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公开(公告)号：KR1020070000605A
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：KR1020050056082
申请日：2005-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F7/423 , G03F7/422 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L28/90
Abstract: A photoresist treatment method for removing hydrophobic group from photoresist monomer is provided to clearly and promptly remove photoresist film from a substrate without damage or deterioration of the substrate by eliminating hydrophobic group from the photoresist monomer coated on the substrate using the first material produced by using water vapor and ozone. The treatment method comprises the steps of: using water vapor and ozone gas to generate first material which eliminates hydrophobic property of the group from photoresist monomer; washing the photoresist free from hydrophobic group with a rinsing material then converting the photoresist into water soluble photoresist. The monomer includes acryl or methacyl based polymer having a main skeleton consisting of carbon and carbon single bonds. The photoresist removal process comprises the steps of: eliminating the hydrophobic group from the photoresist monomer; adding a photoresist washing solution to the photoresist free from the hydrophobic group to form the water soluble photoresist; and rinsing the water soluble photoresist with water to remove the photoresist from a substrate.
Abstract translation: 提供了用于从光致抗蚀剂单体中除去疏水基团的光致抗蚀剂处理方法，通过使用通过使用水制备的第一种材料，从涂布在基材上的光致抗蚀剂单体除去疏水基团，从基材中清除并迅速地除去基材的光致抗蚀剂膜而不损坏或劣化基材 蒸汽和臭氧。 处理方法包括以下步骤：使用水蒸气和臭氧气体产生第一种材料，其消除基团的光致抗蚀剂单体的疏水性; 用漂洗材料洗涤不含疏水基团的光致抗蚀剂，然后将光致抗蚀剂转化为水溶性光致抗蚀剂。 单体包括具有由碳和碳单键组成的主骨架的丙烯酰基或甲基酰基聚合物。 光致抗蚀剂去除方法包括以下步骤：从光致抗蚀剂单体中除去疏水基团; 将光致抗蚀剂洗涤溶液添加到不含疏水基团的光致抗蚀剂上以形成水溶性光致抗蚀剂; 并用水冲洗水溶性光致抗蚀剂以从基底上除去光致抗蚀剂。
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公开(公告)号：KR100492155B1
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：KR1020020046851
申请日：2002-08-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823443 , H01L21/02063 , H01L21/31111 , H01L21/823425 , H01L27/10888 , H01L27/10891 , H01L27/10894 , H01L29/665
Abstract: 반도체 소자의 실리사이드막 형성방법이 개시되어 있다. 실리콘이 존재하는 반도체 기판 상에 실리사이드 방지막 패턴을 형성하고, 상기 실리사이드 방지막 패턴을 열처리하여 경화시킨다. 상기 기판을 세정하여 실리사이드막 형성을 방해하는 자연 산화막을 제거하고, 상기 실리사이드 방지막 패턴이 노출시키는 실리콘이 드러난 영역에 실리사이드막을 형성한다. 이와 같이, 실리사이데이션 저지층을 열처리하여 경화시킴으로써 기판 세정시 침식되지 않아 실리사이드막 형성 영역을 정확하게 구분할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020000018499A
公开(公告)日：2000-04-06
申请号：KR1019980036103
申请日：1998-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: PURPOSE: A trench isolation method is provided to improve trench isolation properties and prevent a gate poly stringer by preventing a recess phenomenon of an oxidation preventing layer. CONSTITUTION: A pad oxide(32) and an active nitride(34) are sequentially formed on a semiconductor substrate(30). A trench(38) is formed by etching the active nitride, the pad oxide and the semiconductor substrate using a trench mask(36), and then a portion of the active nitride(34) formed at both sides of the trench(38) is removed by wet etching. A thermal oxide(42), an oxidation preventing nitride(44) and an HTO(hot thermal oxide) layer(46) are sequentially formed on the resultant structure. At this time, since the area of the active nitride(34) is reduced, the surface area of the insulating layers(44,46) is increased. Thereby, a recess of the oxidation preventing nitride(44) and the HTO layer(46) is substantially prevented.
