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    고온강도가 우수한 오스테나이트강
    3.
    发明申请
    고온강도가 우수한 오스테나이트강 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019022460A1

    公开(公告)日：2019-01-31

    申请号：PCT/KR2018/008322

    申请日：2018-07-24

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 ,  주식회사 계양정밀

    Inventor： 유지성 ,  이성학 ,  김기용 ,  김형준

    IPC: C22C38/58 ,  C22C38/44

    Abstract: 본 발명은 터보차저용과 같이 매우 높은 온도에 사용되는 내열 스테인리스강(heat resistant stainless steel)에 다량 포함되는 고가의 합금원소인 니켈(Ni)을 저가 합금원소로 대체하면서도, 기존의 내열 스테인리스강과 동등 이상의 고온 물성을 구현할 수 있는 것에 관한 것이다. 본 발명에 따른 오스테나이트강은, 탄소(C): 0.35~0.5중량%, 실리콘(Si): 1.0~2.0중량%, 망간(Mn): 6.0~9.0중량%, 니켈(Ni): 13.5~15.5중량%, 크롬(Cr): 23~26중량%, 몰리브덴(Mo): 1.5~4.5중량%, 나머지 철(Fe) 및 불가피한 불순물을 포함하며, 상기 합금원소 중 니켈(Ni) 함량에 대한 망간(Mn) 함량의 비율, C Mn /C Ni 이 0.4~0.65 범위를 유지하는 것을 특징으로 한다.

    텅스텐 저감형 터보차저 터빈하우징용 내열주강 및 이를 이용한 터보차저 터빈하우징
    5.
    发明申请
    텅스텐 저감형 터보차저 터빈하우징용 내열주강 및 이를 이용한 터보차저 터빈하우징 审中-公开
    用于涡轮增压器壳体的耐热铸钢，需要更少的钨，以及使用相同的涡轮增压器壳体

    公开(公告)号：WO2018016878A1

    公开(公告)日：2018-01-25

    申请号：PCT/KR2017/007781

    申请日：2017-07-19

    Applicant: (주)계양정밀 ,  포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 김형준 ,  김기용 ,  장성식 ,  이성학 ,  정승문

    IPC: C22C38/60 ,  F02B39/00 ,  C22C38/04 ,  C22C38/02 ,  C22C38/58 ,  C22C38/44 ,  C22C38/48

    CPC classification number: C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/44 ,  C22C38/48 ,  C22C38/58 ,  C22C38/60 ,  F02B39/00

    Abstract: 본 발명은 터보차저 터빈하우징용 내열주강 및 이를 이용한 터보차저 터빈하우징에 관한 것으로서, 터보차저 터빈하우징용 내열주강은 탄소(C) 0.40 ~ 0.50 중량%, 규소(Si) 1.0 ~ 2.0 중량%, 망간(Mn) 1.0 ~ 2.0 중량%, 니켈(Ni) 9.0 ~ 12.0 중량%, 크롬(Cr) 21 ~ 24 중량%, 니오븀(Nb) 1.0 ~ 2.5 중량%, 텅스텐(W) 0.5 ~ 2.2 중량%, 인(P) 0.045 중량% 이하, 황(S) 0.05 ~ 0.18 중량% 및 잔부의 철(Fe)을 포함하며, 고비용의 텅스텐을 최소한도로 첨가하면서도 고온에서의 기계적 내구성 및 열피로 수명이 향상된 터보차저 터빈하우징의 제조가 가능한 내열주강에 관한 것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及用于涡轮增压器涡轮机壳体的耐热铸钢和使用其的涡轮增压器壳体，涡轮增压器壳体用耐热铸钢包含0.40-0.50重量％的碳（C），1.0-2.0 （Si），1.0-2.0重量％的锰（Mn），9.0-12.0重量％的镍（Ni），21-24重量％的铬（Cr），1.0-2.5重量％的铌（Nb） ），钨（W）0.5-2.2重量％，磷（P）0.045重量％或更少，和硫（S）0.05-0.18重量％，其余为铁（Fe），耐热铸件 允许生产涡轮增压器涡轮机壳体，其需要尽可能少地添加高成本的钨，并且具有改进的高温下的热疲劳寿命和机械耐久性。

    수직 배열된 나노튜브의 제조방법, 센서구조의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서소자
    7.
    发明公开
    수직 배열된 나노튜브의 제조방법, 센서구조의 제조방법 및 이에 의해 제조된 센서소자 有权
    垂直对准的纳米管和传感器结构的制造方法及其制造的传感器元件

    公开(公告)号：KR1020110007814A

    公开(公告)日：2011-01-25

    申请号：KR1020090065446

    申请日：2009-07-17

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 양승윤 ,  전금혜 ,  김형준 ,  손종역 ,  이창수 ,  김진곤 ,  변진석

    IPC: B82B3/00 ,  G01N27/12 ,  G01N27/00

    CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing vertically aligned nanotubes is provided to obtain excellent performance at high temperature. CONSTITUTION: A method for manufacturing vertically aligned nanotubes comprises: a step of forming a polymer film on a substrate; a step of forming an AAO mask with pore structure on the film; a step of transferring the pore structure of the AAO mask to the polymer film by etching process; a step of removing the AAO mask; a step of forming a thin film on a polymer template; and a step of performing thermal decomposition to remove the polymer template.

