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公开(公告)号：WO2011105855A2
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/KR2011/001348
申请日：2011-02-25
IPC: H01L21/3065 , H05H1/36
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J27/024
Abstract: 고주파 전압과 직류 바이어스 전압의 동기화 장치가 개시된다. 전원 공급부, 전압 조정부, 전압 변환부를 통해 4개 채널의 제1 그리드 전압 및 제2 그리드 전압을 생성하여 출력 구동부에 제공하고, 제어부가 RF의 온 및 오프 구간 각각에 따라 제어 펄스 신호를 출력 구동부에 제공하고, 출력 구동부는 상기 제어 펄스 신호에 상응하여 출력을 스위칭함으로써 RF의 온 구간에서는 하이 레벨의 제1 그리드 전압 및 로우 레벨의 제2 그리드 전압을 출력하고, RF의 오프 구간에서는 로우 레벨의 제1 그리드 전압 및 하이 레벨의 제2 그리드 전압을 출력한다. 따라서, RF의 온 및 오프 구간에서 각각 양이온 및 음이온을 추출하여 이온을 전기적으로 중성화시킬 수 있고, 이를 통해 종래의 중성빔 장치에서 사용되었던 반사판을 제거할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于使高频电压和直流偏置电压同步的装置。 电源单元，电压调节单元和电压转换单元产生具有四个通道的第一电网电压和第二电网电压，并向输出驱动单元提供所产生的电压。 控制单元根据RF开/关周期向输出驱动单元提供控制脉冲信号。 输出驱动单元根据控制脉冲信号切换输出，以在RF接通时间段内将第一电网电压输出为高电平，将第二电网电压输出为低电平，并将第一电网电压输出低电平 电平和第二电网电压处于高电平关闭期。 因此，阳离子和阴离子从相应的RF开/关时段提取并电中和，从而消除了使用中性光束的常规装置中使用的反射板的必要性。
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公开(公告)号：WO2011105873A2
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/KR2011/001400
申请日：2011-02-28
IPC: H01L21/3065 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32706 , H01L43/12
Abstract: 펄스 플라즈마의 DC 파워 인가에 따른 동기화 제어 방법이 개시된다. 본 발명에 의한 펄스 플라즈마의 DC 파워 인가에 따른 동기화 제어 방법은 RF 펄스 파워의 온/오프 주기에 맞추어 DC 파워를 마이너스(-) 파워 주기 및 플러스(+) 파워 주기가 조절되도록 인가함으로써 각 공정에 적합한 플라즈마를 형성하여 공정 효율을 극대화할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种在施加脉冲等离子体的直流电力时控制同步的方法。 根据本发明的施加脉冲等离子体的直流电力时的控制同步的方法包括根据RF脉冲功率的接通/关断周期施加直流电力，使得负（ - ）功率周期和加（+）功率周期可以 从而产生适合于每个工艺的等离子体并实现最大化的工艺效率。
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公开(公告)号：KR1020110098693A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020110018138
申请日：2011-02-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01L21/67167
Abstract: 본 발명은 저손상 공정을 위한 차세대 나노소자용 식각 장비에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 차세대 나노소자 제작시 나노소자의 저손상 공정이 가능하거나, 고유전 물질을 게이트 절연막으로 이용함으로써 발생되는 게이트 리세스를 발생시키지 않거나, 차세대 나노소자 공정에 발생될 수 있는 물리적 전기적 손상을 크게 개선시키거나, 정확한 식각 조절이 가능하고, 딥 식각, 중성빔 식각 및 중성빔 원자층 식각이 인시투(in-situ)로 이루어질 수 있는 식각 장비가 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020110098199A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020100017680
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32706 , H01L43/12 , H01L21/67063
Abstract: 본 발명은 식각 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, RF 파워를 온 주기 및 오프 주기를 반복하고, 기재(substrate)에 상기 온 주기 및 오프 주기에 대응하여 각각 마이너스 파워 주기 및 플러스 파워 주기를 반복하여 상기 기재 상의 피식각물을 식각하는 식각 방법이 제공된다.
Abstract translation: 蚀刻方法技术领域本发明涉及蚀刻方法。 根据本发明，重复的RF电源接通周期和关断周期，响应于所述导通周期和截止周期，其中，所述基体材料（基材）的每个重复负功率周期和在衬底上蚀刻的蚀刻gakmul的正功率周期 提供蚀刻方法。
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公开(公告)号：KR101214758B1
公开(公告)日：2012-12-21
申请号：KR1020100017680
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32091 , H01J37/32706 , H01L43/12
Abstract: 본발명은식각방법에관한것이다. 본발명에의하면, RF 파워를온 주기및 오프주기를반복하고, 기재(substrate)에상기온 주기및 오프주기에대응하여각각마이너스파워주기및 플러스파워주기를반복하여상기기재상의피식각물을식각하는식각방법이제공된다.
