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公开(公告)号：KR20210029870A
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：KR1020190110620A
申请日：2019-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/08 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02194 , H01L21/32055 , H01L21/76838 , H01L21/76897 , H01L27/2454 , H01L29/36 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1616
Abstract: 정보 저장 구조물을 포함하는 반도체 소자를 제공한다. 이 반도체 소자는 기판 상의 적층 구조물, 상기 적층 구조물은 제1 방향을 따라 교대로 적층된 게이트 전극들 및 절연 층들을 포함하고; 상기 제1 방향으로 상기 적층 구조물을 관통하는 수직 개구부, 상기 수직 개구부는 채널 구조물을 포함하고; 및 상기 기판 상의 불순물 영역을 포함한다. 상기 채널 구조물은 상기 수직 개구부의 내벽 상의 반도체 층, 및 상기 반도체 층 상에서 공공(vacancy)을 포함하는 가변 저항 물질 층을 포함하고, 상기 가변 저항 물질 층의 상기 공공의 농도는 상기 반도체 층에 가까운 상기 가변 저항 물질 층 내의 공공의 농도 보다 상기 채널 구조물의 중심에 가까운 상기 가변 저항 물질 층 내의 공공의 농도가 높도록 상기 가변 저항 물질 층의 폭을 따라 변화하고, 상기 반도체 층은 상기 채널 구조물의 하부에서 상기 불순물 영역과 접촉한다.
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公开(公告)号：KR102222542B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020170047490A
申请日：2017-04-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/10802 , H01L21/7682 , H01L21/84 , H01L27/10814 , H01L27/10823 , H01L27/10844 , H01L27/10855 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L27/10888 , H01L27/1203 , H01L27/1207 , H01L29/4236
Abstract: 반도체 장치 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 장치는, 하부 반도체막, 매립 절연막 및 상부 반도체막이 순차적으로 적층된 기판, 상부 반도체막 내의 제1 트렌치, 제1 트렌치의 일부를 채우는 제1 도전 패턴, 하부 반도체막, 매립 절연막 및 상부 반도체막 내의 제2 트렌치, 제2 트렌치의 적어도 일부를 채우는 제2 도전 패턴, 및 제1 도전 패턴 및 제2 도전 패턴 사이에, 상부 반도체막 내의 제1 소스/드레인 영역을 포함한다.
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公开(公告)号：KR102222542B1
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：KR1020170047490
申请日：2017-04-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L29/423
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 반도체장치는, 하부반도체막, 매립절연막및 상부반도체막이순차적으로적층된기판, 상부반도체막내의제1 트렌치, 제1 트렌치의일부를채우는제1 도전패턴, 하부반도체막, 매립절연막및 상부반도체막내의제2 트렌치, 제2 트렌치의적어도일부를채우는제2 도전패턴, 및제1 도전패턴및 제2 도전패턴사이에, 상부반도체막내의제1 소스/드레인영역을포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150104822A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020140026652
申请日：2014-03-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 홍재호
IPC: H04N21/845 , H04N21/433 , H04N5/93
CPC classification number: G11B27/034 , G11B27/3027 , H04N5/76
Abstract: 녹화된 영상 컨텐츠를 편집 및 디스플레이하기 위한 디스플레이 장치 및 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 디스플레이 장치에서 녹화된 영상 컨텐츠를 편집하는 방법은 영상 컨텐츠의 특정 프레임 구간에 대한 편집 명령을 입력받는 단계, 편집 명령이 입력된 특정 프레임 구간에 대한 정보를 추출하여 특정 프레임 구간에 대한 편집 명령을 지시하는 인덱싱 패킷을 생성하는 단계, 및 영상 컨텐츠에 대한 전송 스트림에 인덱싱 패킷을 삽입하여 저장하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 디스플레이 장치는 사용자가 선택한 영상과 대응되는 영상 프레임 구간을 정확하게 편집할 수 있으며, 편집 과정에서 발생하는 화면 깨짐 현상을 개선할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于编辑和显示记录的视频内容的装置和方法。 在根据本发明的显示装置中编辑记录的视频内容的方法包括以下步骤：接收图像内容的特定帧部分的编辑命令; 通过提取关于输入编辑命令的特定帧部分的信息，生成索引分组来指示特定帧部分的编辑命令; 以及将所述索引分组插入到所述图像内容的传输流中并存储所述索引分组。 由此，显示装置精确地编辑对应于用户选择的图像的图像帧部分，并防止在编辑处理中产生的屏幕破坏现象。
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公开(公告)号：KR1020050036223A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：KR1020030071844
申请日：2003-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 유전막 패턴의 면적이 증가된 금속-절연체-금속 커패시터 및 그 제조 방법이 개시되어 있다. 하부 금속 배선의 상부면이 노출되도록 층간 절연막에 형성된 개구부의 내측벽 및 상기 하부 금속 배선의 상부면에 걸쳐 소정의 두께로 제1 도전막 패턴을 형성한다. 상기 커패시터 하부 전극 상에 소정의 두께로 유전막 패턴을 형성한다. 다시 상기 유전막 패턴 상에 소정의 두께로 제2 도전막 패턴을 형성한다. 상기 커패시터는 하부 금속 배선의 상부면 뿐만 아니라 상기 개구부의 내측벽까지 이용이 가능하므로 상기 커패시터의 전기 용량도 증가한다.