Abstract translation: 目的：通过防止氧化防止层的凹陷现象，提供沟槽隔离方法以改善沟槽隔离性能并防止栅极多棱镜。 构成：在半导体衬底（30）上依次形成衬垫氧化物（32）和活性氮化物（34）。 通过使用沟槽掩模（36）蚀刻活性氮化物，衬垫氧化物和半导体衬底，然后形成在沟槽（38）的两侧的一部分活性氮化物（34）形成沟槽（38） 通过湿蚀刻去除。 在所得结构上依次形成热氧化物（42），防氧化氮化物（44）和HTO（热氧化物）层46。 此时，由于活性氮化物（34）的面积减少，所以绝缘层（44,46）的表面积增加。 由此，基本上防止了防氧化氮化物（44）和HTO层（46）的凹部。
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公开(公告)号：KR1019990086843A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019980020003
申请日：1998-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: 본 발명은 트렌치 격리 특성 저하를 방지하는 트렌치 격리 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 트렌치 식각 마스크가 형성된다. 트렌치 식각 마스크를 사용하여 반도체 기판이 식각 되어 트렌치가 형성된다. 트렌치 식각시 발생된 트렌치의 하부 및 양측벽의 손상층이 습식 식각으로 제거된다. 이와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 의해서, 트렌치 식각시 발생된 트렌치 내벽의 손상층을 제거함으로써, 트렌치 하부 및 상부의 에지 부위를 포함하여 트렌치 내벽이 라운드 형태의 프로파일을 갖도록 형성할 수 있고, 따라서 후속 플라즈마 처리시 트렌치 내벽에 가해지는 어택(attack)을 최소화 할 수 있으며, 트렌치 격리 특성 저하를 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100666380B1
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050045385
申请日：2005-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/31138 , B08B7/00 , B08B7/0035 , G03F7/427 , H01L28/91
Abstract: 하부전극의 열화 및 공정 시간의 증가 없이 개구 내에 잔류하는 포토레지스트를 제거하는 포토레지스트 제거 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법이 개시되어 있다. 포토레지스트가 잔류하는 기판의 표면으로 오존 증기를 제공한 후 상기 오존 증기를 이용하여 상기 기판에 잔류하는 포토레지스트를 산화 분해시킨다. 이후 린스 공정을 수행함으로써 산화 분해된 포토레지스트는 기판으로부터 모두 제거된다. 상기 방법은 기판의 손상 및 열화 없이 포토레지스트 패턴을 보다 빠른 시간 내에 깨끗이 제거할 수 있다.
Abstract translation: 公开了用于去除残留在开口中的光致抗蚀剂而不损坏下电极并且增加处理时间的光致抗蚀剂去除方法以及使用该方法制造半导体装置的方法。 将臭氧蒸汽供应到其上留有光刻胶的衬底表面，并且使用臭氧蒸气氧化分解残留在衬底上的光刻胶。 之后，通过执行漂洗过程从衬底去除氧化物分解的光致抗蚀剂。 该方法可以在较短的时间内干净地去除光致抗蚀剂图案而不损坏和劣化基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050060857A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：KR1020030092585
申请日：2003-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
Abstract: 리세스 채널 트랜지스터를 포함하는 집적 회로 소자의 제조방법에 대하여 개시한다. 본 발명의 일 실시예에 의한 집적 회로 소자의 제조방법은 먼저, 집적 회로 기판에 트렌치 소자 분리 영역을 형성하여 활성 영역을 정의하고, 이 활성 영역의 일부 및 그에 인접한 트렌치 소자 분리 영역을 노출시키는 라인 타입의 마스크 패턴을 실리콘 산화물로 형성한다. 그리고, 상기한 활성 영역보다 노출된 트렌치 소자 분리 영역이 리세스되도록 트렌치 소자 분리 영역 및 마스크 패턴을 희석화된 불화수소 또는 완충 산화막 식각액 등을 사용하여 습식 식각한 다음, 마스크 패턴의 측벽에 스페이서를 형성한다. 그리고, 상기한 마스크 패턴과 스페이서를 식각 마스크로 사용하여 게이트 트렌치를 형성하도록 활성 영역을 식각한 다음에, 형성된 게이트 트렌치를 매립하는 리세스 게이트를 형성한다.
