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公开(公告)号:KR102222542B1
公开(公告)日:2021-03-05
申请号:KR1020170047490A
申请日:2017-04-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/10802 , H01L21/7682 , H01L21/84 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10844 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L27/10888 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L29/4236
Abstract: 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치는, 하부 반도체막, 매립 절연막 및 상부 반도체막이 순차적으로 적층된 기판, 상부 반도체막 내의 제1 트렌치, 제1 트렌치의 일부를 채우는 제1 도전 패턴, 하부 반도체막, 매립 절연막 및 상부 반도체막 내의 제2 트렌치, 제2 트렌치의 적어도 일부를 채우는 제2 도전 패턴, 및 제1 도전 패턴 및 제2 도전 패턴 사이에, 상부 반도체막 내의 제1 소스/드레인 영역을 포함한다.
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公开(公告)号:WO2016104891A1
公开(公告)日:2016-06-30
申请号:PCT/KR2015/006082
申请日:2015-06-16
IPC: G06F17/30
CPC classification number: G06F17/30979 , G06F17/30958 , G06F17/30991
Abstract: 질의 처리 방법이 개시된다. 하나의 실시예에 의한 질의 처리 방법은, 제1 객체 및 제2 객체를 표시하는 과정, 상기 제1 객체 및 상기 제2 객체 사이의 관계를 지시하는 사용자 입력을 획득하는 과정, 상기 사용자 입력에 기초하여, 상기 제1 객체 및 상기 제2 객체 사이의 제1 관계 구조를 표시하는 과정 및 상기 제1 관계 구조에 대응하는, 상기 제1 객체에 대응하는 적어도 하나의 제1 노드 및 상기 제2 객체에 대응하는 적어도 하나의 제2 노드 사이의 제2 관계 구조를 포함하는 질의를 서버로 송신하는 과정을 포함할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种查询处理方法。 根据实施例的查询处理方法可以包括以下步骤:显示第一对象和第二对象; 获取指示所述第一对象和所述第二对象之间的关系的用户输入; 基于用户输入在第一对象和第二对象之间显示第一关系结构; 以及向所述服务器发送包括对应于所述第一对象的至少一个第一节点与对应于所述第二对象的至少一个第二节点之间的对应于所述第一关系结构的第二关系结构的查询。
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公开(公告)号:KR1020080016515A
公开(公告)日:2008-02-21
申请号:KR1020070117940
申请日:2007-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사 , 중앙대학교 산학협력단 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: C07D417/04 , C07D413/04 , C07D401/04
Abstract: An 8-hydroxy quinoline acetamide compound is provided to be an intermediate of a novel 8-hydroxy quinoline thioamide compound capable of being used as a selective chemical dosimeter due to high detection sensitivity against mercury ion. An 8-hydroxy quinoline acetamide compound is represented by the formula(2) and is prepared by reacting an 8-hydroxy quinoline compound represented by the formula(1), 2-chloro-N,N-diethyl acetamide, potassium carbonate and potassium iodide in an organic solvent such as tetrahydrofuran under the inert gas environment. In the formulae(1) and (2), X is S, O or NH; and each R1 and R2 is independently C1-4 linear or branched alkyl.
Abstract translation: 提供8-羟基喹啉乙酰胺化合物,作为能够用作选择性化学剂量计的新型8-羟基喹啉硫代酰胺化合物的中间体,由于对汞离子的高检测灵敏度。 8-羟基喹啉乙酰胺化合物由式(2)表示,通过使由式(1)表示的8-羟基喹啉化合物,2-氯-N,N-二乙基乙酰胺,碳酸钾和碘化钾 在有机溶剂如四氢呋喃中,在惰性气体环境下进行。 在式(1)和(2)中,X是S,O或NH; 并且每个R 1和R 2独立地为C 1-4直链或支链烷基。
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公开(公告)号:KR1020080016020A
公开(公告)日:2008-02-21
申请号:KR1020060077550
申请日:2006-08-17
Applicant: 중앙대학교 산학협력단 , 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: C07D417/04 , C07D413/04 , C07D403/04
CPC classification number: C07D417/04
Abstract: A novel 8-hydroxyquinoline thioamide compound is provided to show very high detection sensitivity on mercury ion and also complete a desulfurization reaction within 5 minutes, thereby being used as a selective chemodosimeter. An 8-hydroxyquinoline acetamide compound is represented by the formula(2) and is prepared by reacting an 8-hydroxyquinoline compound represented by the formula(1), 2-chloro-N,N-diethylacetamide, potassium carbonate and potassium iodide in an organic solvent under the inert gas atmosphere. In the formulae(1) and (2), X is S, O or NH; and each R1 and R2 is independently C1-4 linear or branched alkyl. An 8-hydroxyquinoline thioamide compound is represented by the formula(3)(wherein the X, R1, and R2 are same as defined above) and is prepared by reacting the 8-hydroxyquinoline acetamide compound with a Lawesson agent in an organic solvent. A method for selectively detecting mercury ion comprises the steps of: (a) dissolving the 8-hydroxyquinoline thioamide compound in water, acetonitrile or a mixture thereof; and (b) after adding a desired sample to the solution of the step(a), measuring a fluorescent spectrum generated by desulfurization between the mercury ion and the 8-hydroxyquinoline thioamide compound represented by a reaction formula(2)(wherein the X, R1, and R2 are same as defined above).
