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    플라즈마 ＣＶＤ를 이용한 성막 방법 및 장치
    1.
    发明公开
    플라즈마 ＣＶＤ를 이용한 성막 방법 및 장치 有权
    成膜方法和使用等离子体CVD的装置

    公开(公告)号：KR1020060091006A

    公开(公告)日：2006-08-17

    申请号：KR1020067014884

    申请日：2003-12-04

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다다구니히로 ,  요코이히로아키 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠

    IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28562

    Abstract: A film-forming method wherein a certain thin film is formed on a substrate to be processed (W) using plasma CVD comprises first and second steps performed alternately at least once. In the first step, a first plasma is generated in a process chamber (51) in which the substrate (W) is housed while supplying a compound gas containing a component for the thin film and a reducing gas into the process chamber (51). In the second step following the first step, a second plasma is generated in the process chamber (51) while supplying the reducing gas into the process chamber (51).

    Abstract translation: 使用等离子体CVD在被处理基板（W）上形成某个薄膜的成膜方法包括交替进行至少一次的第一和第二工序。 在第一步骤中，在容纳基板（W）的处理室（51）中产生第一等离子体，同时向处理室（51）提供含有薄膜成分的复合气体和还原气体。 在第一步骤之后的第二步骤中，在处理室（51）中产生第二等离子体，同时将还原气体供应到处理室（51）中。

    플라즈마 ＣＶＤ를 이용한 성막 방법 및 장치
    2.
    发明公开
    플라즈마 ＣＶＤ를 이용한 성막 방법 및 장치 有权
    成膜方法和使用等离子体CVD的装置

    公开(公告)号：KR1020070087084A

    公开(公告)日：2007-08-27

    申请号：KR1020077016175

    申请日：2003-12-04

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다다구니히로 ,  요코이히로아키 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠

    IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28562

    Abstract: A film-forming method wherein a certain thin film is formed on a substrate to be processed (W) using plasma CVD comprises first and second steps performed alternately at least once. In the first step, a first plasma is generated in a process chamber (51) in which the substrate (W) is housed while supplying a compound gas containing a component for the thin film and a reducing gas into the process chamber (51). In the second step following the first step, a second plasma is generated in the process chamber (51) while supplying the reducing gas into the process chamber (51).

    Abstract translation: 使用等离子体CVD在被处理基板（W）上形成某个薄膜的成膜方法包括交替进行至少一次的第一和第二工序。 在第一步骤中，在容纳基板（W）的处理室（51）中产生第一等离子体，同时向处理室（51）提供含有薄膜成分的复合气体和还原气体。 在第一步骤之后的第二步骤中，在处理室（51）中产生第二等离子体，同时将还原气体供应到处理室（51）中。

    반도체 처리용의 성막 방법
    5.
    发明公开
    반도체 처리용의 성막 방법 有权
    반도체처리용의성막방법

    公开(公告)号：KR1020040037079A

    公开(公告)日：2004-05-04

    申请号：KR1020047003562

    申请日：2003-07-11

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 요코이히로아키 ,  젠코데쓰 ,  아시자와히로아키 ,  하시모토쓰요시

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/4404

    Abstract: 반도체 처리용의 성막 방법은 피처리 기판(W)을 처리실내에 반입하기 전에 탑재대(32)를 프리코팅으로 피복하는 프리코팅 공정, 및 프리코팅 공정 후, 피처리 기판(W)을 처리실(21)내에 반입하여 피처리 기판(W) 상에 주요막을 형성하는 성막 공정을 포함한다. 프리코팅 공정은 제 1 및 제 2 공정을 여러회 반복함으로써, 복수의 세그먼트막을 적층하여 프리코팅을 형성한다. 제 1 공정에서는 제 1 및 제 2 처리 가스를 처리실(21)내에 공급하여, 탑재대(32) 상에 금속 원소를 포함하는 세그먼트막을 형성한다. 제 2 공정에서는, 금속 원소를 포함하지 않는 제 2 처리 가스를 처리실(21)내에 공급하여, 제 1 공정에서 생성된 세그먼트막을 형성하는 성분 이외의 부 생성물을 배기에 의해 처리실(21)로부터 제거한다.

    Abstract translation: 用于半导体加工的成膜方法包括：预涂覆步骤，用于在将待处理的衬底（W）输送至处理室之前通过预涂覆来涂覆载置台（32）;以及用于输送衬底（W）的步骤， 在预涂层步骤之后加工到处理室（21）中并在待处理的衬底（W）上形成主膜。 预涂层步骤多次重复第一和第二步骤，使得多个分段膜叠加以形成预涂层。 在第一步骤中，将第一和第二处理气体供应到处理室（21）中，并且在载置台（32）上形成包含金属元素的分段膜。 在第二步骤中，将不含金属元素的第二处理气体供给到处理室（21）中，并且将第一步骤中生成的用于形成节段膜的组件以外的副产物从处理室（21）中移除 排气。

    플라즈마 ＣＶＤ를 이용한 성막 방법 및 장치
    6.
    发明授权
    플라즈마 ＣＶＤ를 이용한 성막 방법 및 장치 有权
    使用等离子体CVD的成膜方法和设备

    公开(公告)号：KR100788060B1

    公开(公告)日：2007-12-21

    申请号：KR1020077016175

    申请日：2003-12-04

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다다구니히로 ,  요코이히로아키 ,  와카바야시사토시 ,  나루시마겐사쿠

    IPC: C23C16/455 ,  H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/50 ,  H01L21/28562

    Abstract: 플라즈마 CVD를 이용하여 피처리 기판(W) 상에 소정 박막을 형성하는 성막 방법은 제 1 및 제 2 단계를 교대로 1회 이상씩 실시한다. 제 1 단계에서는 기판(W)을 수납하는 처리 챔버(51) 내에 박막의 성분을 포함하는 화합물 가스와 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 1 플라즈마를 생성한다. 제 2 단계에서는 제 1 단계에 이어서, 처리 챔버(51) 내에 상기 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 2 플라즈마를 생성한다.

    Abstract translation: 通过使用等离子体CVD在待处理的基板（W）上形成预定薄膜的成膜方法是交替地执行第一和第二步骤一次或多次。 在第一工序中，一边向容纳基板W的处理室51内供给含有薄膜成分和还原性气体的化合物气体，一边在处理室51内生成第一等离子体。 在第二步骤中，在第一步骤之后，在处理室51中产生第二等离子体，同时向处理室51中供应还原气体。

    반도체 처리용의 성막 방법
    8.
    发明授权
    반도체 처리용의 성막 방법 有权
    薄膜形成方法用于半导体处理

    公开(公告)号：KR100606398B1

    公开(公告)日：2006-07-31

    申请号：KR1020047003562

    申请日：2003-07-11

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 요코이히로아키 ,  젠코데쓰 ,  아시자와히로아키 ,  하시모토쓰요시

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/4404

    Abstract: A film formation method for semiconductor processing includes a pre-coat step for coating a placing table (32) by a pre-coat before conveying a substrate (W) to be processed into a processing chamber and a step for conveying the substrate (W) to be processed into the processing chamber (21) after the pre-coat step and forming a main film on the substrate (W) to be processed. The pre-coat step repeats a first and a second step a plurality of times so that a plurality of segment films are superimposed to form a pre-coat. In the first step, a first and a second processing gas are supplied into a processing chamber (21) and a segment film containing a metal element is formed on the placing table (32). In the second step, a second processing gas not containing a metal element is supplied into the processing chamber (21) and a byproduct other than the component to form the segment film generated in the first step is removed from the processing chamber (21) by exhaust of air.

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