公开(公告)号：KR102224624B1

公开(公告)日：2021-03-08

申请号：KR1020190023352A

申请日：2019-02-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정증현 ,  김인호 ,  김원목 ,  박종극 ,  유형근

IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/05 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0725 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/36 ,  B23K26/386 ,  B23K26/53 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/074 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1884 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/166 ,  Y02E10/541

Abstract: 본 발명의 일 관점에 따르면, 서로 다른 밴드갭을 갖는 2개 이상의 광흡수층이 적층된 다중접합 태양전지를 제공한다.
상기 다중접합 태양전지는 제 1 광흡수층을 구비하는 제 1 셀; 및 상기 제 1 셀 상에 전기적으로 직렬 연결된 제 2 셀;을 포함하고, 상기 제 2 셀은 상기 제 1 광흡수층보다 상대적으로 밴드갭이 더 큰 제 2 광흡수층 및 상기 제 2 광흡수층을 관통하는 복수개의 홈부를 포함한다.

公开(公告)号：WO2021002523A1

公开(公告)日：2021-01-07

申请号：PCT/KR2019/008303

申请日：2019-07-05

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 블라디미르코르니축 ,  정두석 ,  곽준영 ,  김재욱 ,  박종길 ,  김인호 ,  박종극 ,  이수연 ,  정연주 ,  장준연

IPC: G06N3/063

Abstract: 본 발명은 뉴로모픽 장치에 관한 것으로, 각각은 뉴런의 주소를 고유적으로 가지는 복수의 뉴런들을 포함하는 뉴런 블록부, 각각은 시냅스 주소를 고유적으로 가지는 복수의 시냅스들을 포함하는 시냅스 블록부 및 상기 시냅스 주소 중 제1 시냅스 주소를 기초로 분할되고, 각각은 상기 시냅스 주소 중 제2 시냅스 주소를 기초로 인덱싱되며 프리시냅틱 뉴런과 포스트시냅틱 뉴런의 주소들로 구성된 전후 뉴런 엘리먼트를 포함하는 복수의 병렬 LUT 모듈들을 포함하는 토폴로지 블록부를 포함한다.

公开(公告)号：WO2019054555A1

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：PCT/KR2017/012212

申请日：2017-11-01

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이도권 ,  김인호 ,  김원목 ,  박종극 ,  이택성 ,  정두석 ,  이현승 ,  정증현

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02601 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31116 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명은 반도체 기판을 텍스쳐링하는 방법과, 이 방법에 의해 제조된 반도체 기판, 그리고, 이러한 반도체 기판을 포함하는 태양 전지를 개시하고 있다. 본 발명의 일실시예는, 반도체 기판 상에 금속 나노 입자를 형성하는 금속 나노 입자 형성 단계와, 상기 반도체 기판을 에칭하는 제1 식각 단계와, 상기 금속 나노 입자를 제거하는 금속 나노 입자 제거 단계, 그리고, 상기 제1 식각 단계에서 에칭된 반도체 기판을 에칭하여 나노 구조체를 형성하는 제2 식각 단계를 포함하는 반도체 기판을 텍스쳐링하는 방법을 제공한다.

公开(公告)号：WO2019054550A1

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：PCT/KR2017/011586

申请日：2017-10-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정증현 ,  김원목 ,  박종극

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0324 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/18

Abstract: 본 발명의 일관점에 따르면 기판; 상기 기판 상부에 형성된 투명 전도성 산화물 후면전극; 상기 투명 전도성 산화물 후면전극의 상부에 형성된 적어도 Cu, Ga 및 Ag을 포함하는 칼코게나이드계 광흡수층; 및 상기 칼코게나이드계 광흡수층 상부에 형성된 투명 전도성 산화물 전면전극을 포함하며, 상기 칼코게나이드계 광흡수층이 상기 투명 전도성 산화물 후면전극에 접하는 계면영역에는 Cu의 함량이 상기 칼코게나이드계 광흡수층의 평균 Cu 함량에 비해 상대적으로 높은 Cu-과잉영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 칼코게나이드계 태양전지가 제공된다.

公开(公告)号：KR1020180016786A

公开(公告)日：2018-02-20

申请号：KR1020160100552

申请日：2016-08-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이욱성 ,  고영진 ,  백영준 ,  박종극 ,  이경석 ,  김인호 ,  정두석

IPC: C23C16/32 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/56 ,  C23C16/52 ,  C25B1/04 ,  C25B11/04 ,  C01G41/00

CPC classification number: C25B11/0415 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C16/32 ,  C23C16/503 ,  C23C16/56 ,  C25B11/02 ,  C25B11/0447 ,  Y02E60/366 ,  C01G41/00 ,  C01P2004/24 ,  C23C16/50 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C25B1/04

Abstract: 텅스텐카바이드나노플레이크(nanoflake)를이용한수소생산용전극의제조방법은, 수소플라즈마가인가되는화학기상증착공정을이용하여, 나노결정다이아몬드박막상에텅스텐카바이드나노플레이크를제조하는단계; 및상기텅스텐카바이드나노플레이크의표면으로부터산화물층또는그래핀층을제거함으로써상기텅스텐카바이드나노플레이크의수소발생반응에대한활성을증가시키는단계를포함한다. 텅스텐카바이드형성후 사이클릭세정(cyclic cleaning)을통하여텅스텐카바이드표면의산화물층및/또는그래핀층을제거함으로써, 텅스텐카바이드의수소발생반응(Hydrogen Evolution Reaction) 활성을증가시켜촉매전극으로서의활용도를높일수 있다.