    Abstract translation: 目的：提供一种制造垂直排列的纳米管的方法，以在高温下获得优异的性能。 构成：用于制造垂直取向的纳米管的方法包括：在基板上形成聚合物膜的步骤; 在膜上形成孔结构的AAO掩模的步骤; 通过蚀刻工艺将AAO掩模的孔结构转移到聚合物膜的步骤; 去除AAO面膜的步骤; 在聚合物模板上形成薄膜的步骤; 以及进行热分解以除去聚合物模板的步骤。

    선택적 에피 성장과 블록공중합체 나노템플레이트를 이용한나노점의 제조방법 및 이에 의한 반도체 소자
    8.
    发明公开
    선택적 에피 성장과 블록공중합체 나노템플레이트를 이용한나노점의 제조방법 및 이에 의한 반도체 소자 失效
    使用选择性外延生长和嵌段共聚物纳米微粒的纳米复合材料的制造方法和制造的半导体元件

    公开(公告)号：KR1020100041946A

    公开(公告)日：2010-04-23

    申请号：KR1020080101003

    申请日：2008-10-15

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 황인찬 ,  김형준 ,  박상준

    IPC: H01L21/20 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02601

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing nano-dots and a semiconductor device using the same are provided to adjust the size, the shape, the density and the height of the nano-dots by controlling an operation condition for the self-assembly of a block copolymer and the time for the epitaxial growth of silicon germanium. CONSTITUTION: An oxide layer is formed on a silicon substrate. A first nano-template with a plurality of holes is formed on the oxide layer by the self-assembly of a block copolymer. The nano-pattern of the nano-template is transferred to the oxide layer in order to form a second nano-template. The first nano-template is removed. The silicon substrate is exposed through holes of the second nano-template. Silicon germanium is grown by epitaxial growing. The second nano-template is removed.

    Abstract translation: 目的：提供一种制造纳米点的方法和使用该方法的半导体器件，通过控制嵌段共聚物的自组装操作条件来调节纳米点的尺寸，形状，密度和高度 以及硅锗外延生长的时间。 构成：在硅衬底上形成氧化物层。 通过嵌段共聚物的自组装，在氧化物层上形成具有多个孔的第一纳米模板。 将纳米模板的纳米图案转移到氧化物层以形成第二纳米模板。 第一个纳米模板被去除。 硅衬底通过第二纳米模板的孔露出。 硅锗通过外延生长生长。 第二个纳米模板被去除。

    열처리 공정 없는 플라스마 원자층 증착법을 이용한 금속실리사이드 박막의 제조방법
    9.
    发明公开
    열처리 공정 없는 플라스마 원자층 증착법을 이용한 금속실리사이드 박막의 제조방법 失效
    通过等离子体增强的原子层沉积制备金属硅酸盐薄膜的制造方法

    公开(公告)号：KR1020090033665A

    公开(公告)日：2009-04-06

    申请号：KR1020070098812

    申请日：2007-10-01

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 이한보람 ,  손종역 ,  김형준

    IPC: H01L21/20

    CPC classification number: H01L21/28556 ,  H01L21/28518

    Abstract: A method of manufacturing the metallic silicide layer using the plasma atomic layer deposition is provided to form the metal silicide without the thermal process and to maintain the thermal stability of the device structure. The metallic silicide layer is manufactured by the PE-ALD(plasma-enhanced atomic layer deposition) method. Firstly, the metal precursor is put into in the atomic layer deposition equipment. The metal precursor is absorbed on the semiconductor substrate. The evaporated metal precursor is reduced to metal by the gas plasma. The reducing metal reacts to the material including silicon to form the metal silicide. The material including silicon can be silane. The metal precursor can be the cobalt precursor, and the titanium precursor or the nickel precursor.

    Abstract translation: 提供了使用等离子体原子层沉积来制造金属硅化物层的方法，以在没有热处理的情况下形成金属硅化物，并且保持器件结构的热稳定性。 金属硅化物层通过PE-ALD（等离子体增强原子层沉积）方法制造。 首先将金属前体放入原子层沉积设备中。 金属前体被吸收在半导体衬底上。 蒸发的金属前体通过气体等离子体还原成金属。 还原金属与包括硅在内的材料反应形成金属硅化物。 包括硅的材料可以是硅烷。 金属前体可以是钴前体，钛前体或镍前体。

    플라스마 질화법을 이용한 반도체 소자의 금속 실리사이드형성 방법
    10.
    发明授权
    플라스마 질화법을 이용한 반도체 소자의 금속 실리사이드형성 방법 失效
    使用等离子体氮化法在半导体器件中形成金属硅化物层的方法

    公开(公告)号：KR100872801B1

    公开(公告)日：2008-12-09

    申请号：KR1020070073333

    申请日：2007-07-23

    Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

    Inventor： 이한보람 ,  구길호 ,  박찬경 ,  김형준

    IPC: H01L21/28

    CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76838

    Abstract: The method the fabricating the metal silicide of the semiconductor device is provided to control the thickness of the nitride diffusion film by using the plasma exposure. The method for manufacturing the metal silicide comprises as follows. The nitride thin film is formed on the silicon substrate. The metallic film is formed on the nitride thin film. The metal silicide is formed by performing a heat treatment on the thin film. The nitride thin film is formed through the plasma nitridation method. The Ti anti-oxidation layer for preventing the oxidation caused by the thermal budget is formed on the metal thin film. The Ti anti oxidation layer is formed after the metal thin film deposition is performed and exposed in air.

    Abstract translation: 提供了制造半导体器件的金属硅化物的方法，以通过使用等离子体曝光来控制氮化物扩散膜的厚度。 金属硅化物的制造方法如下。 氮化物薄膜形成在硅衬底上。 金属膜形成在氮化物薄膜上。 通过对薄膜进行热处理来形成金属硅化物。 通过等离子体氮化法形成氮化物薄膜。 在金属薄膜上形成用于防止由热预算引起的氧化的Ti抗氧化层。 在金属薄膜沉积进行并在空气中暴露之后形成Ti抗氧化层。

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