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公开(公告)号：KR101132075B1
公开(公告)日：2012-04-02
申请号：KR1020050039529
申请日：2005-05-11
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H05B33/10
Abstract: 본 발명은 기판과 인터페이스 패널의 연결을 용이하게 하기 위한 발광표시장치용 본딩장치 및 본딩방법에 관한 것이다.
본 발광표시장치용 본딩장치는 화상표시부와 패드부가 형성된 불투명한 기판; 상기 패드부와 연결되는 인터페이스 패널; 상기 기판 상부에 형성되어 상기 기판측으로 광원을 조사하는 상부조명수단; 상기 기판 상부에 형성되어 상기 상부조명수단으로부터 상기 패드부측으로 광원이 조사될 때 상기 패드부를 촬영하여 상기 촬영된 패드부 화상을 저장하는 적어도 하나의 상부촬영수단; 상기 패드부 상에 상기 인터페이스 패널을 정렬시킬 때, 상기 기판 하부에서 상기 기판과 상기 인터페이스 패널측으로 광원을 조사하는 적어도 하나의 하부 조명수단을 포함한다.
이에 따라, 불투명한 기판과 인터페이스 패널의 연결을 용이하게 할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020090119446A
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：KR1020080045497
申请日：2008-05-16
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1343 , G02F1/13439 , G02F2001/136236 , H01L29/786
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a fabricating method of the thin film transistor are provided to form an etching protection film on a transparent semiconductor layer, thereby reducing damages of the transparent semiconductor layer during an etching process. CONSTITUTION: A gate electrode(110) is located on a substrate(100). A gate insulating film(120) is located on the gate electrode. A transparent semiconductor layer(130) is located on the gate insulating film. An etching protection film(140) is located in a part of the transparent semiconductor layer. Source/drain electrodes(150a,150b) expose a part of the etching protection film. The source/drain electrodes are located on the protection film. The source/drain electrodes are connected to the transparent semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法，以在透明半导体层上形成蚀刻保护膜，从而减少在蚀刻过程中透明半导体层的损伤。 构成：栅电极（110）位于衬底（100）上。 栅极绝缘膜（120）位于栅极上。 透明半导体层（130）位于栅极绝缘膜上。 蚀刻保护膜（140）位于透明半导体层的一部分中。 源/漏电极（150a，150b）暴露一部分蚀刻保护膜。 源极/漏极位于保护膜上。 源极/漏极连接到透明半导体层。
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公开(公告)号：KR100962989B1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080002610
申请日：2008-01-09
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 기판 상에 형성되며 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역과, 소스 영역 및 드레인 영역 표면부의 저항성 접촉영역을 포함하는 P형 산화물 반도체층, 채널 영역의 P형 산화물 반도체층과 중첩되며 게이트 절연막에 의해 P형 산화물 반도체층과 절연되는 게이트 전극 및 저항성 접촉영역을 통해 소스 영역 및 드레인 영역과 접촉되는 소스 및 드레인 전극을 포함하며, 저항성 접촉영역에 소스 및 드레인 전극보다 높고 P형 산화물 반도체보다 낮은 일함수를 갖는 금속 이온이 주입된다.
산화물 반도체, 산화아연, 일함수, 금속 이온, 저항성 접촉-
公开(公告)号：KR100958006B1
公开(公告)日：2010-05-17
申请号：KR1020080057250
申请日：2008-06-18
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/45
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성되며 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 제공하는 산화물 반도체층, 게이트 절연층에 의해 산화물 반도체층과 절연되는 게이트 전극, 소스 영역 및 드레인 영역의 산화물 반도체층 상에 형성된 저항성 접촉층, 및 저항성 접촉층을 통해 소스 영역 및 드레인 영역과 접속되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 저항성 접촉층이 소스 전극 및 드레인 전극보다 일함수가 낮은 금속으로 형성된다.
