公开(公告)号：CN100470719C

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200610172775.2

申请日：2006-12-26

Applicant: 株式会社迅动

Inventor： 茂森和士 ,  金山幸司 ,  金冈雅 ,  宫城聪 ,  安田周一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/16 ,  G03F7/30 ,  G03F7/26 ,  G03F9/00

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748

Abstract: 本发明涉及一种衬底处理方法、衬底处理系统及衬底处理设备。其中，在与液浸曝光兼容的曝光装置中紧接在用于调整图案图像的曝光位置的对准处理之前或之后，将用于对准处理的虚设衬底从曝光装置传输到衬底处理设备。在衬底处理设备中，清洗处理装置清洗并干燥接收到的虚设衬底。将已清洗的虚设衬底从衬底处理设备传输回曝光装置。在曝光装置中使用清洁的虚设衬底执行对准处理，减少了曝光装置中机构如衬底台的污染。当虚设衬底具有斥水性时，在衬底处理设备中进行清洗使虚设衬底的斥水性恢复。

公开(公告)号：CN1885160B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200610093230.2

申请日：2006-06-23

Applicant: 株式会社迅动

Inventor： 茂森和士 ,  金山幸司 ,  春木晶子 ,  宫城聪 ,  金冈雅 ,  安田周一

IPC: G03F7/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02087 ,  G03F7/00 ,  G03F7/162 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/67742 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置具有：分度器模块、端部清洗处理模块、反射防止膜用处理模块、抗蚀膜用处理模块、显影处理模块、抗蚀覆盖膜用处理模块、抗蚀覆盖膜除去模块、清洗/干燥处理模块以及接口模块。相邻于基板处理装置的接口模块而配置有曝光装置。在曝光装置中，通过浸液法来进行对基板的曝光处理。在端部清洗模块的端部清洗处理部中，对曝光处理前的基板的端部进行清洗。

公开(公告)号：CN101387835B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200810149147.1

申请日：2008-09-12

Applicant: 株式会社迅动

Inventor： 宫城聪 ,  金冈雅 ,  茂森和士 ,  安田周一 ,  真田雅和

IPC: G03F7/30 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67034 ,  B05C11/08 ,  B05C13/02 ,  B05D3/0406 ,  G03F7/3028 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。在利用冲洗液冲洗掉基板上的显影液之后，基板的转速降低，从而在基板的整个表面上会形成冲洗液的液层。然后，基板的转速上升。由于基板的转速上升，所以离心力变得稍大于张力，因此液层以周边部厚度变厚且中心部厚度变薄的状态保持在基板上。接着，气体供给喷嘴向液层的中心部喷出气体，从而在液层的中心部形成孔。由此，与作用于液层周边部的离心力相平衡的张力消失。另外，随着气体的喷出，基板的转速进一步上升。由此，液层向基板的外侧移动。

公开(公告)号：CN101388333A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810212379.7

申请日：2008-09-12

Applicant: 株式会社迅动

Inventor： 宫城聪 ,  金冈雅 ,  茂森和士 ,  安田周一 ,  真田雅和

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67225

Abstract: 一种基板处理装置和基板处理方法，在清洗基板后，基板进行旋转的状态下，液体供给喷嘴一边喷出冲洗液，一边从基板的中心部上方向外方移动。此时，没有冲洗液的干燥区域在基板上扩大。若液体供给喷嘴移动至基板周边部上方，则基板的旋转速度下降。液体供给喷嘴的移动速度维持原状态。然后，停止喷出冲洗液，并且，液体供给喷嘴移动到基板的外方。由此，干燥区域扩展到基板上整体，基板被干燥。

公开(公告)号：CN101387835A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810149147.1

申请日：2008-09-12

Applicant: 株式会社迅动

Inventor： 宫城聪 ,  金冈雅 ,  茂森和士 ,  安田周一 ,  真田雅和

IPC: G03F7/30 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67034 ,  B05C11/08 ,  B05C13/02 ,  B05D3/0406 ,  G03F7/3028 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67051 ,  Y10S134/902

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法。在利用冲洗液冲洗掉基板上的显影液之后，基板的转速降低，从而在基板的整个表面上会形成冲洗液的液层。然后，基板的转速上升。由于基板的转速上升，所以离心力变得稍大于张力，因此液层以周边部厚度变厚且中心部厚度变薄的状态保持在基板上。接着，气体供给喷嘴向液层的中心部喷出气体，从而在液层的中心部形成孔。由此，与作用于液层周边部的离心力相平衡的张力消失。另外，随着气体的喷出，基板的转速进一步上升。由此，液层向基板的外侧移动。

