公开(公告)号：KR101056429B1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：KR1020100023506

申请日：2010-03-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  서진욱 ,  이기용 ,  정윤모 ,  박종력 ,  이탁영 ,  이동현 ,  이길원 ,  소병수 ,  정민재 ,  손용덕 ,  박승규 ,  정재완

IPC: H01L51/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/326 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/0248

Abstract: PURPOSE: A display device and a manufacturing method thereof are provided to minimize the decreasing of a semiconductor chip characteristic by static electricity which is generated in a manufacturing process. CONSTITUTION: A semiconductor layer(136) is located on a substrate. A second semiconductor layer(137) is located on the substrate and is adjacent to a first semiconductor layer. The first insulation layer is located on the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and includes a first opening part(161) which forms a space between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. A second insulation layer is located on the first insulation layer and fills the first opening.

Abstract translation: 目的：提供一种显示装置及其制造方法，以使制造工艺中产生的静电的半导体芯片特性的降低最小化。 构成：半导体层（136）位于衬底上。 第二半导体层（137）位于衬底上并与第一半导体层相邻。 第一绝缘层位于第一半导体层和第二半导体层上，并且包括在第一半导体层和第二半导体层之间形成空间的第一开口部分（161）。 第二绝缘层位于第一绝缘层上并填充第一开口。

公开(公告)号：KR101056428B1

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：KR1020090026537

申请日：2009-03-27

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  이기용 ,  김현규 ,  리사첸코,막심 ,  이동현 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78627

Abstract: 본 발명은 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판; 상기 기판 상에 위치하며, 채널 영역, 이온을 포함하는 소오스/드레인 영역, 및 오프셋 영역을 포함하는 반도체층; 상기 반도체층 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 제 1 절연막; 상기 제 1 절연막 상에 위치하는 제 2 절연막; 및 상기 제 2 절연막 상에 위치하며, 상기 반도체층의 소오스/드레인 영역과 각각 전기적으로 연결되는 소오스/드레인 전극을 포함하며, 상기 소오스/드레인 영역 상의 상기 게이트 절연막 및 상기 제 1 절연막의 두께는 0 초과 내지 상기 소오스/드레인 영역에 포함된 이온의 수직 침투 깊이보다 작은 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터, 그의 제조방법, 및 이를 포함하는 유기전계발광표시장치를 제공한다.
오프셋 영역, 박막트랜지스터

Abstract translation: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光显示器。

公开(公告)号：KR1020100108070A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：KR1020090026537

申请日：2009-03-27

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  이기용 ,  김현규 ,  리사첸코,막심 ,  이동현 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78627 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78636

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and an organic electroluminescent display device thereof are provided to form an offset region according to a self-aligned method by executing an ion doping process after forming a first insulating layer. CONSTITUTION: A semiconductor layer(120) is formed on a substrate(100). A gate insulating layer(130) is formed on the semiconductor layer. A gate electrode(140) is formed on the gate insulating layer. A first insulating layer(150) is formed on the gate electrode. A second insulating layer(160) is formed on the first insulating layer. A source electrode and a drain electrode(171,172) are formed on the second insulating layer.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管及其制造方法及其有机电致发光显示装置，通过在形成第一绝缘层之后执行离子掺杂工艺，根据自对准方法形成偏移区域。 构成：半导体层（120）形成在基板（100）上。 在半导体层上形成栅极绝缘层（130）。 栅电极（140）形成在栅极绝缘层上。 在栅电极上形成第一绝缘层（150）。 在第一绝缘层上形成第二绝缘层（160）。 源电极和漏电极（171,172）形成在第二绝缘层上。

公开(公告)号：KR1020100099618A

公开(公告)日：2010-09-13

申请号：KR1020090018201

申请日：2009-03-03

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박병건 ,  양태훈 ,  서진욱 ,  이기용 ,  리사첸코,막심 ,  최보경 ,  이대우 ,  이길원 ,  이동현 ,  박종력 ,  안지수 ,  김영대 ,  나흥열 ,  정민재 ,  정윤모 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정재완 ,  윤상연

IPC: H01L29/786 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L27/1214

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method for manufacturing the same, and an organic light emitting diode display apparatus including the same are provided to eliminate metal catalyst on a semiconductor layer by performing a gettering process. CONSTITUTION: A buffer layer(310) is located on a substrate(300). A semiconductor layer(320) is located on the buffer layer. A gate electrode(340) is formed on a part which corresponds to the channel region of the semiconductor layer. A gate insulating film(330) insulates the gate electrode from the semiconductor layer. An interlayer insulating film(350) is located over the entire surface of the substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置，以通过进行吸气处理来消除半导体层上的金属催化剂。 构成：缓冲层（310）位于衬底（300）上。 半导体层（320）位于缓冲层上。 在与半导体层的沟道区对应的部分上形成栅电极（340）。 栅极绝缘膜（330）使栅电极与半导体层绝缘。 层间绝缘膜（350）位于基板的整个表面上。