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公开(公告)号：KR1020040063574A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：KR1020030001048
申请日：2003-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device with a MIM(metal insulator metal) capacitor is provided to eliminate metallic hard polymer formed on the sidewall of an upper electrode and minimize a lifting phenomenon caused by a thermal expansion coefficient of the upper electrode, a dielectric constant and a lower electrode, by patterning the upper electrode, by removing a photoresist layer pattern and by performing a post-treatment process using ashing gas including O2 gas and CF4 gas. CONSTITUTION: A lower electrode whose upper surface is exposed is formed in a mold insulation layer formed on a semiconductor substrate(101). A dielectric layer and an upper electrode layer are sequentially formed on the semiconductor substrate including the upper surface of the lower electrode. The upper electrode layer is patterned to form an upper electrode(107a) by using a photoresist layer pattern formed on the upper electrode layer as a mask. The photoresist layer pattern is etched and removed. A post-treatment is performed on the substrate from which the photoresist layer pattern is removed by using ashing gas including O2 gas and CF4 gas wherein the post-treatment is performed at a temperature of 150-250 deg.C.
Abstract translation: 目的：提供一种制造具有MIM（金属绝缘金属）电容器的半导体器件的方法，以消除形成在上电极的侧壁上的金属硬聚合物，并最小化由上电极的热膨胀系数引起的升高现象， 介电常数和下电极，通过图案化上电极，通过去除光致抗蚀剂层图案，并通过使用包括O 2气体和CF 4气体的灰化气体进行后处理工艺。 构成：在半导体基板（101）上形成的模具绝缘层中形成有上表面露出的下电极。 在包括下电极的上表面的半导体衬底上依次形成电介质层和上电极层。 通过使用形成在上电极层上的光致抗蚀剂层图案作为掩模，将上电极层图案化以形成上电极（107a）。 蚀刻并除去光致抗蚀剂层图案。 通过使用包括O 2气体和CF 4气体的灰化气体在150-250℃的温度下进行后处理，在其上除去光致抗蚀剂层图案的基板上进行后处理。
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公开(公告)号：KR100156326B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019950031448
申请日：1995-09-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 프로세스 잼버로부터 배출되는 가스의 가연성 및 부식성 등으로 인하여 세정 공정에서 발생될 수 있는 장치 손상 및 화재를 예방할 수 있는 반도체 제조 장치의 가스세정기에 관한 것이다.
본 발명에 따른 가스세정기는, 반도체 웨이퍼를 제조하기 위한 프로세스 챔버로부터 배출되는 가스를 물로 세정처리하는 반도체 제조 장치의 가스세정기에 있어서, 물로 처리하기 위한 가스 입자의 이동 속도를 줄이기 위하여 장착되는 압소버(Absorber)가 최소한 700℃ 이상의 고내열성을 가지며, 비부식성을 갖는 세라믹으로 구성됨을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼 제조 공정에서의 가스 배출이 장치의 손상을 유발시키지 않고 원활히 수행될 수 있어서 반도체 제조 장비의 유지 보수 경비가 절감될 수 있으며, 또한 장치에 대한 안전성을 확보할 수 있어서 생산성이 향상되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019970018159A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950031448
申请日：1995-09-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 프로세스 챔버로부터 배출되는 가스의 가연성 및 부식성 등으로 인하여 세정 공정에서 발생될 수 있는 장치 손상 및 화재를 예방할 수 있는 반도체 제조 장치의 가스세정기에 관한 것이다.
본 발명에 따른 가스세정기는, 반도체 웨이퍼를 제조하기 위한 프로세스 챔버로부터 배출되는 가스를 물로 세정처리하는 반도체 제조 장치의 가스세정기에 있어서, 물로 처리하기 위한 가스 입자의 이동 속도를 줄이기 위하여 장착되는 압소버(Absorber)가 최소한 700℃ 이상의 고내열성을 가지며, 비부식성을 갖는 세라믹으로 구성됨을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 웨이퍼 제조 공정에서의 가스 배출이 장치의 손상을 유발시키지 않고 원활히 수행될 수 있어서 반도체 제조 장비의 유지 보수 경비가 절감될 수 있으며, 또한 장치에 대한 안정성을 확보할 수 있어서 생산성이 향상되는 효과가 있다.
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