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公开(公告)号：KR101660782B1
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：KR1020100073212
申请日：2010-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/306 , H01L27/108 , H01L29/10 , H01L23/485
CPC classification number: H01L27/10888 , H01L21/02057 , H01L21/02063 , H01L21/30608 , H01L21/76805 , H01L21/76814 , H01L21/76897 , H01L23/485 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L29/1037 , H01L29/41766 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 접촉면적을확장할수 있는콘택구조물을구비하는메모리소자가개시된다. 메모리소자는도전성구조물이배치된제1 영역및 제1 영역을한정하는제2 영역으로구분되고제1 영역의표면으로부터경사지게함몰되어제1 영역의기판표면으로부터기울어진적어도하나의경사면을내측면으로구비하는리세스를구비하는기판, 도전성구조물을덮도록기판상에배치되고리세스와연결되어제1 영역의일부를노출하는콘택홀을구비하는절연막및 콘택홀 및리세스를매립하는도전패턴을구비한다. 디자인룰의축소에따라패턴의선폭이나간격의줄어든다할지라도이로인한접촉저항의증가를충분히방지할수 있다.
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公开(公告)号：KR100794210B1
公开(公告)日：2008-01-11
申请号：KR1020060101159
申请日：2006-10-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/31111 , H01L21/67086 , H01L21/76224
Abstract: A method and an apparatus for etching a semiconductor substrate are provided to prevent a teflon coating from being delaminated from a crystal bath by forming the teflon coating while burying a groove formed on an inner wall of the crystal bath. An apparatus for etching a semiconductor substrate includes a bath(110) and a coating layer(120). A chemical for etching the semiconductor substrate is contained in the bath, which includes plural grooves formed on an inner wall thereof. The coating layer is formed on the inner wall of the bath to fill in the grooves. The coating layer prevents a chemical reaction between the chemical and the bath. The bath is made of quartz. The coating layer is made of a teflon. A diameter of an inter hole of the groove is greater than that of a bottom thereof.
Abstract translation: 提供一种用于蚀刻半导体衬底的方法和装置，以防止聚四氟乙烯涂层通过在形成在晶体槽的内壁上的沟槽的同时形成聚四氟乙烯涂层而从晶体槽分层。 用于蚀刻半导体衬底的设备包括浴（110）和涂层（120）。 用于蚀刻半导体衬底的化学品包含在浴中，其包括形成在其内壁上的多个凹槽。 在镀液的内壁上形成涂层以填充凹槽。 涂层防止化学品和浴液之间发生化学反应。 浴缸是由石英制成。 涂层由聚四氟乙烯制成。 槽的孔的直径大于其底部的直径。
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公开(公告)号：KR1020070064759A
公开(公告)日：2007-06-22
申请号：KR1020050125206
申请日：2005-12-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
Abstract: A method for manufacturing a nonvolatile semiconductor device is provided to improve a coupling ratio and to reduce the distribution of threshold voltages of each cell by using a U shaped floating gate structure. An active region is defined by forming an isolation pattern(110) on a semiconductor substrate(100). A tunnel oxide layer(115) is formed on the active region. A pre-floating gate(125) is formed on the tunnel oxide layer and the isolation pattern. A spacer(130) is formed at both sidewalls of the pre-floating gate. A floating gate is completed on the resultant structure by etching a bottom portion of the pre-floating gate using the spacer as an etch mask.
Abstract translation: 提供一种用于制造非易失性半导体器件的方法，以通过使用U形浮栅结构来提高耦合比并减小每个单元的阈值电压分布。 通过在半导体衬底（100）上形成隔离图案（110）来限定有源区。 在有源区上形成隧道氧化物层（115）。 在隧道氧化物层和隔离图案上形成预浮栅（125）。 在预浮置栅极的两个侧壁处形成间隔物（130）。 通过使用间隔物作为蚀刻掩模蚀刻预浮置栅极的底部，在所得结构上完成浮栅。
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公开(公告)号：KR1020070036465A
公开(公告)日：2007-04-03
申请号：KR1020050091501
申请日：2005-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L21/76232 , H01L29/66477
Abstract: 돌출된 소자분리막을 갖는 반도체소자의 제조방법을 제공한다. 이 방법은 반도체기판 내에 역경사진 측벽 프로파일을 갖고 상기 반도체기판으로부터 돌출된 예비 소자분리막을 형성하는 것을 구비한다. 상기 예비 소자분리막의 돌출부의 측벽 상에 측벽보호패턴을 형성한다. 상기 측벽보호패턴을 제거하여 메인 소자분리막을 형성한다. 이때, 상기 메인 소자분리막의 돌출부의 측벽이 상기 반도체기판의 상부면에 대하여 수직한 프로파일을 갖도록 한다.
