公开(公告)号：KR100924852B1

公开(公告)日：2009-11-02

申请号：KR1020070097315

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠하시고우지 ,  오쿠보도모야

IPC: H01L21/3065

Abstract: 피막의 벗겨짐에 의한 이물질의 발생을 방지할 수 있는 기판 처리 장치용 부품의 피막 형성 방법을 제공한다.
우선, 표면에 알루미늄 기재(56)가 노출하게 된 냉각판(36)을 직류 전원의 양극에 접속하고, 수산(蓚酸) 용액 중에 침지하여, 냉각판(36)의 표면을 산화하고(단계 S61), 이어서, 표면에 알루마이트 피막(57)이 형성된 냉각판(36)을 끓는 물 중에 5분∼10분에 걸쳐 침지한다(단계 S62).

公开(公告)号：KR100735936B1

公开(公告)日：2007-07-06

申请号：KR1020050105199

申请日：2005-11-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  미츠하시고우지 ,  우에도노아키라

IPC: H01L21/02

Abstract: 소결법 또는 CVD법에 의해서 형성된 탄화 규소체를 절삭 가공에 의해서 포커스링으로 성형하고, 성형된 포커스링을, 4불화탄소 가스 및 산소 가스 중 적어도 하나의 가스로부터 생성된 플라즈마에 노출하고, 포커스링의 표면 근방에 존재하는 공공 형상의 결함에 플라즈마로부터 생성된 불순물을 도입한다. 그 후, 불순물이 도입된 포커스링의 표면 근방에 양전자를 주입하고, 양전자 소멸법에 의해서 포커스링의 표면 근방에서의 결함 존재비를 검사한다.

公开(公告)号：KR100638917B1

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：KR1020057005918

申请日：2001-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 센자키시게루 ,  사사키도시키 ,  아오토다다시 ,  나가야마노부유키 ,  미츠하시고우지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32458

Abstract: A processing device in which maintenance can be easily carried out and a burden on a worker can be reduced, and a method of maintaining the device are provided. An upper electrode unit 106 structuring a ceiling portion of a processing chamber 102 of an etching device 100 is structured from a lower assembly 128 at a processing chamber 102 side including an upper electrode 130, and an upper assembly 128 at a power supply side including an electro-body 144. A lock mechanism 156 is released, and after the upper assembly 126 is independently raised and removed by a lift mechanism 164, maintenance of the upper assembly 126 and/or the lower assembly 128 is carried out. The lock mechanism 156 is locked, and after the upper and lower assemblies 126, 128 are integrally raised and removed by the lift mechanism 164, maintenance of an interior of the processing chamber 102 is carried out.

公开(公告)号：KR100638916B1

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：KR1020027015433

申请日：2001-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 센자키시게루 ,  사사키도시키 ,  아오토다다시 ,  나가야마노부유키 ,  미츠하시고우지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32458

Abstract: A processing device in which maintenance can be easily carried out and a burden on a worker can be reduced, and a method of maintaining the device are provided. An upper electrode unit 106 structuring a ceiling portion of a processing chamber 102 of an etching device 100 is structured from a lower assembly 128 at a processing chamber 102 side including an upper electrode 130, and an upper assembly 128 at a power supply side including an electro-body 144. A lock mechanism 156 is released, and after the upper assembly 126 is independently raised and removed by a lift mechanism 164, maintenance of the upper assembly 126 and/or the lower assembly 128 is carried out. The lock mechanism 156 is locked, and after the upper and lower assemblies 126, 128 are integrally raised and removed by the lift mechanism 164, maintenance of an interior of the processing chamber 102 is carried out.

公开(公告)号：KR1020060052455A

公开(公告)日：2006-05-19

申请号：KR1020050105199

申请日：2005-11-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  미츠하시고우지 ,  우에도노아키라

IPC: H01L21/02

Abstract: 소결법 또는 CVD법에 의해서 형성된 탄화 규소체를 절삭 가공에 의해서 포커스링으로 성형하고, 성형된 포커스링을, 4불화탄소 가스 및 산소 가스 중 적어도 하나의 가스로부터 생성된 플라즈마에 노출하고, 포커스링의 표면 근방에 존재하는 공공 형상의 결함에 플라즈마로부터 생성된 불순물을 도입한다. 그 후, 불순물이 도입된 포커스링의 표면 근방에 양전자를 주입하고, 양전자 소멸법에 의해서 포커스링의 표면 근방에서의 결함 존재비를 검사한다.

