公开(公告)号：KR100944946B1

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：KR1020090010496

申请日：2009-02-10

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  권성훈

IPC: H01L21/027 ,  H01L33/02

Abstract: 패턴이 형성된 기판 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따른 패턴이 형성된 기판 제조방법은 기판 상의 산화물 비드 패턴을 형성하고자 하는 위치에 선택적인 결합력을 갖는 제1결합제 패턴을 형성하고, 기판과의 결합력보다 제1결합제와의 결합력이 더 큰 제2결합제를 산화물 비드에 코팅한다. 그리고 제2결합제가 코팅된 산화물 비드를 기판 상에 도포하여, 제2결합제가 코팅된 산화물 비드를 제1결합제 패턴 상에 형성하고, 기판을 열처리한다. 본 발명에 따른 다른 패턴이 형성된 기판 제조방법은 산화물 비드가 분산된 용액을 준비하고, 기판 상에 패턴을 형성한 다음, 기판 상에 마이크로 채널이 형성되도록 임시 구조물을 기판의 상방에 설치한다. 그리고 산화물 비드가 분산된 용액을 마이크로 채널에 주입하여 기판 상에 산화물 비드를 고정시키고, 기판을 열처리한다. 본 발명에 의하면, 저렴한 산화물 비드를 원하는 형태로 기판 위에 패터닝할 수 있게 되어 건식 식각시 기판에 가해지는 손상을방지할 수 있고, 식각과정이 없어서 소자 수율 저하 문제가 없어서 결과적으로 소자의 양산성이 증가된다. 또한 건식식각을 위한 고가의 장비투자가 불필요하여 경제적으로 유리할 뿐 아니라 단시간 내에 많은 양의 기판을 제작할 수 있는 높은 생산성을 가지게 된다.

公开(公告)号：KR100900807B1

公开(公告)日：2009-06-04

申请号：KR1020070085268

申请日：2007-08-24

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준

IPC: H01L33/02

Abstract: 고출력 발광다이오드(LED) 등의 제조에 사용될 수 있는 반도체 소자용 기판, 그 제조 방법 및 그 기판을 이용하여 반도체 소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 이 기판은 사파이어 기판과 실리콘 기판 등 서로 종류가 다른 기판끼리 접합한 형태로, 반도체 소자 제조 공정의 단계를 줄일 뿐만 아니라 소자층 성장시 발생하는 응력 문제를 해결하여 양질의 반도체 소자를 제조할 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR1020090042211A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：KR1020090010496

申请日：2009-02-10

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  권성훈

IPC: H01L21/027 ,  H01L33/02

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0037

Abstract: A manufacturing method of a substrate on which a pattern is formed is provided to prevent damage applied to a substrate in a dry etching by patterning an oxide bead on a substrate with a desired shape. A temporary structure is installed on a top of a substrate in order to form a micro channel on a substrate. A bead mixture is formed by mixing an oxide bead and a polymer bead. The oxide bead and the polymer bead are assembled on the substrate by injecting the bead mixture to the micro channel(S220). The temporary structure is separated from the substrate. The substrate is sintered after removing the polymer bead(S240). A refractive index of the oxide bead is 1.2~2.0.

Abstract translation: 提供其上形成有图案的基板的制造方法，以通过在所需形状的基板上图案化氧化物珠来防止在干蚀刻中对基板的损伤。 为了在基板上形成微通道，将临时结构安装在基板的顶部。 通过混合氧化物珠粒和聚合物珠粒形成珠粒混合物。 通过将珠粒混合物注射到微通道（S220）将氧化物珠粒和聚合物珠粒组装在基材上。 临时结构与基板分离。 在除去聚合物珠之后烧结基材（S240）。 氧化物珠的折射率为1.2〜2.0。

公开(公告)号：KR1020080000098A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：KR1020060057385

申请日：2006-06-26

Applicant: 서울바이오시스 주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  남기범 ,  최주원

IPC: H01L33/14

Abstract: A GaN-based compound semiconductor and a manufacturing method thereof are provided to decrease a contact resistance by decreasing a tunneling barrier width and enhancing a tunneling transport phenomenon. A GaN-based compound semiconductor includes a substrate(100), a buffer layer(200), an n-type GaN layer(400), an activation layer(500), a p-type GaN layer(600), and an indium rich InGaN contact layer(700). The buffer layer is formed on the substrate. The n-type GaN layer is formed on the buffer layer. The activation layer is formed on the n-type GaN layer. The p-type GaN layer is formed on the activation layer. The indium rich InGaN contact layer is formed on the p-type GaN layer.