Abstract translation: 蚀刻方法技术领域本发明涉及蚀刻方法。 根据本发明，提供了一种蚀刻方法，用于重复RF功率的接通周期和断开周期，并且重复负载功率周期和正功率周期， 它现在可用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130099450A
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：KR1020120020971
申请日：2012-02-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G11C11/15 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/161 , H01L21/67069 , G11C11/15 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: PURPOSE: A magnetic random access memory (MRAM) etching method etches an MRAM by combining multiple processes, thereby preventing redeposition. CONSTITUTION: An MRAM is made up of a magnetic tunnel resistance junction layer (20), a pinned layer (30), and a hard mask (40). The combination of etching gas is selected to generate volatile etch byproducts while etching the MRAM. A heating etching process is performed by heating a substrate of the MRAM. An etching process is performed by applying a pulse bias to the MRAM. The etching gas is one out of CO/NH3, CO/NO, CO2/H2, CH4/Ar, CxHy/H2/O2, and CH3OH.
Abstract translation: 目的：磁性随机存取存储器（MRAM）蚀刻方法通过组合多个工艺来蚀刻MRAM，从而防止再沉积。 构成：MRAM由磁隧道电阻结层（20），钉扎层（30）和硬掩模（40）组成。 选择蚀刻气体的组合以在蚀刻MRAM时产生挥发性蚀刻副产物。 通过加热MRAM的基板来进行加热蚀刻工艺。 通过向MRAM施加脉冲偏压来执行蚀刻处理。 蚀刻气体是CO / NH3，CO / NO，CO2 / H2，CH4 / Ar，CxHy / H2 / O2和CH3OH中的一种。
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公开(公告)号：KR1020130027935A
公开(公告)日：2013-03-18
申请号：KR1020110091469
申请日：2011-09-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32128 , H01J37/32091 , H01J37/32146 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H05H1/46 , H05H2001/4675 , H05H2001/4682
Abstract: PURPOSE: A method for controlling a property of pulse plasma by using RF(Radio Frequency) pulse power of a plurality of frequencies is provided to change the pulsing, a period, and a duty ratio of at least applied two RF power, thereby controlling a property of pulse plasma. CONSTITUTION: A plasma generator including a gas inlet, a source electrode unit, and a bias electrode unit is provided. At least two RF power is applied to the source electrode unit. At least one RF power, which is not pulsed, is applied to the bias electrode unit. Pulse plasma is formed by using reactive gas which is injected to the gas inlet.
Abstract translation: 目的：提供通过使用多个频率的RF（射频）脉冲功率来控制脉冲等离子体的性质的方法，以改变至少应用两个RF功率的脉冲，周期和占空比，从而控制 脉冲等离子体的性质。 构成：提供包括气体入口，源电极单元和偏置电极单元的等离子体发生器。 至少两个RF功率被施加到源电极单元。 将至少一个不是脉冲的RF功率施加到偏置电极单元。 通过使用注入气体入口的反应性气体形成脉冲等离子体。
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公开(公告)号：KR1020120086938A
公开(公告)日：2012-08-06
申请号：KR1020110008303
申请日：2011-01-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G11C11/15 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/15 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a magnetic random access memory is provided to improve the reliability of a device by removing the metal residue in a sidewall of an MTJ structure. CONSTITUTION: A laminate structure(40) with an MTJ structure is formed on a substrate. Laminate patterns with the MTJ structure are formed by patterning the laminate structure. Metal residue accumulated in the sidewalls of the laminate patterns are etched by using neutral beams(NB1,NB2).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造磁性随机存取存储器的方法，通过去除MTJ结构的侧壁中的金属残渣来提高器件的可靠性。 构成：在基板上形成具有MTJ结构的层叠结构（40）。 通过图案化层压结构形成具有MTJ结构的层压图案。 通过使用中性光束（NB1，NB2）蚀刻积聚在层叠图案的侧壁中的金属残留物。
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公开(公告)号：KR1020110098694A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020110018142
申请日：2011-02-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/31122
Abstract: 본 발명은 식각 방법에 관한 것이다. 상기 식각 방법은 2 이상의 박막의 적층구조를 포함하는 피식각물의 식각 방법에 있어서, 플라즈마 식각을 이용하는 건식 식각 단계; 중성빔 식각을 이용하는 중성빔 식각 단계; 및 중성빔 원자층 식각을 이용하는 중성빔 원자층 식각 단계 중에서 선택되는 2 이상의 식각 단계의 조합에 의해 수행할 수 있다. 본 발명에 따르면, 피식각물에 전기적 및 물리적 손상을 최소화할 수 있다.
Abstract translation: 蚀刻方法技术领域本发明涉及蚀刻方法。 所述蚀刻方法可以包括：使用等离子体蚀刻的干法蚀刻步骤，所述蚀刻方法包括：使用等离子体蚀刻的干法蚀刻步骤; 使用中性束蚀刻的中性束蚀刻步骤; 以及使用中性束原子层蚀刻的中性束原子层蚀刻步骤。 根据本发明，可以使坩埚的电和物理损坏最小化。
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公开(公告)号：KR1020110098307A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020100017864
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/32055 , C23C16/505 , H01L21/265
Abstract: 본 발명은 반도체 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 저온에서 반도체막의 증착이 이루어져, 결정질 및 비정질이 혼재된 반도체막을 형성할 수 있는 반도체 기판 및 이의 제조 방법을 제공한다.
따라서, 전기적 특성이 우수한 결정질 비정질이 혼재된 반도체막을 형성하는 것이 가능하다.
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