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公开(公告)号：CN1812050B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN200510129565.0
申请日：2005-12-06
Applicant: 株式会社迅动
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70991 , H01L21/67051 , H01L21/67173 , H01L21/67178
Abstract: 一种基板处理装置，具有分度器区、反射防止膜用处理区、抗蚀膜用处理区、显影处理区、浸液曝光用处理区以及接口区。以相邻于接口区的方式配置曝光装置。浸液曝光用处理区具有抗蚀剂盖膜用涂敷处理部以及抗蚀剂盖膜用除去处理部。在曝光处理之前，在浸液曝光用处理区形成抗蚀剂盖膜。在曝光处理之后，在浸液曝光用处理区除去抗蚀剂盖膜。
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公开(公告)号：CN101388327B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200810149148.6
申请日：2008-09-12
Applicant: 株式会社迅动
CPC classification number: H01L21/67051
Abstract: 提供一种基板处理装置以及基板处理方法，在清洗了基板后，形成冲洗液的液层，覆盖基板的一面。接着，液体供给喷嘴从基板的中心部上方向外侧移动。液体供给喷嘴在从基板的中心部上方移动到规定距离时暂时停止。在此期间内，离心力使液层在薄层区域内切断，从而在液层的中心部形成干燥核斑。然后，液体供给喷嘴再次向外侧移动，从而使没有冲洗液的干燥区域在基板上以干燥核斑为起点扩大。
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公开(公告)号：CN100592468C
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200710006705.4
申请日：2007-02-02
Applicant: 株式会社迅动
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/30 , H01L21/306
Abstract: 一种基板处理装置，具有：分度器区、反射防止膜用处理区、抗蚀膜用处理区、显影处理区、抗蚀盖膜用处理区、抗蚀盖膜除去区、清洗/干燥处理区以及接口区。以与基板处理装置的接口区相邻的方式配置有曝光装置。在曝光装置中，通过浸液法来进行基板的曝光处理。在清洗/干燥处理区的端部清洗单元中，清洗刷与旋转的基板的端部相抵接，来清洗曝光处理前的基板的端部。此时，修正基板的清洗位置。
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公开(公告)号：CN100536066C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200710101081.4
申请日：2007-04-26
Applicant: 株式会社迅动
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70925 , G03F7/70341 , G03F7/70533 , G03F7/7075 , G03F7/70916 , G03F7/70991
Abstract: 一种能降低在曝光装置内的载物台等机构的污染的基板处理方法、基板处理系统以及基板处理装置。将仿真基板向在曝光前后进行抗蚀剂涂布处理和显影处理的基板处理装置搬送，其中仿真基板在校准处理中使用，而该校准处理是在对应于液浸曝光的曝光单元中调整图案图像的曝光位置的处理。在基板处理装置中，将接受到的仿真基板表面和背面反转，然后将其搬送到背面清洗处理单元中执行背面清洗处理。其后再次将仿真基板表面和背面反转，然后将其搬送到表面清洗处理单元而执行表面清洗处理。清洗后的仿真基板再次从基板处理装置返回到曝光单元中。由于能够在曝光单元侧使用清洁的仿真基板执行校准处理，因此能够降低基板载物台等曝光单元内的机构的污染。
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公开(公告)号：CN100535757C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200510129564.6
申请日：2005-12-06
Applicant: 株式会社迅动
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/26
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，其具有分度器区、反射防止膜用处理区、抗蚀膜用处理区、显影处理区、干燥处理区以及接口区。曝光装置以相邻于接口区的方式配置。干燥处理区具有干燥处理部。接口区具有接口用搬送机构。在曝光装置中对基板进行曝光处理之后，通过接口用搬送机构将基板搬送到干燥处理部。在干燥处理部对基板进行清洗以及干燥处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100520594C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200510129566.5
申请日：2005-12-06
Applicant: 株式会社迅动
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/38
Abstract: 基板处理装置具有：分度器模块、反射防止膜用处理模块、抗蚀膜用处理模块、洗涤/显影处理模块以及接口模块。以相邻于接口模块的方式配置曝光装置。在抗蚀膜用处理模块中，在基板上形成抗蚀膜。在曝光装置中对基板进行曝光处理之前，在洗涤/显影处理模块的洗涤处理单元中进行基板的洗涤以及干燥处理。
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公开(公告)号：CN101136315A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710148349.X
申请日：2007-08-31
Applicant: 株式会社迅动
IPC: H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/16
CPC classification number: H01L21/31058 , G03F7/168 , H01L21/0276 , H01L21/6708 , H01L21/67259 , H01L21/67706
Abstract: 一种基板处理装置，其包括反射防止膜用处理区、抗蚀膜用处理区、抗蚀覆盖膜用处理区。在各个处理区中，在基板上形成反射防止膜、抗蚀膜和抗蚀覆盖膜。而且，将形成在基板的周缘部上的膜除去。通过将能够对膜进行溶解并除去的除去液供给到旋转的基板的周缘部上，实施形成在基板周缘部上膜的除去处理。在对膜的周缘部进行除去时，对基板的位置进行校正，以使得使基板的中心和旋转轴的中心一致。
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公开(公告)号：CN101388333B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200810212379.7
申请日：2008-09-12
Applicant: 株式会社迅动
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/67225
Abstract: 一种基板处理装置和基板处理方法，在清洗基板后，基板进行旋转的状态下，液体供给喷嘴一边喷出冲洗液，一边从基板的中心部上方向外方移动。此时，没有冲洗液的干燥区域在基板上扩大。若液体供给喷嘴移动至基板周边部上方，则基板的旋转速度下降。液体供给喷嘴的移动速度维持原状态。然后，停止喷出冲洗液，并且，液体供给喷嘴移动到基板的外方。由此，干燥区域扩展到基板上整体，基板被干燥。
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公开(公告)号：CN1773673B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200510120446.9
申请日：2005-11-10
Applicant: 株式会社迅动
IPC: H01L21/00 , H01L21/677 , G03F7/00
CPC classification number: G03F7/70991 , G03F7/7075 , Y10S438/906 , Y10S438/908
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，基板处理装置具有：分度器部、反射防止膜用处理部、抗蚀膜用处理部、显影处理部以及接口部。以相邻于接口部的方式配置曝光装置。接口部具有清洗处理部以及接口用搬送机构。在曝光装置中对基板执行曝光处理之前，基板通过接口用搬送机构被搬送到清洗处理部。在清洗处理部中进行基板的清洗以及干燥。
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公开(公告)号：CN1992161A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610172775.2
申请日：2006-12-26
Applicant: 株式会社迅动
CPC classification number: H01L21/67178 , H01L21/67173 , H01L21/67225 , H01L21/67276 , H01L21/67742 , H01L21/67748
Abstract: 本发明涉及一种衬底处理方法、衬底处理系统及衬底处理设备。其中，在与液浸曝光兼容的曝光装置中紧接在用于调整图案图像的曝光位置的对准处理之前或之后，将用于对准处理的虚设衬底从曝光装置传输到衬底处理设备。在衬底处理设备中，清洗处理装置清洗并干燥接收到的虚设衬底。将已清洗的虚设衬底从衬底处理设备传输回曝光装置。在曝光装置中使用清洁的虚设衬底执行对准处理，减少了曝光装置中机构如衬底台的污染。当虚设衬底具有斥水性时，在衬底处理设备中进行清洗使虚设衬底的斥水性恢复。
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