Abstract translation: 提供了一种GaN基化合物半导体及其制造方法，通过降低隧道势垒宽度和增强隧道输送现象来降低接触电阻。 GaN基化合物半导体包括基板（100），缓冲层（200），n型GaN层（400），激活层（500），p型GaN层（600）和铟 富含InGaN的接触层（700）。 缓冲层形成在基板上。 在缓冲层上形成n型GaN层。 激活层形成在n型GaN层上。 在活化层上形成p型GaN层。 富铟InGaN接触层形成在p型GaN层上。

公开(公告)号：KR100531177B1

公开(公告)日：2005-11-29

申请号：KR1020040062239

申请日：2004-08-07

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  홍석원 ,  신현호

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 격자 변형된 반도체 박막 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 기판 내의 응력 분포를 조절하여 종래보다 전위와 결함이 적거나 없는 격자 변형된 반도체 박막 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에서는 반도체 기판에 홈(trench)을 형성한 다음, 홈 내부에 반도체 기판과 격자상수가 다른 제1 이종 박막을 에피택셜 성장시켜 응력원(stressor)을 형성한다. 그런 다음, 응력원을 포함하는 반도체 기판 상에 제1 이종 박막과 격자상수가 다른 제2 이종 박막을 에피택셜 성장시켜 응력원에 의한 응력장으로 인해 격자 변형된 반도체 박막을 형성한다.

公开(公告)号：KR100520744B1

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：KR1020030022033

申请日：2003-04-08

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 황희돈 ,  박광민 ,  윤의준

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 반도체 양자점 구조 형성에 관한 것으로서 양자점 층을 수직으로 적층하는 것에 관한 기술이다. 양자점을 형성하기 위한 여러 가지 방법 중에서 격자상수의 차이(격자 불일치)를 이용한 자발 형성방법(self assembled growth mode)에 의해 성장된 단층 양자점을 수직으로 적층하기 위하여는 양자점층 위에 형성되는 덮개층의 표면의 균일도가 매우 중요하다. 수직으로 적층되는 양자점 각 층의 표면 형상을 각 층별로 일정하게 유지하기 위한 방법으로 양자점을 성장시킨 후 덮개층을 성장시키는 도중에 온도를 고온으로 상승시켜서, 즉 덮개층을 일정한 두께로 성장시킨 후 덮개층 성장온도를 높혀서 나머지 덮개층을 성장시키면 덮개층의 표면 균일도가 향상되며, 이 덮개층 위에 형성되는 양자점층 또한 균일도를 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050032297A

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：KR1020030068329

申请日：2003-10-01

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  권순용 ,  김현진 ,  나현석

IPC: H01L21/20

Abstract: A method for growing an epitaxial layer of a nitride semiconductor using a high temperature grown buffer layer is provided to easily grow an epitaxial layer of the same kind as a high temperature grown buffer layer on the high temperature grown buffer layer by growing a buffer layer of a nitride semiconductor on a substrate at a temperature higher than a proper growth temperature of a real epitaxial layer instead of a low temperature buffer layer. A III-group element and a nitrogen element are supplied to a substrate disposed in a chamber to grow a nitride semiconductor buffer layer at a temperature higher than an epitaxial layer growth temperature(S1). The supply of the III-group element is disconnected to convert the nitride semiconductor buffer layer into a nitride semiconductor buffer layer having a two-dimensional uniform thickness(S2). The temperature of the substrate is reduced to the epitaxial layer growth temperature(S3). The III-group element and the nitrogen element are supplied at the epitaxial layer growth temperature to grow a nitride semiconductor epitaxial layer of the same kind as the nitride semiconductor buffer layer(S5).