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公开(公告)号：KR1020070000605A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：KR1020050056082
申请日：2005-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F7/423 , G03F7/422 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L28/90
Abstract: A photoresist treatment method for removing hydrophobic group from photoresist monomer is provided to clearly and promptly remove photoresist film from a substrate without damage or deterioration of the substrate by eliminating hydrophobic group from the photoresist monomer coated on the substrate using the first material produced by using water vapor and ozone. The treatment method comprises the steps of: using water vapor and ozone gas to generate first material which eliminates hydrophobic property of the group from photoresist monomer; washing the photoresist free from hydrophobic group with a rinsing material then converting the photoresist into water soluble photoresist. The monomer includes acryl or methacyl based polymer having a main skeleton consisting of carbon and carbon single bonds. The photoresist removal process comprises the steps of: eliminating the hydrophobic group from the photoresist monomer; adding a photoresist washing solution to the photoresist free from the hydrophobic group to form the water soluble photoresist; and rinsing the water soluble photoresist with water to remove the photoresist from a substrate.
Abstract translation: 提供了用于从光致抗蚀剂单体中除去疏水基团的光致抗蚀剂处理方法，通过使用通过使用水制备的第一种材料，从涂布在基材上的光致抗蚀剂单体除去疏水基团，从基材中清除并迅速地除去基材的光致抗蚀剂膜而不损坏或劣化基材 蒸汽和臭氧。 处理方法包括以下步骤：使用水蒸气和臭氧气体产生第一种材料，其消除基团的光致抗蚀剂单体的疏水性; 用漂洗材料洗涤不含疏水基团的光致抗蚀剂，然后将光致抗蚀剂转化为水溶性光致抗蚀剂。 单体包括具有由碳和碳单键组成的主骨架的丙烯酰基或甲基酰基聚合物。 光致抗蚀剂去除方法包括以下步骤：从光致抗蚀剂单体中除去疏水基团; 将光致抗蚀剂洗涤溶液添加到不含疏水基团的光致抗蚀剂上以形成水溶性光致抗蚀剂; 并用水冲洗水溶性光致抗蚀剂以从基底上除去光致抗蚀剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060120729A
公开(公告)日：2006-11-28
申请号：KR1020050042827
申请日：2005-05-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67034
Abstract: An apparatus for drying a substrate is provided to prevent contamination of the substrate due to contamination of isopropyl alcohol gas by suppressing occurrence of foreign materials. A dying process for a substrate is performed using an isopropyl alcohol gas in a dry chamber(114). A dry gas supply unit(160) supplies the isopropyl alcohol gas to the dry chamber. A supply pipeline(158) is connected between the dry chamber and the dry gas supply unit and is formed with a stainless steel material in order not to contaminate the isopropyl alcohol gas in the air. The dry chamber includes a nozzle(108) for supplying the isopropyl alcohol gas onto a substrate which is arranged within the dry chamber. The nozzle is formed with a plastic material.