Abstract translation: 提供了一种新的8-羟基喹啉硫代酰胺化合物,对汞离子具有非常高的检测灵敏度,并在5分钟内完成脱硫反应,从而用作选择性化学计量仪。 8-羟基喹啉乙酰胺化合物由式(2)表示,通过式(1)表示的8-羟基喹啉化合物,2-氯-N,N-二乙基乙酰胺,碳酸钾和碘化钾在有机 溶剂在惰性气体气氛下。 在式(1)和(2)中,X是S,O或NH; 并且每个R 1和R 2独立地为C 1-4直链或支链烷基。 8-羟基喹啉硫代酰胺化合物由式(3)表示(其中X,R 1和R 2与上述相同),并通过8-羟基喹啉乙酰胺化合物与Lawesson试剂在有机溶剂中反应来制备。 选择性地检测汞离子的方法包括以下步骤:(a)将8-羟基喹啉硫代酰胺化合物溶于水,乙腈或其混合物中; 和(b)在向步骤(a)的溶液中加入所需样品后,测定由反应式(2)表示的汞离子与8-羟基喹啉硫代酰胺化合物之间的脱硫产生的荧光光谱(其中X, R1和R2与上述定义相同)。
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公开(公告)号:KR1020070025628A
公开(公告)日:2007-03-08
申请号:KR1020050081996
申请日:2005-09-03
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G01N13/10
Abstract: A semiconductor probe with a resistive tip of high resolution and a method of fabricating the same are provided to improve resolution of a resistive region by forming conductive regions at both sides of the resistive region. A semiconductor probe with a resistive tip of high resolution includes a cantilever(170), and first and second electrode regions(132,134). The cantilever is doped with first impurities, and has a resistive tip doped with second impurities having a polarity opposite to the first impurities at a low concentration and projects from its distal end. The first and second electrode regions are disposed at both sides of the resistive tip of the cantilever and doped with the second impurities. The resistive tip is a rectangular column with a diameter of 100nm or less. The diameter of resistive tip is 14-50nm.
Abstract translation: 提供具有高分辨率的电阻尖端的半导体探针及其制造方法,以通过在电阻区域的两侧形成导电区域来改善电阻区域的分辨率。 具有高分辨率的电阻尖端的半导体探针包括悬臂(170)和第一和第二电极区(132,134)。 悬臂掺杂有第一杂质,并且具有掺杂有低浓度的与第一杂质极性相反极性的第二杂质的电阻尖端并从其远端突出。 第一和第二电极区域设置在悬臂的电阻尖端的两侧并掺杂有第二杂质。 电阻尖是直径为100nm以下的矩形柱。 电阻尖的直径为14-50nm。
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公开(公告)号:KR100790893B1
公开(公告)日:2008-01-03
申请号:KR1020060102467
申请日:2006-10-20
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01Q60/30
Abstract: A semiconductor probe having an embossed resistive tip and a method for fabricating the same are provided to prevent damage thereof by using low energy in an ion implantation process. A protrusive part(172) is protruded from a cantilever(170). An embossed resistive tip(130) is formed on the protrusive part. A first electrode region(132) and a second electrode region(134) are formed at both sides of the embossed resistive tip at the protrusive part. The cantilever is doped with a first impurity. The first electrode region, the second electrode region, and the embossed resistive tip are doped with a second impurity having polarity different from the polarity of the first impurity. The doping density of the embossed resistive tip is lower than that of the first and second electrode regions.