Abstract translation: 提供了使用高温生长缓冲层来生长氮化物半导体的外延层的方法，以便通过生长高温生长缓冲层上的缓冲层来容易地生长与高温生长缓冲层上相同种类的外延层 氮化物半导体在高于实际外延层的适当生长温度而不是低温缓冲层的温度下在衬底上。 将III族元素和氮元素供给到设置在室中的基板，以在高于外延层生长温度的温度（S1）生长氮化物半导体缓冲层。 断开III族元件的供给，以将氮化物半导体缓冲层转换成具有二维均匀厚度的氮化物半导体缓冲层（S2）。 衬底的温度降低到外延层生长温度（S3）。 以外延层生长温度提供III族元素和氮元素，以生长与氮化物半导体缓冲层相同类型的氮化物半导体外延层（S5）。

公开(公告)号：KR1020070104715A

公开(公告)日：2007-10-29

申请号：KR1020060036547

申请日：2006-04-24

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준

IPC: H01L33/16

Abstract: A substrate with a pattern and a manufacturing method thereof are provided to improve the uniformity of the pattern by forming the pattern through deposition of the same amorphous as the substrate. An amorphous film is deposited on a single crystal substrate(20), the amorphous film being made of the same kind as the substrate. The amorphous film is patterned to form an amorphous film pattern. The amorphous film is recrystallized through heat treatment to form a single crystal pattern(22b). The substrate is made of sapphire, and the recrystallizing process is performed at a temperature of 900 to 1300 degrees under an atmosphere of oxygen, nitrogen or its mixture.

Abstract translation: 提供具有图案的基板及其制造方法，以通过通过沉积与基板相同的非晶形状来形成图案来提高图案的均匀性。 非晶膜沉积在单晶衬底（20）上，该非晶膜由与衬底相同的类型制成。 将非晶膜图案化以形成非晶膜图案。 通过热处理使非晶膜重结晶，形成单晶图案（22b）。 基板由蓝宝石制成，在氧，氮或其混合气氛下，在900〜1300度的温度下进行再结晶。

公开(公告)号：KR100513923B1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：KR1020040063722

申请日：2004-08-13

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  권순용 ,  문필경

IPC: H01L33/06

Abstract: 본 발명은 In-rich InGaN 양자우물층을 성장시키는 방법 및 이를 이용하는 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, Al
x Ga
y In
1-xy N (0≤x≤1, 0

公开(公告)号：KR1020050006409A

公开(公告)日：2005-01-17

申请号：KR1020030046119

申请日：2003-07-08

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤의준 ,  나현석

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/7624

Abstract: PURPOSE: A method for growing a semiconductor epi layer by transformation of a nitride interlayer semiconductor epi layer into a metal phase is provided to prevent a substrate from being warped by stress by easily removing a metal layer from a heterogeneous substrate such that the metal layer is transformed from a nitride interlayer epi layer. CONSTITUTION: The first nitride semiconductor epi layer(110) is grown on a heterogeneous substrate(100). A nitride interlayer semiconductor epi layer is grown on the first nitride semiconductor epi layer, capable of being transformed into a metal layer(120a) at a high temperature. While the nitride interlayer semiconductor epi layer is maintained, the second nitride semiconductor epi layer(130) is grown on the nitride interlayer semiconductor epi layer. The nitride interlayer semiconductor epi layer is transformed into a metal layer. The stress generated in a growth process is relaxed, the third nitride epi layer(140) is grown by using the second nitride semiconductor epi layer as a seed layer.

Abstract translation: 目的：提供一种通过将氮化物中间层半导体外延层转变成金属相来生长半导体外延层的方法，以通过容易地从异质衬底去除金属层以防止衬底由于应力而翘曲，使得金属层为 从氮化物中间层外延层转变。 构成：第一氮化物半导体外延层（110）在非均相衬底（100）上生长。 氮化物层间半导体外延层在第一氮化物半导体外延层上生长，能够在高温下转变成金属层（120a）。 在保持氮化物层间半导体外延层的同时，在氮化物层间半导体外延层上生长第二氮化物半导体外延层（130）。 将氮化物中间层半导体外延层转变成金属层。 在生长过程中产生的应力松弛，通过使用第二氮化物半导体外延层作为种子层，生长第三氮化物外延层（140）。