Abstract translation: 提供一种用于干燥基板的装置，以防止由于异丙醇气体的污染而导致的基板的污染，从而抑制异物的发生。 在干燥室（114）中使用异丙醇气体进行基材的染色工艺。 干燥气体供应单元（160）将异丙醇气体供应到干燥室。 供水管道（158）连接在干燥室和干燥气体供应单元之间，并且用不锈钢材料形成，以便不污染空气中的异丙醇气体。 干燥室包括用于将异丙醇气体供给到布置在干燥室内的基板上的喷嘴（108）。 喷嘴由塑料材料形成。
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公开(公告)号：KR100520819B1
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：KR1020030011785
申请日：2003-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/12 , C11D7/08 , C11D11/0047 , C11D11/007 , C23G1/02 , H01L21/67028 , H01L21/67051 , H01L21/67057
Abstract: 상부 표면에 금속 박막 패턴을 갖는 반도체 기판을 세정하기 위한 방법이 개시되어 있다. 세정액으로서 탈이온수에 희석시킨 희석 황산수를 사용한다. 그리고, 상기 세정을 실시할 때 메가소닉을 상기 희석 황산수가 제공되는 기판에 전달한다. 이에 따라, 상기 희석 황산수에 의한 반응과 상기 메가소닉에 의한 반응을 통하여 상기 기판에 존재하는 오염 물질이 제거된다. 이와 같이, 상기 희석 황산수를 사용함으로서 상기 기판 특히, 상기 금속 배선을 갖는 기판에서 상기 금속 배선이 부식되는 것을 줄일 수 있고, 상기 메가소닉의 에너지에 의해 가해지는 기판의 손상을 줄일 수 있다.
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公开(公告)号：KR100301064B1
公开(公告)日：2001-11-01
申请号：KR1019990032313
申请日：1999-08-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10855 , H01L28/91
Abstract: 본발명의반도체소자의실린더형스토리지전극제조방법에따르면, 반도체기판위의층간절연막내에서반도체기판내의활성영역과연결되도록패드도전막을형성한다. 이어서그 패드도전막상에식각저지막으로서실리콘나이트라이드막을형성한다. 이어서실리콘나이트라이드막상에절연막을형성한다. 이어서절연막의일부를제거하여실리콘나이트라이드막의일부표면을노출시킨다. 이어서소정의식각액을이용한습식식각법을사용하여패드도전막의표면이노출되도록실리콘나이트라이드막의노출부분을제거한다. 이어서산화막및 노출된상기패드도전막의노출면에스토리지전극용도전층을형성한다. 그리고스토리지전극용도전층의상부, 산화막및 실리콘나이트라이드막를제거하여분리된실린더형스토리지전극을형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR100295061B1
公开(公告)日：2001-07-12
申请号：KR1019990029731
申请日：1999-07-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/24
CPC classification number: H01L21/02071 , H01L21/28114 , H01L21/32134 , H01L21/32137 , H01L21/76897 , H01L23/5258 , H01L29/42376 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 챔퍼가형성된실리사이드층을갖춘반도체소자및 그제조방법에관하여개시한다. 본발명에따른반도체소자는반도체기판상에형성된제1 절연막과; 상기제1 절연막위에형성된제1 도전층패턴과; 상기제1 도전층패턴위에형성되고, 상기반도체기판의주면에대하여실질적으로수직인프로파일을가지는하부에지와, 챔퍼(chamfer)가형성된상부에지를갖춘제2 도전층패턴으로이루어지는게이트구조와; 상기제2 도전층패턴위에형성되고, 제1 폭(W)을가지고상기제2 도전층패턴의상부에지보다돌출된측벽을가지는제2 절연막을포함한다. 본발명에따른반도체소자의제조방법에서는상기챔퍼가형성된상부에지의형상에대응하는윤곽을가지는언더컷영역을형성하기위하여, 포토레지스트패턴의애싱공정과동시에또는상기애싱공정에이어서동일챔버내에서연속적으로행해지는등방성건식에칭공정을이용한다. 또는, 포토레지스트패턴을상기애싱공정에의하여제거한후 단일의세정시스템내에서기존의스트립공정과연속적으로행해지는등방성습식식각공정을이용하는방법도가능하다.
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公开(公告)号：KR1019990049864A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970068868
申请日：1997-12-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 약액의 혼합시 격렬한 반응으로 약액이 반응조를 넘쳐 흐르는 현상을 방지할 수 있는 반도체 소자용 세정용액의 제조방법이 개시되어 있다. 우선 과산화수소(H
2 O
2 )를 반응조에 공급한다. 이어서, 상기 과산화수소에 소정량의 황산(H
2 SO
4 )을 1차 공급한다. 황산과 과산화수소의 반응이 종료되기를 기다린 후, 상기 결과물에 소정량의 H
2 SO
4 를 2차 공급한다.
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