존의 마일러 필름의 사용으로 인한 감지막에의 핀홀 발생문제 및 불규칙 표면 발생문제 및 불규칙 표면 발생문제를 해결할 수 있고 또한 감지막의 두께 조절도 용이한 장점이 있게 된다.

公开(公告)号：KR100160088B1

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：KR1019960002601

申请日：1996-02-03

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 강희동 ,  박정병

IPC: H05G1/08

Abstract: 본 발명은 디지털 X-선 사진촬영장치의 X-선 위치검출기에 관한 것으로서, 1차원 MWPC(Multiwire Proportional Chamber)의 두 이웃하는 양극선(2)에서 발생한 신호(S
1 ∼S
3 )가 입되는 판별기(D
1 ∼D
3 )의 출력단 각각에 단안정 진동자(21∼23)각각을 연결하고, 단안정 진동자(21)의 출력단에 앤드게이트(AD
1 )(AD
2 )의 입력단과 비동시성 계수기(30)를, 단안정 진동자(22)의 출력단에 앤드게이트(AD
2 )(AD
3 )의 입력단과 비동시성 계수기(31)를, 단안정 진동자(23)의 출력단에 앤드게이트(AD
3 )의 입력단과 비동시성 계수기(32)를 각각 연결하며, 상기 앤드게이트(AD
1 ~AD
3 )의 출력단 각각에는 각각의 단안정 진동자(24∼26)를 통해 동시성 계수기(27∼29)각각을 연결한 구성으로 검출기체의 압력증가에 따라 동시성 시간기준이 늘어남에 따른 문제를 해결하고 회로의 구성이 간단하므� �� 부피와 비용이 감소하는 장점이 있으며, X-선 위치검출기의 위치분해능을 향상시켜 주는 효과가 있는 X-선 위치검출기의 동시성 선택회로도이다.

公开(公告)号：KR1019980006497A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960020335

申请日：1996-06-07

Applicant: 대한민국경북대학교센서기술연구소

Inventor： 이성필

IPC: H01L29/772