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公开(公告)号：KR101813420B1
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：KR1020167011101
申请日：2014-08-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고지마,야스히코 , 소네,히로시 , 고미,아츠시 , 나카무라,간토 , 기타다,도루 , 스즈키,야스노부 , 스즈키,유스케 , 다카츠키,고이치 , 히라사와,다츠오 , 사토,게이스케 , 야스무로,치아키 , 시마다,아츠시
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/0063 , C23C14/081 , C23C14/165 , C23C14/352 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 일실시형태의성막장치는처리용기를구비한다. 처리용기내에는적재대가설치되어있고, 적재대의상방에는금속타깃이설치되어있다. 또한, 헤드가, 산화가스를적재대를향해서분사하도록구성되어있다. 이헤드는, 적재대상에서피처리체가적재되는적재영역과금속타깃과의사이의제1 영역과, 금속타깃과적재영역과의사이의공간으로부터이격된제2 영역과의사이에서이동가능하다.
Abstract translation: 膜装置的一个实施例包括处理容器。 处理容器内设有装载台，在装载台上方设有金属靶。 此外，头部构造成朝向装载台注入氧化气体。 头部是第一区域和从金属靶和装载区域和所述目标对象装载在金属靶，加载目的地之间的装载区域之间的空间分隔的第二区域之间移动。
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公开(公告)号：KR1020160078969A
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：KR1020167011101
申请日：2014-08-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 고지마,야스히코 , 소네,히로시 , 고미,아츠시 , 나카무라,간토 , 기타다,도루 , 스즈키,야스노부 , 스즈키,유스케 , 다카츠키,고이치 , 히라사와,다츠오 , 사토,게이스케 , 야스무로,치아키 , 시마다,아츠시
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/0063 , C23C14/081 , C23C14/165 , C23C14/352 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 일실시형태의성막장치는처리용기를구비한다. 처리용기내에는적재대가설치되어있고, 적재대의상방에는금속타깃이설치되어있다. 또한, 헤드가, 산화가스를적재대를향해서분사하도록구성되어있다. 이헤드는, 적재대상에서피처리체가적재되는적재영역과금속타깃과의사이의제1 영역과, 금속타깃과적재영역과의사이의공간으로부터이격된제2 영역과의사이에서이동가능하다.
Abstract translation: 根据一个实施例的沉积装置包括处理容器。 安装台安装在加工容器的内部，金属靶被安装在安装台的上方。 此外，头部构造成朝向安装台注入氧化气体。 该头部构造成在限定在金属靶和安装在安装台上的目标物体的安装区域之间的第一区域和从金属靶和安装区域之间限定的空间间隔开的第二区域之间移动。 出版物摘要该沉积装置设有处理容器。 在处理容器中设置有安装平台，在安装平台的上方设置有金属靶。 此外，头部构造成朝向安装平台喷射氧化气体。 该头部可以在金属靶和安装在安装平台上的工件的安装区域之间的第一区域和与金属靶材与安装区域之间的空间分离的第二区域之间移动。
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公开(公告)号：KR1020170080549A
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020170080412
申请日：2017-06-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/28 , H01L21/288 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/2885 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L21/76867 , H01L21/76876 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L21/28194 , H01L21/28061 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은오목부에 Cu 배선을형성할때에배선저항의상승이나공정의증가를억제하고, 또한충분한매립성을확보하면서, 일렉트로마이그레이션내성이높은 Cu 배선을얻을수 있는 Cu 배선의형성방법을제공한다. 본발명의일 실시예에따른 Cu 배선의형성방법은기판표면에존재하는절연막에형성된소정패턴의오목부에 Cu 배선을형성하는 Cu 배선의형성방법으로서, 적어도상기오목부의표면에 Cu 확산의배리어가되는배리어막을형성하는공정과, 상기배리어막위에 CVD에의해 Ru막을형성하는공정과, 상기 Ru막위에 PVD에의해 Cu 합금막을형성하여상기오목부내에상기 Cu 합금막을매립하는공정과, 상기오목부내의 Cu 합금막으로부터 Cu 배선을형성하는공정과, 상기 Cu 배선위에유전체막을형성하는공정을포함한다.
Abstract translation: 本发明抑制了上升或增加布线电阻的在形成在凹部中的Cu布线的过程中，并进一步提供了形成Cu布线，其中，同时确保足够的嵌入性，得到的抗电迁移性高的铜布线的方法 。 在根据本发明的一个实施方式，形成Cu布线的方法提供了一种形成Cu布线形成在形成于存在于基材表面上的绝缘膜，Cu扩散的在所述凹部的至少表面上的屏障图案的预定的凹部的Cu布线的方法 阻挡步骤，包埋在阻隔膜形成由Ru膜通过CVD的工序的一个步骤中，将膜通过Cu合金在Ru膜具有的膜，其中在所述凹部中的Cu合金中，凹部以形成膜形成用PVD该 在基板上由Cu合金膜形成Cu布线的工序;在Cu布线上形成电介质膜的工序。
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公开(公告)号：KR1020150002508A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：KR1020140078414
申请日：2014-06-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/28 , H01L21/288 , H01L23/532 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/2885 , H01L21/76834 , H01L21/76843 , H01L21/76867 , H01L21/76876 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L21/28194 , H01L21/28061 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 오목부에 Cu 배선을 형성할 때에 배선 저항의 상승이나 공정의 증가를 억제하고, 또한 충분한 매립성을 확보하면서, 일렉트로 마이그레이션 내성이 높은 Cu 배선을 얻을 수 있는 Cu 배선의 형성 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 Cu 배선의 형성 방법은 기판 표면에 존재하는 절연막에 형성된 소정 패턴의 오목부에 Cu 배선을 형성하는 Cu 배선의 형성 방법으로서, 적어도 상기 오목부의 표면에 Cu 확산의 배리어가 되는 배리어막을 형성하는 공정과, 상기 배리어막 위에 CVD에 의해 Ru막을 형성하는 공정과, 상기 Ru막 위에 PVD에 의해 Cu 합금막을 형성하여 상기 오목부 내에 상기 Cu 합금막을 매립하는 공정과, 상기 오목부 내의 Cu 합금막으로부터 Cu 배선을 형성하는 공정과, 상기 Cu 배선 위에 유전체막을 형성하는 공정을 포함한다.
Abstract translation: 提供一种形成铜（Cu）布线的方法，其中可以在抑制在凹槽中形成Cu布线并且确保足够的电路的同时抑制布线电阻的增加或加工过程中可以获得具有高耐迁移电阻的Cu布线 埋葬财产 根据本发明的实施方式的形成铜（Cu）布线的方法，其中在铜（Cu）布线中的衬底的表面上的绝缘膜中的预定图案的凹部中形成铜（Cu）布线的方法， 包括：至少在凹部的表面上形成阻挡膜，其中阻挡膜阻挡Cu的扩散; 通过化学机械沉积（CVD）在阻挡膜上形成Ru膜; 通过物理气相沉积（PVD）在Ru膜上形成Cu合金膜，以将Cu合金膜埋入凹槽中; 通过使用埋在凹部中的Cu合金膜形成Cu布线; 并在Cu布线上形成电介质膜。
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