公开(公告)号：CN101388333B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN200810212379.7

申请日：2008-09-12

Applicant: 株式会社迅动

Inventor： 宫城聪 ,  金冈雅 ,  茂森和士 ,  安田周一 ,  真田雅和

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67225

Abstract: 一种基板处理装置和基板处理方法，在清洗基板后，基板进行旋转的状态下，液体供给喷嘴一边喷出冲洗液，一边从基板的中心部上方向外方移动。此时，没有冲洗液的干燥区域在基板上扩大。若液体供给喷嘴移动至基板周边部上方，则基板的旋转速度下降。液体供给喷嘴的移动速度维持原状态。然后，停止喷出冲洗液，并且，液体供给喷嘴移动到基板的外方。由此，干燥区域扩展到基板上整体，基板被干燥。

公开(公告)号：CN1773673B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200510120446.9

申请日：2005-11-10

Applicant: 株式会社迅动

Inventor： 安田周一 ,  金冈雅 ,  金山幸司 ,  宫城聪 ,  茂森和士 ,  浅野彻 ,  久井章博 ,  小林宽 ,  奥村刚

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/70991 ,  G03F7/7075 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/908

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，基板处理装置具有：分度器部、反射防止膜用处理部、抗蚀膜用处理部、显影处理部以及接口部。以相邻于接口部的方式配置曝光装置。接口部具有清洗处理部以及接口用搬送机构。在曝光装置中对基板执行曝光处理之前，基板通过接口用搬送机构被搬送到清洗处理部。在清洗处理部中进行基板的清洗以及干燥。

公开(公告)号：CN1992161A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610172775.2

申请日：2006-12-26

Applicant: 株式会社迅动

Inventor： 茂森和士 ,  金山幸司 ,  金冈雅 ,  宫城聪 ,  安田周一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  G03F7/16 ,  G03F7/30 ,  G03F7/26 ,  G03F9/00

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67748

Abstract: 本发明涉及一种衬底处理方法、衬底处理系统及衬底处理设备。其中，在与液浸曝光兼容的曝光装置中紧接在用于调整图案图像的曝光位置的对准处理之前或之后，将用于对准处理的虚设衬底从曝光装置传输到衬底处理设备。在衬底处理设备中，清洗处理装置清洗并干燥接收到的虚设衬底。将已清洗的虚设衬底从衬底处理设备传输回曝光装置。在曝光装置中使用清洁的虚设衬底执行对准处理，减少了曝光装置中机构如衬底台的污染。当虚设衬底具有斥水性时，在衬底处理设备中进行清洗使虚设衬底的斥水性恢复。

公开(公告)号：CN1773376B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200510120440.1

申请日：2005-11-10

Applicant: 株式会社迅动

Inventor： 金山幸司 ,  久井章博 ,  浅野彻 ,  小林宽 ,  奥村刚 ,  安田周一 ,  金冈雅 ,  宫城聪 ,  茂森和士

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

CPC classification number: G03F7/70991 ,  G03F7/70341

Abstract: 本发明提供的基板处理装置具有分度器模块、反射防止膜用处理模块、抗蚀膜用处理模块、显影处理模块以及接口模块。以相邻于接口模块的方式配置有曝光装置。接口模块具有含有2个干燥处理单元的干燥处理部和接口用搬送机构。在曝光装置中，在对基板实施了曝光处理后，基板通过接口用搬送机构被搬送到干燥处理部的干燥处理单元。在干燥处理部的干燥处理单元中，进行基板的洗涤和干燥。

公开(公告)号：CN1773674B

公开(公告)日：2010-04-14

申请号：CN200510120447.3

申请日：2005-11-10

Applicant: 株式会社迅动

Inventor： 金山幸司 ,  柴田修治 ,  奥村刚 ,  安田周一 ,  金冈雅 ,  宫城聪 ,  茂森和士

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67051 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70991 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  Y10S414/135

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法，基板处理装置具有分度器部、反射防止膜用处理部、抗蚀膜用处理部、干燥/显影处理部以及接口部。曝光装置相邻于接口部而被配置。干燥/显影处理部具有干燥处理部。接口部具有接口用搬送机构。在曝光装置中对基板进行曝光处理之后，通过接口用搬送机构将基板搬送到干燥处理部，在干燥处理部对基板进行清洗以及干燥。