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公开(公告)号:KR101731497B1
公开(公告)日:2017-04-28
申请号:KR1020150082816
申请日:2015-06-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L21/3065 , H01L21/3105
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은반도체기판상에저융점금속을증착하는단계, 상기저융점금속이증착된기판을건식에칭하는단계및 상기건식에칭된기판으로부터상기금속을제거하는단계를포함하는반도체기판의텍스쳐링방법, 이방법에따라제조된반도체기판및 이를포함하는태양전지를제공한다. 본발명에따르면경제적이고, 풀웨이퍼(full wafer) 스케일의대면적응용이가능한반도체기판의텍스쳐링방법을제공할수 있고, 이렇게제조된반도체기판의경우광흡수율이우수하며초박형태양전지에적용이가능하다.
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3.반도체 기판의 텍스쳐링 방법, 이 방법에 의해 제조된 반도체 기판 및 이를 포함하는 태양전지 有权
Title translation: 通过包括其的方法和太阳能电池制造的半导体衬底半导体衬底的纹理方法公开(公告)号:KR1020160146126A
公开(公告)日:2016-12-21
申请号:KR1020150082816
申请日:2015-06-11
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L21/3065 , H01L21/3105
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은반도체기판상에저융점금속을증착하는단계, 상기저융점금속이증착된기판을건식에칭하는단계및 상기건식에칭된기판으로부터상기금속을제거하는단계를포함하는반도체기판의텍스쳐링방법, 이방법에따라제조된반도체기판및 이를포함하는태양전지를제공한다. 본발명에따르면경제적이고, 풀웨이퍼(full wafer) 스케일의대면적응용이가능한반도체기판의텍스쳐링방법을제공할수 있고, 이렇게제조된반도체기판의경우광흡수율이우수하며초박형태양전지에적용이가능하다.
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公开(公告)号:KR101626369B1
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:KR1020140046189
申请日:2014-04-17
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명의시료주입기(10)는제1 내부공간을가지는몸체(15); 상기몸체(15)의일측단부에연결되고시료가적재되는제2 내부공간을가지는튜브(14); 상기제1 내부공간에서이동및 정지가가능한압축바(11); 및상기압축바(11)에연결되어, 상기압축바(11)의이동에따라제2 내부공간의부피를변화시킬수 있도록제2 내부공간에서이동및 정지가가능한플런저(13);을포함한다. 또한, 상기시료주입기(10)를사용하여, 시료를주입하는방법을제공한다. 이를통하여미량의시료를간단하게포집할수 있고, 시료를포집하는시간이저울을사용하는것에비하여 10배이상단축시킬수 있는등의효과를얻을수 있다.
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公开(公告)号:KR1020150120212A
公开(公告)日:2015-10-27
申请号:KR1020140046189
申请日:2014-04-17
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명의시료주입기(10)는제1 내부공간을가지는몸체(15); 상기몸체(15)의일측단부에연결되고시료가적재되는제2 내부공간을가지는튜브(14); 상기제1 내부공간에서이동및 정지가가능한압축바(11); 및상기압축바(11)에연결되어, 상기압축바(11)의이동에따라제2 내부공간의부피를변화시킬수 있도록제2 내부공간에서이동및 정지가가능한플런저(13);을포함한다. 또한, 상기시료주입기(10)를사용하여, 시료를주입하는방법을제공한다. 이를통하여미량의시료를간단하게포집할수 있고, 시료를포집하는시간이저울을사용하는것에비하여 10배이상단축시킬수 있는등의효과를얻을수 있다.