公开(公告)号：KR101155905B1

公开(公告)日：2012-07-03

申请号：KR1020090018490

申请日：2009-03-04

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  정민재 ,  홍종원 ,  정윤모 ,  강유진 ,  장석락 ,  서진욱 ,  안지수 ,  양태훈 ,  김영대 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  정재완 ,  박종력 ,  최보경 ,  윤상현

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45544 ,  C23C16/042 ,  C30B25/165 ,  C30B35/00

Abstract: 본 발명은 원자층 증착 장비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법에 관한 것으로, 원자층 증착 공정 시 기판이 챔버의 내부 온도에 의해 기판이 변형되는 것을 방지하며, 상기 기판 상에 균일하게 원자층을 형성할 수 있는 원자층 증착 장비 및 이를 이용한 원자층 증착 방법에 관한 것이다.
본 발명은 챔버; 상기 챔버의 내부 압력을 제어하기 위한 진공 펌프; 상기 진공 펌프와 대향되도록 위치하며, 상기 챔버 내부로 반응 가스를 공급하기 위한 가스 공급 수단; 상기 진공 펌프와 가스 공급 수단 사이에 위치하며, 가열 수단이 내장된 기판 홀더; 상기 기판 홀더와 가스 공급 수단 사이에 위치하며, 가장 자리에 냉각액이 이동하기 위한 냉각 통로가 내장된 마스크 조립체; 및 상기 마스크 조립체의 냉각 통로에 냉각액을 공급하기 위한 냉각원을 포함하는 원자층 증착 장비에 관한 것이다.
또한, 본 발명은 가열 수단이 내장된 기판 홀더에 기판을 안착하고, 상기 기판과 제 1 거리만큼 이격되도록 냉각 통로가 내장된 마스크 조립체를 위치시키고, 상기 마스크 조립체의 냉각 통로에 냉각액을 공급하고, 상기 기판 홀더의 가열 수단을 이용하여 상기 기판을 가열하고, 진공 펌프를 이용하여 챔버 내부를 일정 압력으로 제어하고, 가스 공급 수단을 통해 제 1 반응 가스 및 제 2 반응 가스를 순차 공급하는 것을 포함하는 원자층 증착 방법에 관한 것이다.
원자층 증착 장비, 마스크 조립체

公开(公告)号：KR1020110104795A

公开(公告)日：2011-09-23

申请号：KR1020100023901

申请日：2010-03-17

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 손용덕 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  소병수 ,  박승규 ,  이길원 ,  정윤모 ,  박병건 ,  이동현 ,  박종력 ,  이탁영 ,  정재완

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78606

Abstract: 박막 트랜지스터, 이를 구비한 표시 장치, 및 그 제조 방법들에서, 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 액티브층과, 상기 액티브층의 일부 영역 위에 형성된 게이트 절연막 패턴과, 상기 게이트 절연막 패턴의 일부 영역 위에 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 절연막 패턴 및 상기 게이트 전극을 덮는 식각 방지막 패턴, 그리고 상기 액티브층 및 상기 식각 방지막 패턴 위에 형성된 소스 부재 및 드레인 부재를 포함한다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的薄膜晶体管包括形成在衬底上的有源层，形成在有源层的部分区域上的栅极绝缘膜图案， 形成在图案的一部分上的栅电极，覆盖栅极绝缘膜图案和栅电极的蚀刻防止膜图案以及形成在有源层和蚀刻防止膜图案上的源极部件和漏极部件。

公开(公告)号：KR101049801B1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：KR1020090018927

申请日：2009-03-05

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정윤모 ,  이기용 ,  정민재 ,  서진욱 ,  홍종원 ,  나흥열 ,  강유진 ,  장석락 ,  양태훈 ,  안지수 ,  김영대 ,  박병건 ,  이길원 ,  이동현 ,  윤상연 ,  박종력 ,  최보경 ,  리사첸코,막심

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C14/04 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672

Abstract: 본 발명은 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치에 관한 것이다.
본 발명은 기판 상에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층이 형성된 상기 기판을 친수성 가스 또는 소수성 가스 분위기에 위치시키고, 상기 비정질 실리콘층 상에 개구부 및 폐쇄부를 구비하는 마스크를 위치시키고, 상기 마스크를 통하여 UV 램프를 상기 비정질 실리콘층 상에 조사하고, 상기 비정질 실리콘층 상에 결정화 유도 금속을 형성하고, 상기 기판을 열처리하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘층으로 결정화하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘층의 제조방법 및 이에 이용되는 원자층 증착 장치를 제공한다.
결정화, 친수성, 소수성

