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公开(公告)号：KR101056428B1
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：KR1020090026537
申请日：2009-03-27
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L27/1248 , H01L27/3262 , H01L29/66757 , H01L29/78627
Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하며, 채널 영역, 이온을 포함하는 소오스/드레인 영역, 및 오프셋 영역을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 제 1 절연막; 상기 제 1 절연막 상에 위치하는 제 2 절연막; 및 상기 제 2 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층의 소오스/드레인 영역과 각각 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 소오스/드레인 영역 상의 상기 게이트 절연막 및 상기 제 1 절연막의 두께는 0 초과 내지 상기 소오스/드레인 영역에 포함된 이온의 수직 침투 깊이보다 작은 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.
오프셋 영역, 박막트랜지스터Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光显示器。
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公开(公告)号：KR1020100108070A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：KR1020090026537
申请日：2009-03-27
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/42384 , H01L27/1248 , H01L27/3262 , H01L29/66757 , H01L29/78627 , H01L27/1214 , H01L29/78618 , H01L29/78636
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and an organic electroluminescent display device thereof are provided to form an offset region according to a self-aligned method by executing an ion doping process after forming a first insulating layer. CONSTITUTION: A semiconductor layer(120) is formed on a substrate(100). A gate insulating layer(130) is formed on the semiconductor layer. A gate electrode(140) is formed on the gate insulating layer. A first insulating layer(150) is formed on the gate electrode. A second insulating layer(160) is formed on the first insulating layer. A source electrode and a drain electrode(171,172) are formed on the second insulating layer.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管及其制造方法及其有机电致发光显示装置，通过在形成第一绝缘层之后执行离子掺杂工艺，根据自对准方法形成偏移区域。 构成：半导体层（120）形成在基板（100）上。 在半导体层上形成栅极绝缘层（130）。 栅电极（140）形成在栅极绝缘层上。 在栅电极上形成第一绝缘层（150）。 在第一绝缘层上形成第二绝缘层（160）。 源电极和漏电极（171,172）形成在第二绝缘层上。
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