公开(公告)号：KR1020080029839A

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020070097315

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠하시고우지 ,  오쿠보도모야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C16/4404

Abstract: A component for a substrate processing apparatus and a method for forming a coating layer are provided to prevent the generation of foreign materials by securing an opening at each pore of the coating layer. A coating layer is formed on a surface of a component for a substrate processing apparatus. The component for the substrate processing apparatus is connected to an anode of a DC power source. The coating layer is formed on the surface of the component by performing an anodizing process for dipping the component into a solution including an organic acid as a main ingredient. A half-coating process is performed on the coating layer. In the half-coating process, the component for the substrate processing apparatus is dipped into the boiling water during 5 to 10 minutes.

Abstract translation: 提供了用于基板处理装置的部件和形成涂层的方法，以通过确保涂层的每个孔处的开口来防止异物的产生。 在基板处理装置的部件的表面上形成涂层。 用于基板处理装置的部件连接到直流电源的阳极。 通过进行阳极氧化处理，将成分浸渍在以有机酸为主要成分的溶液中，在该成分的表面形成涂层。 在涂层上进行半涂法。 在半涂法中，将基板处理装置的部件浸入沸水中5〜10分钟。

公开(公告)号：KR1020050047134A

公开(公告)日：2005-05-19

申请号：KR1020057005918

申请日：2001-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 센자키시게루 ,  사사키도시키 ,  아오토다다시 ,  나가야마노부유키 ,  미츠하시고우지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32458

Abstract: A processing device capable of being maintained easily and reducing a burden on a worker and a method of maintaining the processing device; the processing device, comprising an upper electrode unit (106) forming the ceiling part of a processing chamber (102) of an etching device (100) having a lower assembly (128) on the processing chamber (102) side including upper electrodes (130) and an upper assembly (126) on a power supply side including an electro-body (144); the method of maintaining the processing device, comprising the steps of releasing a lock mechanism (156), solely raising the upper assembly (126) by a lift mechanism (164) for removal, and performing the maintenance of the upper assembly (126) and/or the lower assembly (128), and then locking the lock mechanism (156), raising the upper and lower assemblies (126, 128) integrally with each other by the lift mechanism (164) for removal, and performing the maintenance of the internal parts in the processing chamber (102).

Abstract translation: 能够容易地维护并减轻对工人的负担的处理装置和维护处理装置的方法; 所述处理装置包括上部电极单元（106），其形成在处理室（102）侧上具有下部组件（128）的包括上部电极（130）的蚀刻装置（100）的处理室（102）的顶部 ）和包括电子体（144）的电源侧的上部组件（126）; 维护处理装置的方法包括以下步骤：释放锁定机构（156），通过用于移除的提升机构（164）单独提升上部组件（126），并执行上部组件（126）的维护和 /或下部组件（128），然后锁定锁定机构（156），通过提升机构（164）将上部和下部组件（126,128）彼此一体地提升以便移除，并执行维护 处理室（102）中的内部部件。

公开(公告)号：KR1020030013419A

公开(公告)日：2003-02-14

申请号：KR1020027015433

申请日：2001-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 센자키시게루 ,  사사키도시키 ,  아오토다다시 ,  나가야마노부유키 ,  미츠하시고우지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32458

Abstract: 유지 보수를 용이하게 실행하여 작업자의 부담을 경감 가능한 처리 장치 및 그 유지 보수 방법을 제공한다. 에칭 장치(100)의 처리실(102)의 천정부를 구성하는 상부 전극 유닛(106)은 상부 전극(130)을 포함하는 처리실(102)측의 하부 조립체(128)와, 일렉트로-바디(144)를 포함하는 전력 공급측의 상부 조립체(128)로 구성된다. 로크 기구(156)를 해제하고, 승강 기구(164)에 의해 상부 조립체(126)를 단독으로 상승시켜 분리한 후, 상부 조립체(126) 및/또는 하부 조립체(128)의 유지 보수를 한다. 로크 기구(156)를 로크하여, 승강 기구(164)에 의해 상부 및 하부 조립체(126, 128)를 일체적으로 상승시켜 분리한 후, 처리실(102)내의 유지 보수를 실행한다.

Abstract translation: 提供一种能够容易地进行维护并且能够减轻作业者的负担的处理装置以及维护该装置的方法。 构成蚀刻装置100的处理室102的顶部的上部电极单元106由包括上部电极130的处理室102侧的下部组件128和包括电源侧的上部组件128构成 释放锁定机构156，并且在上部组件126被升降机构164独立地升起并移除之后，执行上部组件126和/或下部组件128的维护。 锁定机构156被锁定，并且在上部组件126和下部组件128通过提升机构164整体地升起和移除之后，执行处理室102的内部的维护。