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公开(公告)号：KR100277435B1
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019980036103
申请日：1998-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: 본 발명은 반도체 기판 상에 형성되는 소자의 전기적 분리를 위한 얕은 트렌치 형성에 있어서, 활성 질화막의 스트립시 산화 방지용 질화막이 리세스(recess)되는 것을 방지하는 새로운 트렌치 격리 형성 방법에 관한 것으로서, 반도체 기판 상에 형성된 활성 질화막 및 패드 산화막이 차례로 식각되어 트렌치 마스크가 형성된다. 상기 트렌치 마스크를 사용하여 상기 반도체 기판이 식각되어 트렌치가 형성된다. 상기 트렌치 양측의 상기 활성 질화막의 일부분이 습식 식각에 의해 제거된다. 상기 트렌치 내부, 즉 바닥 및 양측 벽 상에 열산화막이 형성된다. 상기 열산화막을 포함하여 상기 활성 질화막 상에 상기 트렌치 바닥 및 양측 벽의 산화를 방지하기 위한 산화 방지 질화막이 형성된다. 상기 산화 방지 질화막 상에 HTO막(hot thermal oxide layer,고온 산화막)이 형성된다. 상기 트렌치 내부를 완전히 채우도록 트렌치 충전막(trench fill layer)이 형성된다. 상기 트렌치 충전막이 평탄화 식각된다. 상기 활성 질화막 및 패드 산화막이 스트립된다. 이와 같은 반도체 장치 제조 방법에 의해, 활성 질화막의 스트립시, 산화 방지 질화막이 리세스 되는 현상을 방지할 수 있어, 후속 공정에서 게이트 폴리 스트링어(poly stringer)를 방지할 수 있으며, 따라서 트렌치의 전기적 격리 특성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020100026741A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：KR1020080085863
申请日：2008-09-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L27/10876 , H01L21/32134 , H01L21/823412 , H01L21/823437 , H01L21/823468
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device including a recessed channel is provided to prevent a bridge between metal nitride and poly-silicon from generating by selectively etching a lower conductive layer. CONSTITUTION: A gate oxide layer(114) is conformally formed on a semiconductor substrate in which a trench(112a) is formed. A gate structure including the stacked structure of a lower conductive layer pattern(116a), a poly-silicon layer pattern(118a), an upper conductive layer pattern(126a) and a mask is formed. A capping layer is formed on the gate structure and the substrate. A capping layer spacer is formed on the sidewall of the gate structure. Impurities are implanted to the substrate to form a source/drain using the capping layer spacer and the gate structure as a ion-implantation mask.
Abstract translation: 目的：提供一种制造包括凹陷通道的半导体器件的方法，以通过选择性地蚀刻下导电层来防止金属氮化物和多晶硅之间的桥接产生。 构成：在形成有沟槽（112a）的半导体衬底上共形地形成栅氧化层（114）。 形成包括下导电层图案（116a），多晶硅层图案（118a），上导电层图案（126a）和掩模的层叠结构的栅极结构。 在栅极结构和衬底上形成覆盖层。 在栅极结构的侧壁上形成覆盖层间隔物。 将杂质植入衬底中以形成源极/漏极，使用覆盖层间隔物和栅极结构作为离子注入掩模。
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公开(公告)号：KR100839349B1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020050056082
申请日：2005-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G03F7/423 , G03F7/422 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L28/90
Abstract: 오존 가스 및 수증기를 이용하는 포토레지스트 처리 방법 및 포토레지스트 제거 방법이 개시되어 있다. 수증기와 오존 가스를 사용하여 수득한 제1 물질을 사용하여 포토레지스트의 단량체로부터 소수성기를 이탈시킨다. 세정 물질을 사용하여 상기 소수성기가 이탈된 포토레지스트를 수용성 상태를 갖는 포토레지스트로 변환시키 후 물을 이용한 세정공정을 수행하여 포토레지스트막을 기판으로 제거할 수 있다. 상기 방법은 포토레지스트막을 기판의 손상 및 열화 없이 보다 빠른 시간 내에 깨끗이 제거할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100515034B1
公开(公告)日：2005-12-09
申请号：KR1019980020003
申请日：1998-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
Abstract: 본 발명은 트렌치 격리 특성 저하를 방지하는 트렌치 격리 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 상에 트렌치 식각 마스크가 형성된다. 트렌치 식각 마스크를 사용하여 반도체 기판이 식각 되어 트렌치가 형성된다. 트렌치 식각시 발생된 트렌치의 하부 및 양측벽의 손상층이 습식 식각으로 제거된다. 이와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 의해서, 트렌치 식각시 발생된 트렌치 내벽의 손상층을 제거함으로써, 트렌치 하부 및 상부의 에지 부위를 포함하여 트렌치 내벽이 라운드 형태의 프로파일을 갖도록 형성할 수 있고, 따라서 후속 플라즈마 처리시 트렌치 내벽에 가해지는 어택(attack)을 최소화 할 수 있으며, 트렌치 격리 특성 저하를 방지할 수 있다.
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