公开(公告)号：KR101094280B1

公开(公告)日：2011-12-19

申请号：KR1020090108062

申请日：2009-11-10

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이원규 ,  조규식 ,  양태훈 ,  추병권 ,  문상호 ,  최보경 ,  박용환 ,  최준후 ,  신민철 ,  이윤규

IPC: H01L51/52 ,  H01L29/786 ,  G09G3/30

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/3262 ,  H01L2227/323

Abstract: An organic light emitting diode (OLED) display device and a method of fabricating the same are disclosed. The OLED display device includes a plurality of scan lines, a plurality of data lines, and a plurality of pixels disposed in a region in which the scan lines cross the data lines, where each pixel of the plurality of pixels includes: a switching transistor including a first gate electrode, a first semiconductor layer disposed over the first gate electrode, a first gate insulating layer interposed between the first gate electrode and the first semiconductor layer, a first source electrode and a first drain electrode, a driving transistor including a second semiconductor layer, a second gate electrode disposed over the second semiconductor layer, a second gate insulating layer interposed between the second gate electrode and the second semiconductor layer, a second source electrode and a second drain electrode, and an organic light emitting diode electrically connected with the second source and second drain electrodes of the driving transistor, where the first and second semiconductor layers are formed of the same material, and from the same processing.

公开(公告)号：KR101073550B1

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020090103683

申请日：2009-10-29

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  정윤모 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  백원봉 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  정재완

IPC: H01L21/324

CPC classification number: F27B17/0025 ,  H01L21/67109

Abstract: 따라서, 공정챔버내부의온도산포를최소화할수 있고, 기판의모든영역에균일한열을공급할수 있다.

公开(公告)号：KR101049802B1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：KR1020090112770

申请日：2009-11-20

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이동현 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  정윤모 ,  박병건 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경 ,  소병수

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘층의 제조방법, 박막트랜지스터, 그를 포함하는 유기전계발광표시장치 및 그들의 제조방법에 관한 것으로써, 더 상세하게는 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 금속촉매층을 형성하고, 상기 금속촉매층의 금속촉매를 버퍼층으로 확산시키고, 상기 금속촉매층을 제거하고, 상기 버퍼층 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화시키는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법에 관한 것이다.
그리고 기판; 상기 기판 상에 위치하는 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 위치하는 반도체층; 상기 반도체층을 포함하는 기판상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 및 상기 반도체층과 전기적으로 연결되는 소스/드레인 전극을 포함하며, 상기 버퍼층과 상기 반도체층이 접촉하는 계면에 금속실리사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 및 그의 제조방법에 관한 것이며, 상기 박막트랜지스터를 구비하는 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
다결정 실리콘, 금속촉매

Abstract translation: 本发明的缓冲涉及制造多晶硅层，薄膜晶体管，有机发光显示装置，包括它们和它们的制备方法，并且更具体地提供基板，在基板上形成的缓冲层的方法; 上形成金属催化剂层，和涂布金属催化剂层到缓冲层中的金属催化剂，通过加热衬底，以多晶去除金属催化剂层，和缓冲器相和非晶硅层上的无定形硅层的硅 多晶硅层的层被结晶。

公开(公告)号：KR1020110046955A

公开(公告)日：2011-05-06

申请号：KR1020090103683

申请日：2009-10-29

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  정윤모 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  백원봉 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  정재완

IPC: H01L21/324

CPC classification number: F27B17/0025 ,  H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A device for processing a substrate by heat is provided to separate and control each heater, thereby minimizing temperature spreading in a process chamber. CONSTITUTION: A plurality of substrates(10) is loaded in a boat(20). The boat is inputted into a process chamber(30). A heater chamber(50) applies heat to the process chamber. A base plate(60) supports the boat. A gas injecting hole(70) is connected to a gas supply source. A gas discharging hole(80) is connected to a vacuum pump to discharge by-products and residual gases to the outside.