Abstract translation: 提供具有压花电阻端头的半导体探针及其制造方法,以通过在离子注入工艺中使用低能量来防止其损坏。 突出部分(172)从悬臂(170)突出。 在凸出部分上形成压花电阻头(130)。 第一电极区域(132)和第二电极区域(134)形成在凸出部分的压花电阻端头的两侧。 悬臂掺杂有第一杂质。 第一电极区域,第二电极区域和压电电阻尖端掺杂有极性不同于第一杂质极性的第二杂质。 压花电阻尖端的掺杂密度低于第一和第二电极区域的掺杂浓度。
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公开(公告)号:KR100785006B1
公开(公告)日:2007-12-12
申请号:KR1020050081996
申请日:2005-09-03
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: G01N13/10
Abstract: A semiconductor probe with a high-resolution tip and a method of fabricating the same are provided. The semiconductor probe includes: a cantilever doped with a first impurity; a resistive convex portion projecting from an end portion of the cantilever and lightly doped with a second impurity opposite in polarity to the first impurity; and first and second electrode regions formed on either side of the resistive convex portion and heavily doped with the second impurity.
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8.
公开(公告)号:KR100738098B1
公开(公告)日:2007-07-12
申请号:KR1020060003934
申请日:2006-01-13
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L21/66
Abstract: A semiconductor probe and a manufacturing method thereof are provided to keep the resolution of a resistive region and improve sensitivity by forming easily a conductive region in spite of a narrow width of a resistive tip using a doping control layer. A semiconductor probe includes a cantilever(21) doped with first dopants, a resistive tip, a doping control layer and first and second electrode regions. The resistive tip is protruded from an end portion of the cantilever. The resistive tip is lightly doped with second dopants. The doping control layer(25) is formed at both sides of the resistive tip. The first and second electrode regions(22,23) are formed at a lower portion of the doping control layer and both sides of the resistive tip, respectively. The first and second electrode regions are heavily doped with the second dopants.
Abstract translation: 提供一种半导体探针及其制造方法,通过使用掺杂控制层,尽管电阻性尖端的宽度变窄,但容易形成导电性区域,从而保持电阻性区域的分辨率并提高灵敏度。 半导体探针包括掺杂有第一掺杂剂的悬臂(21),电阻尖端,掺杂控制层以及第一和第二电极区域。 阻力尖端从悬臂的端部突出。 电阻尖端轻掺杂第二掺杂剂。 掺杂控制层(25)形成在电阻性尖端的两侧。 第一和第二电极区(22,23)分别形成在掺杂控制层的下部和电阻性尖端的两侧。 第一和第二电极区用第二掺杂剂重掺杂。
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公开(公告)号:KR100816200B1
公开(公告)日:2008-03-24
申请号:KR1020070117940
申请日:2007-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사 , 중앙대학교 산학협력단 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: C07D417/04 , C07D413/04 , C07D401/04
Abstract: 본 발명은 신규한 8-히드록시퀴놀린 아세트아미드 화합물 및 그 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 본 발명은 수은 이온에 대한 검출감도가 매우 높아 선택적인 화학선량계로 사용가능한 신규한 8-히드록시퀴놀린 티오아미드 화합물의 중간체인 8-히드록시 퀴놀린 아세트아미드 화합물과 그 제조방법에 관한 것이다.
8-히드록시퀴놀린 아세트아미드, 8-히드록시퀴놀린 티오아미드-
公开(公告)号:KR100816201B1
公开(公告)日:2008-03-21
申请号:KR1020060077550
申请日:2006-08-17
Applicant: 중앙대학교 산학협력단 , 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: C07D417/04 , C07D413/04 , C07D403/04
CPC classification number: C07D417/04
Abstract: 본 발명은 신규한 8-히드록시퀴놀린 티오아미드 화합물 및 그 용도에 관한 것으로, 구체적으로 본 발명은 수은 이온에 대한 검출감도가 매우 높아 선택적인 화학선량계로 사용가능한 신규한 8-히드록시퀴놀린 티오아미드 화합물 및 그 제조방법과 이를 포함하는 수은 이온을 선택적으로 검출하는 화학선량계에 관한 것이다.
본 발명의 8-히드록시퀴놀린 티오아미드 화합물은 수은 이온에 대해 아주 효과적인 off-on 형태의 형광특이성을 나타내고, 물이 포함되어 있는 화학적 및 생물학적 계에서의 마이크로 몰 단위의 수은 이온 검출이 가능할 뿐 아니라, 탈황화 반응도 5분 이내에 100% 완결된다는 장점을 가지는 화학공업 및 환경화학 분야에서 응용성이 큰 대단히 유용한 발명이다.
8-히드록시퀴놀린 아세트아미드, 8-히드록시퀴놀린 티오아미드, 수은 이온, 화학선량계
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