Abstract translation: 本发明涉及制造多晶硅层的方法和为此使用的原子层沉积设备。

公开(公告)号：KR101041147B1

公开(公告)日：2011-06-13

申请号：KR1020100031962

申请日：2010-04-07

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 손용덕 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  소병수 ,  박승규 ,  이길원 ,  정윤모 ,  박병건 ,  이동현 ,  박종력 ,  이탁영 ,  정재완

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L27/1214

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor including a multi crystal semiconductor layer, a method for manufacturing an active layer of the thin film transistor and a display device are provided to prevent the deterioration of a semiconductor property due to the concentration difference of metal catalyst by forming first and second multi crystal semiconductor layers with a third width by using the diffusion of the metal catalyst. CONSTITUTION: A buffer layer(120) is formed on a substrate(111). A first polycrystalline semiconductor layer(136) is formed on the buffer layer. A metal catalyst(125) is adjacent to the first polycrystalline semiconductor layer. A second polycrystalline semiconductor layer(137) is formed on the first polycrystalline semiconductor layer. The first and second polycrystalline semiconductor layers are crystallized through metal catalyst.

Abstract translation: 目的：提供一种包括多晶半导体层的薄膜晶体管，制造薄膜晶体管的有源层的方法和显示装置，以防止由于金属催化剂的浓度差而导致的半导体特性劣化 以及通过使用金属催化剂的扩散而具有第三宽度的第二多晶半导体层。 构成：在衬底（111）上形成缓冲层（120）。 在缓冲层上形成第一多晶半导体层（136）。 金属催化剂（125）与第一多晶半导体层相邻。 在第一多晶半导体层上形成第二多晶半导体层（137）。 第一和第二多晶半导体层通过金属催化剂结晶。

公开(公告)号：KR101041143B1

公开(公告)日：2011-06-13

申请号：KR1020090033235

申请日：2009-04-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 나흥열 ,  이기용 ,  서진욱 ,  정민재 ,  홍종원 ,  강유진 ,  장석락 ,  정윤모 ,  양태훈 ,  소병수 ,  박병건 ,  이동현 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경 ,  마이단축이반 ,  백원봉 ,  정재완

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67109

Abstract: 본 발명은 다수의 기판에 동시에 열처리 또는 박막을 형성하기 위한 기판 가공 장치에 관한 것으로, 가공 공정이 진행되는 가공 챔버 내부가 균일하게 가열되도록 함으로써, 상기 가공 챔버에 반입되며, 상기 보트에 적층되는 다수의 기판에 균일한 박막을 형성하거나, 균일하게 열처리할 수 있는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
본 발명은 가공 챔버; 다수의 기판이 적층된 보트; 상기 가공 챔버의 외측에 위치하는 외부 가열 수단; 및 상기 보트를 상기 가공 챔버 내부로 반입 및 반출시키며, 하부 가열 수단을 포함하는 이송부를 포함하며, 상기 보트는 기판이 적층된 방향으로 중심부에 중앙 가열 수단이 위치하는 것을 특징으로 하는 기판 가공 장치에 관한 것이다.
기판 가공 장치, 중앙 가열 수단

公开(公告)号：KR1020110056084A

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：KR1020090112770

申请日：2009-11-20

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이동현 ,  이기용 ,  서진욱 ,  양태훈 ,  정윤모 ,  박병건 ,  이길원 ,  박종력 ,  최보경 ,  소병수

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: PURPOSE: A fabricating method of polysilicon, a thin film transistor, fabricating method for the same, organic light emitting diode display device comprising the same and fabricating method for the same are provided to improve the property of a semiconductor layer by minimizing the amount of metal silicide and metallic catalyst within an amorphous silicon layer. CONSTITUTION: In a fabricating method of polysilicon, a thin film transistor, fabricating method for the same, organic light emitting diode display device comprising the same and fabricating method for the same, a buffer layer(110) is formed on a substrate(100). A metal catalytic layer(115) is formed on the buffer layer. The metallic catalyst of the metal catalytic layer is expanded to the buffer layer. The metal catalytic layer is removed. The amorphous silicon layer is formed on the buffer layer. An amorphous silicon layer is hardened to be polycrystalline silicon layer by thermal-processing the substrate.

Abstract translation: 目的：提供多晶硅的制造方法，薄膜晶体管，其制造方法，其制造方法及其制造方法及其制造方法，以通过使金属的量最小化来提高半导体层的性能 非晶硅层内的硅化物和金属催化剂。 构成：在多晶硅的制造方法中，薄膜晶体管及其制造方法，包括该多晶硅的有机发光二极管显示装置及其制造方法，在基板（100）上形成缓冲层（110） 。 在缓冲层上形成金属催化剂层（115）。 金属催化剂层的金属催化剂扩展到缓冲层。 去除金属催化剂层。 在缓冲层上形成非晶硅层。 通过热处理衬底，非晶硅层被硬化为多晶硅层。