Abstract translation: 目的：提供用于通过加热处理基板的装置，以分离和控制每个加热器，从而最小化处理室中的温度扩散。 构成：将多个基板（10）装载在船（20）中。 船被输入到处理室（30）中。 加热器室（50）向处理室施加热量。 基板（60）支撑船。 气体注入孔（70）与气体供给源连接。 气体排出孔（80）连接到真空泵以将副产物和残余气体排放到外部。

公开(公告)号：KR1020110045625A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：KR1020090102278

申请日：2009-10-27

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 추병권 ,  조규식 ,  이원규 ,  박용환 ,  문상호 ,  양태훈 ,  최준후 ,  신민철 ,  최보경 ,  이윤규

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L21/32055 ,  H01L29/45

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and an organic light emitting display device with the same are provided to form a protective layer on an active layer to prevent an electrical property change due to damage or contamination of the active layer, thereby obtaining a stable threshold voltage property. CONSTITUTION: A gate electrode(12) is formed on a substrate. A gate insulating layer with the gate electrode is formed on the substrate. An active layer is formed on the gate insulating layer. A source electrode(20a) is formed on the active layer. A drain electrode(20b) surrounds at least three sides of the source electrode on the active layer.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管及其有机发光显示装置，以在有源层上形成保护层，以防止由于有源层的损坏或污染引起的电特性变化，从而获得稳定的阈值电压特性 。 构成：在基板上形成栅电极（12）。 在基板上形成具有栅电极的栅极绝缘层。 在栅极绝缘层上形成有源层。 源极电极（20a）形成在有源层上。 漏电极（20b）围绕有源层上的源电极的至少三个侧面。

公开(公告)号：KR1020100114717A

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：KR1020090033235

申请日：2009-04-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정윤모 ,  양태훈 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  백원봉 ,  정재완

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus is provided to uniformly heat the inside of a processing chamber by installing the upper heating unit, an external heating unit and a middle part heating unit. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus includes a processing chamber(120), a boat(110), an external heating unit(130), and a transporting unit(140). A plurality of substrates is loaded on the boat. The external heating unit is placed on the external side of the processing chamber. The transporting unit transports the boat with respect to the processing chamber and includes a lower heating unit. A middle part heating unit is placed on the center part of the boat.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，通过安装上部加热单元，外部加热单元和中间加热单元来均匀地加热处理室的内部。 构成：基板处理装置包括处理室（120），船（110），外部加热单元（130）和输送单元（140）。 多个基板装载在船上。 外部加热单元被放置在处理室的外侧。 运输单元相对于处理室传送船，并且包括下加热单元。 中间部分加热单元放置在船的中心部分。

公开(公告)号：KR1020100100187A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：KR1020090018928

申请日：2009-03-05

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이길원 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  박병건 ,  리사첸코,막심 ,  안지수 ,  김영대 ,  윤상연 ,  박종력 ,  최보경 ,  정윤모 ,  정민재 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: PURPOSE: A polycrystalline silicon manufacturing is provided to improve the charge mobility of crystallized polycrystalline silicon layer by using hydrogen gas as the carrier gas during forming the amorphous silicon layer. CONSTITUTION: A buffer layer(110) is formed on a substrate(100). An amorphous silicon layer(120) is formed on the buffer layer. A capping layer(130) is formed on the amorphous silicon layer. A crystallization guiding metal layer(140) is formed by depositing the crystallization guiding metal on the capping layer.

Abstract translation: 目的：提供多晶硅制造，以在形成非晶硅层期间通过使用氢气作为载气来提高结晶多晶硅层的电荷迁移率。 构成：在衬底（100）上形成缓冲层（110）。 在缓冲层上形成非晶硅层（120）。 在非晶硅层上形成覆盖层（130）。 结晶导向金属层（140）通过将结晶引导金属沉积在覆盖层上而形成。

公开(公告)号：KR101073557B1

公开(公告)日：2011-10-14

申请号：KR1020090113887

申请日：2009-11-24

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 양태훈 ,  이기용 ,  서진욱 ,  박병건 ,  정윤모 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  백원봉 ,  소병수 ,  홍종원 ,  정민재 ,  나흥열 ,  마이단축이반 ,  강유진 ,  장석락

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/185 ,  C23C14/34 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3435 ,  H01J37/3438

Abstract: 본발명은제 1 영역및 제 2 영역을포함하는공정챔버; 상기공정챔버의내측에위치하는금속타겟; 상기금속타겟을이동시키며, 상기금속타겟으로부터방출되는금속촉매의진행방향을제어하기위한제 1 쉴드를포함하는타겟이송부; 및상기제 2 영역에상기금속타겟과대향되도록위치하는기판홀더를포함하며, 상기기판홀더에안착되는기판과금속타겟사이의직선거리와상기제 1 쉴드의길이의차이는 3cm 이하인것을특징으로하는스퍼터링장치에관한것이다.