산화물 반도체, 산화아연, 일함수, 금속 전극, 접촉저항, 쇼트키 장벽Abstract translation: 本发明涉及一种具有薄膜晶体管，其制造方法，以及氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的平板显示装置，形成在基板中，用于提供沟道区，源区和漏区的氧化物半导体层上的薄膜晶体管 ，通过栅绝缘层的半导体层和绝缘栅电极，源区和接触层的漏极区，并经由连接到源极区上的欧姆接触层和漏区电极和漏电极的源极形成于所述半导体层的氧化物的氧化物的电阻 并且，欧姆接触层由功函数低于源电极和漏电极的金属形成。
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公开(公告)号：KR1020100015100A
公开(公告)日：2010-02-12
申请号：KR1020080076010
申请日：2008-08-04
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method of manufacturing the thin film transistor and a flat panel display device with the thin film transistor are provided to maintain a certain level of carrier concentration capable of maintaining a semiconductor characteristic. CONSTITUTION: An oxide semiconductor layer(18) is formed on a substrate(10). The oxide semiconductor layer includes a channel domain, a source domain and a drain domain. A gate electrode(14) is insulated with the oxide semiconductor layer by a gate insulating layer(16). A source electrode(20a)/a drain electrode(20b) is connected to the source/drain domain. The oxide semiconductor layer is made of the first thickness and the second thickness. The first thickness has the first carrier concentration. The second thickness has the second carrier concentration lower than the first carrier concentration.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，制造薄膜晶体管的方法和具有薄膜晶体管的平板显示装置，以保持能够保持半导体特性的一定水平的载流子浓度。 构成：在基板（10）上形成氧化物半导体层（18）。 氧化物半导体层包括沟道域，源极畴和漏极区。 栅电极（14）通过栅极绝缘层（16）与氧化物半导体层绝缘。 源电极（20a）/漏电极（20b）连接到源/漏域。 氧化物半导体层由第一厚度和第二厚度制成。 第一厚度具有第一载流子浓度。 第二厚度的第二载流子浓度低于第一载流子浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100873081B1
公开(公告)日：2008-12-09
申请号：KR1020070051994
申请日：2007-05-29
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78606 , G02F1/1368 , G02F2201/501 , G02F2202/10 , H01L27/12 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 산소를 포함하는 화합물 반도체를 반도체층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 절연 기판 상에 형성된 게이트 전극, 제 1 절연막에 의해 게이트 전극과 절연되며 채널 영역과 소스 및 드레인 영역을 제공하는 반도체층, 채널 영역의 반도체층 상에 형성된 확산 방지막, 수소 이온을 함유하며 소스 및 드레인 영역이 노출되도록 콘택홀이 형성된 제 2 절연막 및 콘택홀을 통해 소스 및 드레인 영역과 접촉되는 소스 및 드레인 전극을 포함하며, 소스 및 드레인 영역에 수소 이온이 함유된다.
화합물 반도체, 소스 및 드레인 영역, 수소 이온, 확산 방지막, 비저항-
公开(公告)号：KR1020060117589A
公开(公告)日：2006-11-17
申请号：KR1020050039529
申请日：2005-05-11
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H05B33/10
CPC classification number: H05B33/10 , G01N21/8806 , G01N21/8851
Abstract: A bonding device and a bonding method for a light emission device are provided to arrange connecting terminals of a substrate and an interface panel by using stored images after storing and capturing the image of a pad unit. In a bonding device(100) for a light emission device, an image displaying unit(111) and a pad unit(113) are formed at an opaque substrate(110). An interface panel(170) is connected with the pad unit(113). An upper part illuminating unit(140) formed at an upper side of the substrate(110) illuminates the substrate(110). At least one upper part photographing unit(130) formed at the upper part of the substrate(110) photographs the pad unit(113) when illuminating the pad unit(113) and stores the photographed image. At least one lower part illuminating unit(150) illuminates the substrate(110) and the interface panel(170) from a bottom of the substrate(110) when arranging the interface panel(170) at an upper side of the pad unit(113).
