公开(公告)号：KR1020080029839A

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：KR1020070097315

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠하시고우지 ,  오쿠보도모야

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C14/564 ,  C23C16/4404

Abstract: A component for a substrate processing apparatus and a method for forming a coating layer are provided to prevent the generation of foreign materials by securing an opening at each pore of the coating layer. A coating layer is formed on a surface of a component for a substrate processing apparatus. The component for the substrate processing apparatus is connected to an anode of a DC power source. The coating layer is formed on the surface of the component by performing an anodizing process for dipping the component into a solution including an organic acid as a main ingredient. A half-coating process is performed on the coating layer. In the half-coating process, the component for the substrate processing apparatus is dipped into the boiling water during 5 to 10 minutes.

Abstract translation: 提供了用于基板处理装置的部件和形成涂层的方法，以通过确保涂层的每个孔处的开口来防止异物的产生。 在基板处理装置的部件的表面上形成涂层。 用于基板处理装置的部件连接到直流电源的阳极。 通过进行阳极氧化处理，将成分浸渍在以有机酸为主要成分的溶液中，在该成分的表面形成涂层。 在涂层上进行半涂法。 在半涂法中，将基板处理装置的部件浸入沸水中5〜10分钟。

公开(公告)号：KR1020040093043A

公开(公告)日：2004-11-04

申请号：KR1020040028391

申请日：2004-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도쇼스케 ,  이와부치노리유키 ,  가토시게아키 ,  오쿠보도모야 ,  히로세준 ,  나가쿠라고이치 ,  고시미즈지시오 ,  덴포가즈키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/6831

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus, a focus ring and a susceptor are provided to improve remarkably cooling efficiency of the focus ring without the increase of costs by providing a dielectric part and a conductive part for the focus ring. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes a susceptor. The susceptor includes an electrostatic chuck(25) and a focus ring(30) connected with the electrostatic chuck through a contact portion. The focus ring is composed of a dielectric part(30a) with the contact portion and a conductive part(30b) on the dielectric part.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，聚焦环和基座，以通过为聚焦环提供电介质部分和导电部分而不增加成本，从而显着提高聚焦环的冷却效率。 构成：等离子体处理装置包括基座。 感受器包括静电吸盘（25）和通过接触部分与静电吸盘连接的聚焦环（30）。 聚焦环由介电部分（30a）与介电部分上的接触部分和导电部分（30b）组成。

公开(公告)号：KR100613198B1

公开(公告)日：2006-08-18

申请号：KR1020040028391

申请日：2004-04-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 엔도쇼스케 ,  이와부치노리유키 ,  가토시게아키 ,  오쿠보도모야 ,  히로세준 ,  나가쿠라고이치 ,  고시미즈지시오 ,  덴포가즈키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32642 ,  H01L21/6831

Abstract: 본 발명은 비용의 증가를 방지하면서 포커스 링의 냉각 효율을 비약적으로 향상시킬 수 있는 포커스 링을 구비한 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 이 플라즈마 처리 장치는 정전 척 및 포커스 링을 구비하는 서셉터를 포함한다. 프라즈마 처리될 웨이퍼(W)가 정전 척상에 장착된다. 포커스 링은 유전제부 및 도전체부를 구비한다. 유전체부는 정전 척과 접촉하여 배치된 접촉부를 형성한다. 도전체부는 유전체부를 사이에 두고 정전 척과 대향한다.

公开(公告)号：KR1020020010681A

公开(公告)日：2002-02-04

申请号：KR1020017015360

申请日：2000-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로세준 ,  오자와준 ,  오쿠보도모야 ,  후지다츠야

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 피처리 기판(17)을 탑재하는 스테이지(16)를 갖는 진공 처리실(14)과, 이 진공 처리실(14)을 형성하는 처리 챔버(11)의 주벽에 설치되어 상기 스테이지(16)에 대하여 피처리 기판(17)을 반입 및 반출하는 반송구(18)로 구성되며, 상기 진공 처리실(14)내에 플라즈마를 발생시켜 상기 스테이지(16)상의 피처리 기판(17)을 플라즈마 처리하는 진공 처리 장치에 있어서, 상기 진공 처리실내에서 플라즈마를 발생할 때에 상기 반송구(18)를 폐색하여 플라즈마의 혼란을 방지하는 셔터(20)가 설치된 진공 처리 장치이다.

公开(公告)号：KR102096700B1

公开(公告)日：2020-04-02

申请号：KR1020180030560

申请日：2018-03-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가와히로유키 ,  오쿠보도모야 ,  시미즈아키타카

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  H01L21/311

公开(公告)号：KR100924852B1

公开(公告)日：2009-11-02

申请号：KR1020070097315

申请日：2007-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미츠하시고우지 ,  오쿠보도모야

IPC: H01L21/3065

Abstract: 피막의 벗겨짐에 의한 이물질의 발생을 방지할 수 있는 기판 처리 장치용 부품의 피막 형성 방법을 제공한다.
우선, 표면에 알루미늄 기재(56)가 노출하게 된 냉각판(36)을 직류 전원의 양극에 접속하고, 수산(蓚酸) 용액 중에 침지하여, 냉각판(36)의 표면을 산화하고(단계 S61), 이어서, 표면에 알루마이트 피막(57)이 형성된 냉각판(36)을 끓는 물 중에 5분∼10분에 걸쳐 침지한다(단계 S62).

公开(公告)号：KR100682216B1

公开(公告)日：2007-02-12

申请号：KR1020017015360

申请日：2000-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로세준 ,  오자와준 ,  오쿠보도모야 ,  후지다츠야

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 피처리 기판(17)을 탑재하는 스테이지(16)를 갖는 진공 처리실(14)과, 이 진공 처리실(14)을 형성하는 처리 챔버(11)의 주벽에 설치되어 상기 스테이지(16)에 대하여 피처리 기판(17)을 반입 및 반출하는 반송구(18)로 구성되며, 상기 진공 처리실(14)내에 플라즈마를 발생시켜 상기 스테이지(16)상의 피처리 기판(17)을 플라즈마 처리하는 진공 처리 장치에 있어서, 상기 진공 처리실내에서 플라즈마를 발생할 때에 상기 반송구(18)를 폐색하여 플라즈마의 혼란을 방지하는 셔터(20)가 설치된 진공 처리 장치이다.

Abstract translation: 本发明的特征在于包括：真空处理室14，其具有载置被处理基板17的载物台16和设置在构成真空处理室14的处理室11的周壁上的处理室11， 以及传送装置18，用于将基板17传送到平台16以及从平台16传送基板17.通过在真空处理室14中产生等离子体，对基板16进行真空处理以等离子体处理台架16上的基板17， 该设备是一种真空处理设备，其设置有用于关闭输送口（18）的闸门（20），以防止在真空处理室中产生等离子体时等离子体混淆。