Abstract translation: 本发明提供了一种处理室，包括：包括第一区域和第二区域的处理室; 位于处理室内的金属靶; 以及第一护罩，用于移动金属靶并控制从金属靶发射的金属催化剂的行进方向; 并且，在所述第二区域中与所述金属靶相对配置的基板支架的基板与配置在所述基板支架上的金属靶的直线距离与所述第一屏蔽件的长度之差为3cm以下 对溅射装置。

公开(公告)号：KR1020110083337A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：KR1020100003515

申请日：2010-01-14

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이원규 ,  양태훈 ,  최보경 ,  추병권 ,  문상호 ,  조규식 ,  박용환 ,  최준후 ,  신민철 ,  이윤규

IPC: H01L51/50 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66742 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/3262 ,  H01L2227/323 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2033 ,  H05B33/10

Abstract: PURPOSE: An organic light emitting diode display device and a manufacturing method thereof are provided to precisely control the growth of a first crystallization area by an inclination thickness part of an insulating layer pattern, thereby effectively crystallizing a part of a crystallization semiconductor layer used in one thin film transistor. CONSTITUTION: An insulating layer pattern(120) is formed on a substrate body(111). The insulating layer pattern includes a first thickness part(121) and a second thickness part(122) thinner than the first thickness part. A polycrystalline semiconductor layer(130) is formed on the insulating layer pattern. The polycrystalline semiconductor layer is classified into a first crystallization area(131) and the second crystallization area(132). The second crystallization area is crystallized into a solid phase.

Abstract translation: 目的：提供一种有机发光二极管显示装置及其制造方法，以通过绝缘层图案的倾斜厚度部分精确地控制第一结晶区域的生长，从而有效地结晶一个结晶半导体层的一部分 薄膜晶体管。 构成：在基板主体（111）上形成绝缘层图案（120）。 绝缘层图案包括比第一厚度部分薄的第一厚度部分（121）和第二厚度部分（122）。 在绝缘层图案上形成多晶半导体层（130）。 多晶半导体层分为第一结晶区域（131）和第二结晶区域（132）。 第二结晶区域结晶成固相。

公开(公告)号：KR101050467B1

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：KR1020100034388

申请日：2010-04-14

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  서진욱 ,  이길원 ,  최보경

IPC: H01L29/786 ,  H01L51/05 ,  H01L51/50 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L27/3262

Abstract: PURPOSE: A polysilicon layer, a manufacturing method thereof, a thin film transistor using the same, and an organic light emitting display device are provided to increase the amount of on-current and to reduce leakage current by using a polysilicon layer as an active layer. CONSTITUTION: An amorphous silicon layer is formed on a buffer layer above a substrate. A catalyst metal layer is formed on the amorphous silicon layer so as to obtain the density of 1011-1015 atom/cm2. The catalytic metal of the catalyst metal layer is diffused into the amorphous silicon layer and a crystallization seed having a shape of a pyramid is formed on an interface between the amorphous silicon layer and the buffer layer. A silicon crystal is grown by the crystallization seed so as to form the polysilicon layer.

Abstract translation: 目的：提供多晶硅层及其制造方法，使用其的薄膜晶体管和有机发光显示装置，以通过使用多晶硅层作为有源层来增加导通电流量并减少漏电流 。 构成：在衬底上方的缓冲层上形成非晶硅层。 在非晶硅层上形成催化剂金属层，得到1011〜1015原子/ cm 2的密度。 催化剂金属层的催化金属扩散到非晶硅层中，并且在非晶硅层和缓冲层之间的界面上形成具有金字塔形状的结晶晶种。 通过结晶晶种生长硅晶体，以形成多晶硅层。