Abstract translation: 提供了用于发光器件的接合装置和接合方法，用于在存储和捕获衬垫单元的图像之后通过使用存储的图像来布置衬底和接口面板的连接端子。 在用于发光装置的接合装置（100）中，在不透明基板（110）处形成图像显示单元（111）和垫单元（113）。 接口面板（170）与垫单元（113）连接。 形成在基板（110）的上侧的上部照明单元（140）照射基板（110）。 形成在基板（110）的上部的至少一个上部拍摄单元（130）在照射垫单元（113）时拍摄垫单元（113）并存储所拍摄的图像。 当在衬垫单元（113）的上侧布置接口面板（170）时，至少一个下部照明单元（150）从衬底（110）的底部照射衬底（110）和接口面板（170） ）。
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公开(公告)号：KR1020090131402A
公开(公告)日：2009-12-29
申请号：KR1020080057250
申请日：2008-06-18
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/45 , H01L29/458 , G02F1/1368
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor, a method of manufacturing the thin film transistor and a flat panel display device with the thin film transistor are provided to lower contact resistance among source and drain electrodes and an oxide semiconductor layer, thereby improving an electric characteristic of a device. CONSTITUTION: An oxide semiconductor layer(14) is formed on a substrate and provides channel, source and drain regions. A gate electrode(12) is insulated from the oxide semiconductor layer by a gate insulating layer. An ohmic contact layer(15) is formed on the oxide semiconductor layer of the source and drain regions. Source and drain electrodes(16a,16b) are connected to the source and drain regions through the ohmic contact layer. The ohmic contact layer is formed by metal with a work function lower than the source and drain electrodes.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管，制造薄膜晶体管的方法和具有薄膜晶体管的平板显示装置，以降低源极和漏极和氧化物半导体层之间的接触电阻，从而改善薄膜晶体管的电特性 设备。 构成：在衬底上形成氧化物半导体层（14）并提供沟道，源极和漏极区域。 栅电极（12）通过栅极绝缘层与氧化物半导体层绝缘。 在源区和漏区的氧化物半导体层上形成欧姆接触层（15）。 源极和漏极电极（16a，16b）通过欧姆接触层连接到源极和漏极区域。 欧姆接触层由具有低于源极和漏极的功函数的金属形成。
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公开(公告)号：KR1020090076581A
公开(公告)日：2009-07-13
申请号：KR1020080002610
申请日：2008-01-09
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/3262 , H01L29/78618
Abstract: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and a flat panel display including the thin film transistor are provided, which can improve ohmic contact property of the drain electrode and the P-type oxide semiconductor layer. The P-type oxide semiconductor layer(13) is formed on the substrate(10). The P-type oxide semiconductor layer comprises the channel region, source area and drain domain, and the ohmic contact domain of the drain area surface part and source area. The gate electrode is overlapped with the P-type oxide semiconductor layer of the channel region. The gate electrode is insulated with the P-type oxide semiconductor layer by the gate insulating layer. The source electrode(15a) and drain electrode(15b) come in contact with source area and drain region through the ohmic contact domain.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管，其制造方法和包括薄膜晶体管的平板显示器，其可以改善漏电极和P型氧化物半导体层的欧姆接触特性。 P型氧化物半导体层（13）形成在基板（10）上。 P型氧化物半导体层包括沟道区域，源极区域和漏极区域以及漏极区域表面部分和源极区域的欧姆接触区域。 栅电极与沟道区的P型氧化物半导体层重叠。 栅电极通过栅极绝缘层与P型氧化物半导体层绝缘。 源极（15a）和漏电极（15b）通过欧姆接触区域与源极区域和漏极区域接触。
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公开(公告)号：KR1020090070887A
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：KR1020070139040
申请日：2007-12-27
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/78696
Abstract: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and a flat display device including the same are provided to form a semiconductor layer with low charge density by using a zinc oxide layer with an atomic deposition layer. A source/drain electrode is positioned on a substrate(100). A transparent semiconductor layer(110) is in contact with a source/drain electrode(150a,150b) and is made of a zinc oxide layer. A gate electrode(130) is insulated with the transparent semiconductor layer. A gate insulating layer(120) insulates the transparent semiconductor layer and the gate electrode. The transparent semiconductor layer is positioned on the substrate. The gate insulating layer is positioned on the transparent semiconductor layer. The gate electrode is positioned on the gate insulating layer.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法以及包括该薄膜晶体管的平板显示装置，通过使用具有原子沉积层的氧化锌层来形成具有低电荷密度的半导体层。 源极/漏电极位于衬底（100）上。 透明半导体层（110）与源极/漏极（150a，150b）接触并由氧化锌层构成。 栅电极（130）与透明半导体层绝缘。 栅极绝缘层（120）使透明半导体层和栅电极绝缘。 透明半导体层位于基板上。 栅极绝缘层位于透明半导体层上。 栅电极位于栅极绝缘层上。
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