Abstract translation: 本发明的样品注射器(10)包括:具有第一内部空间的主体(15); 连接到所述主体(15)的一个端部并且具有第二内部空间的管(14),所述第二内部空间中装载有样品; 能够在第一内部空间中移动和停止的压缩杆(11); 以及连接到所述压缩杆(11)并且能够在所述第二内部空间中移动和停止以根据所述压缩杆(11)的移动来改变所述第二内部空间的体积的柱塞(13)。 此外,本发明提供了一种通过使用样品注射器(10)注入样品的方法。 因此,可以容易地收集少量的样品,并且收集样品的时间可以比使用刻度减少十倍。
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公开(公告)号:KR101934569B1
公开(公告)日:2019-01-02
申请号:KR1020170126389
申请日:2017-09-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L31/0392 , H01L31/0376
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公开(公告)号:KR101797117B1
公开(公告)日:2017-11-14
申请号:KR1020150133469
申请日:2015-09-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0288
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은핸들웨이퍼및 초박형실리콘웨이퍼를접합하는단계, 상기초박형실리콘웨이퍼상에도핑소스층을코팅하는단계, 상기도핑소스층을패터닝하는단계, 상기패터닝된도핑소스층상에플래쉬램프(flash lamp)로빛을조사하여도펀트를상기초박형실리콘웨이퍼내부로확산시키는단계, 상기패터닝된도핑소스층을제거하는단계, 상기초박형실리콘웨이퍼상에패시베이션층을형성하고, 상기도펀트가확산된영역이노출되도록패터닝하는단계및 상기도펀트가확산된영역상에전극을형성하는단계를포함하는초박형실리콘태양전지제조방법을제공한다.
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公开(公告)号:KR1020170035009A
公开(公告)日:2017-03-30
申请号:KR1020150133469
申请日:2015-09-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0445 , H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0288
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은핸들웨이퍼및 초박형실리콘웨이퍼를접합하는단계, 상기초박형실리콘웨이퍼상에도핑소스층을코팅하는단계, 상기도핑소스층을패터닝하는단계, 상기패터닝된도핑소스층상에플래쉬램프(flash lamp)로빛을조사하여도펀트를상기초박형실리콘웨이퍼내부로확산시키는단계, 상기패터닝된도핑소스층을제거하는단계, 상기초박형실리콘웨이퍼상에패시베이션층을형성하고, 상기도펀트가확산된영역이노출되도록패터닝하는단계및 상기도펀트가확산된영역상에전극을형성하는단계를포함하는초박형실리콘태양전지제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明是在以下步骤的闪光灯,超薄硅晶片上涂布掺杂源层的图案化步骤,所述掺杂剂源层,图案化的掺杂的源极层以粘合处理晶片和超薄硅晶片(闪光灯) 扩散掺杂剂的步骤照射robit到超薄硅晶片,移除图案化掺杂的源极层,和形成超薄硅晶片上的钝化层,和图案化,以使所述掺杂物暴露于扩散区域 步骤和用于制造超薄硅太阳能电池包括掺杂剂形成在扩散区上的电极的步骤提供了一种方法。
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公开(公告)号:KR101575854B1
公开(公告)日:2015-12-10
申请号:KR1020140085341
申请日:2014-07-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/054 , H01L21/027 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/054 , H01L21/027 , H01L31/18
Abstract: 태양전지용웨이퍼구조체는초박형웨이퍼; 및광 흡수를증가시키기위해상기초박형웨이퍼의표면에주기적으로배치된복수의나노구조체를포함하되, 상기나노구조체는디스크의형상을가진다. 또한, 태양전지용웨이퍼구조체의제조방법은초박형웨이퍼의표면에에치(etch) 마스크또는금속촉매박막을형성하는단계; 상기마스크또는금속촉매박막이형성된상기초박형웨이퍼를에칭하는단계; 및상기에치마스크또는금속촉매박막을제거함으로써, 상기초박형웨이퍼의표면에주기적으로배치된복수의나노구조체를형성하는단계;를포함하되, 나노리소그라피(nanolithography)를이용하며, 상기나노구조체는디스크의형상을가진다.
Abstract translation: 用于太阳能电池的晶片结构包括超薄型晶片和周期性地布置在超薄型晶片的表面上以增加光吸收的多个纳米结构。 纳米结构呈盘状。 此外,制造太阳能电池的晶片结构的方法包括:在超薄型晶片的表面上形成蚀刻掩模或金属催化剂薄膜的步骤; 蚀刻其上形成有掩模或金属催化剂薄膜的超薄型晶片的步骤; 以及通过去除蚀刻掩模或金属催化剂薄膜来形成周期性地设置在超薄型晶片的表面上的多个纳米结构的步骤。 使用纳米光刻制造晶片结构; 并且纳米结构是盘的形状。
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