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公开(公告)号：KR1020170113086A
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：KR1020170028225
申请日：2017-03-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 마루모토히로시
IPC: H01L21/02 , H01L21/687 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67034 , H01L21/02054 , H01L21/67028
Abstract: 본발명은결함의발생을억제하면서, 건조액을이용하여기판표면을건조시키는것이가능한기판처리장치등을제공하는것을목적으로한다. 기판유지부(31)에유지되어, 회전하는기판(W)의표면에처리액을공급하여처리를행하는기판처리장치(16)에있어서, 건조액공급노즐(411)은, 처리액에의한처리가행해진후의회전하는기판의표면에건조액을공급하고, 이동기구(41, 42, 421)는, 기판(W)에대한건조액의착액점(着液點; P)을, 기판(W)의중심부로부터둘레가장자리부를향해이동시킨다. 제어부(18)는, 착액점을기점으로하여형성되는건조액의유선에있어서의, 상기착액점의중심으로부터, 기판의회전중심측의단부까지의거리(L)가, 미리설정한상한거리(M) 이하가되도록제어를행한다.
Abstract translation: 本发明的一个目的是提供使得能够通过使用干燥的流体，同时抑制缺陷的产生干燥基板表面的基板处理装置。 被保持，其使基板处理装置16执行的处理由处理溶液以提供干燥的溶液供给喷嘴411，该处理基板保持部31，在处理液向基板（W）的表面上 线供给干燥流体到衬底纺纱的表面制成后，移动机构（41，42，421），干燥流体的安装aekjeom到基板（W）;基板（W）至（着液点P）， 到外围边缘部分。 控制单元18，在由从aekjeom开始，从上基板侧的安装aekjeom，旋转中心端kkajiui距离（L）的中心处形成的干混合物丝的复合物，和上限距离（M预先设定 ）或更少。
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公开(公告)号：KR101949722B1
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：KR1020130140481
申请日：2013-11-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
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公开(公告)号：KR1020170077042A
公开(公告)日：2017-07-05
申请号：KR1020160174538
申请日：2016-12-20
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/311 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/02057 , H01L21/02082 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/324 , H01L21/67028 , H01L21/6704 , H01L21/67069 , H01L21/67075 , H01L21/6708
Abstract: 도괴된패턴을복원한다. 기판처리방법은, 복수의볼록부(2)를갖는패턴이표면에형성된기판에, 처리액을공급하는액 처리공정과, 상기기판의표면에존재하는상기처리액을제거하고, 기판을건조시키는건조공정과, 상기건조공정후, 서로인접하는상기볼록부의접합부(2a)를분리시키는분리공정을구비한다.
Abstract translation: 还原剽窃的模式。 该基板处理方法包括：液体处理步骤，将处理液供给至具有在其表面上形成有多个突起（2）的图案的基板;除去存在于基板表面上的处理液的步骤; 以及分离步骤，在干燥步骤之后分离彼此相邻的凸起部分的接合部分2a。
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公开(公告)号：KR1020140064666A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：KR1020130140481
申请日：2013-11-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02041 , H01L21/02052 , H01L21/67028 , H01L21/67051
Abstract: The supply amount of a clean gas is reduced without deteriorating process performance. The amount of the clean gas (70) supplied from a clean gas supply apparatus (70,78) to the inner space of a housing (60) when a liquid process is performed on a substrate (W) is less than that of a clean gas (78) of low humidity supplied from the clean gas supply apparatus when a drying process is performed on the substrate. In addition, the amount of a gas discharged through a housing discharge path (64) when a liquid process is performed is less than that of a gas discharged through the housing discharge path when a drying process is performed.
Abstract translation: 清洁气体的供给量降低，而不会降低工艺性能。 当在基板（W）上执行液体处理时，从清洁气体供应装置（70,78）供应到壳体（60）的内部空间的清洁气体（70）的量小于清洁气体 在对基板进行干燥处理时，从清洁气体供给装置供给的低湿气体（78）。 此外，当执行液体处理时通过壳体排放路径（64）排出的气体的量小于当进行干燥处理时通过壳体排出路径排出的气体的量。
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