Abstract translation: 使用（纳米片）制造电极用于氢气生产的碳化钨纳米片方法包括：使用在其中应用氢等离子体的化学气相沉积工艺，制造纳米晶体金刚石薄膜的碳化钨纳米片箔片的步骤; 和一个步骤，以通过从所述被钉扎层或是碳化钨纳米片的表面除去氧化物层增加所述碳化钨纳米片的氢生成反应的活性。 通过去除该氧化物层和/或是在表面碳化钨钉扎层之间的通过点击洗涤（环状清洗）碳化钨形成后，通过增大氢产生反应（析氢反应）的活性碳化钨可以增强利用作为催化剂的电极 。

公开(公告)号：KR1020150048304A

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：KR1020130127882

申请日：2013-10-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정증현 ,  김원목 ,  백영준 ,  김홍곤 ,  노재훈 ,  박종극

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/0725 ,  H01G9/20 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749

Abstract: 태양전지는기판, 후면전극, 제1 광흡수층이차례로적층된제1 태양전지셀; 및제1 태양전지셀 상에아연주석산화물을포함하는적어도하나의제1 전극층과투명전극물질을포함하는적어도하나의제2 전극층이적층된다층구조의투명전극을포함한다. 이에따라, 내수분성및 내화학성이우수하고동시에전기전도성이향상된태양전지를제공할수 있다.

Abstract translation: 太阳能电池包括：第一太阳能电池，其中基板，背面电极，第一光吸收层被连续堆叠; 以及具有多层结构的透明电极，其中层叠有在第一太阳能电池上包括锌薄氧化物的至少一个第一电极层和包括透明电极材料的至少一个第二电极。 因此，可以提供具有优异的耐湿性和耐化学性能以及改善的导电性的太阳能电池。

公开(公告)号：KR101313753B1

公开(公告)日：2013-10-14

申请号：KR1020120049140

申请日：2012-05-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이욱성 ,  이학주 ,  백영준 ,  박종극

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C23C16/26 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/18 ,  Y10S977/842 ,  Y10T428/25

Abstract: PURPOSE: A method for growing carbon nanoflakes and a carbon nanoflake structure formed by the same are provided to enable a user to easily grow nanoflakes without an additional catalyst or plasma. CONSTITUTION: A method for growing carbon nanoflake comprises the steps of: preparing a silicone substrate equipped with carbon nanotubes; growing carbon nanoflakes on carbon nanotubes in a chemical vapor-deposition process using the mixing gas of methane, hydrogen and argon as a precursor. In the chemical vapor-deposition process, argon is excessive in the mixing gas of methane, hydrogen and argon. Graphene layers constituting carbon nanotubes are partially etched in an argon-excessive atmosphere. Graphene layers of carbon nanoflakes grow at the position of etching. [Reference numerals] (CNT,CNF) Graphene layer

Abstract translation: 目的：提供用于生长碳纳米片和由其形成的碳纳米沉淀结构的方法，以使使用者能够容易地在没有另外的催化剂或等离子体的情况下生长纳米片。 构成：生长碳纳米片的方法包括以下步骤：制备配备有碳纳米管的硅树脂基材; 在使用甲烷，氢气和氩气的混合气体作为前体的化学气相沉积方法中在碳纳米管上生长碳纳米片。 在化学气相沉积过程中，在甲烷，氢气和氩气的混合气体中氩气过多。 构成碳纳米管的石墨烯层在氩气过量的气氛中被部分蚀刻。 碳纳米片的石墨烯层在蚀刻位置生长。 （参考标号）（CNT，CNF）石墨烯层

公开(公告)号：KR1020130109795A

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：KR1020120031830

申请日：2012-03-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이욱성 ,  이학주 ,  백영준 ,  박종극

IPC: C23C16/27 ,  C01B31/06 ,  B82B3/00

CPC classification number: C23C16/27 ,  C23C16/02 ,  C23C16/0254 ,  C23C16/271 ,  C23C16/272 ,  B82B3/00 ,  C01B32/25

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nano-crystalline diamond thin film is provided to maximize the electrostatic attraction between the substrate surface and the nano-diamond particles, thereby uniformly distributing and coupling the nano-diamond particles on the silicon oxide film of the substrate. CONSTITUTION: A method for manufacturing a nano-crystalline diamond thin film comprises the following steps. A silicone substrate surface coated with a silicon oxide film (SiO2) is processed with the hydro plasma or the plasma mixed with hydrogen and hydrocarbon or the silicone substrate surface is heat-treated under the mixed gas atmosphere with the hydrogen and hydrocarbon. After the coated substrate is put in the solution in which nano-diamond particles are dispersed, the nano-diamond particles are scattered on the substrate and are coupled with the substrate surface by emitting ultrasound. In a state where the nano-diamond particles are coupled to the substrate through the ultrasound scattering step, the diamond thin film is grown by applying the process of chemical vapor deposition.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造纳米晶体金刚石薄膜的方法，以使衬底表面和纳米金刚石颗粒之间的静电吸引力最大化，从而将纳米金刚石颗粒均匀地分布并耦合在衬底的氧化硅膜上。 构成：制造纳米晶体金刚石薄膜的方法包括以下步骤。 涂覆有氧化硅膜（SiO 2）的硅树脂基材表面用氢等离子体或等离子体与氢气和烃混合，或者在混合气体气氛下与氢气和烃进行热处理。 将涂布的基材放入其中分散有纳米金刚石颗粒的溶液中后，纳米金刚石颗粒被散射在基材上并通过发射超声波与基板表面耦合。 在通过超声波散射步骤将纳米金刚石颗粒与基底结合的状态下，通过施加化学气相沉积的方法生长金刚石薄膜。

公开(公告)号：KR1020130091468A

公开(公告)日：2013-08-19

申请号：KR1020120012767

申请日：2012-02-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  박종극 ,  이욱성

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L23/3732 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/205 ,  H01L21/449

Abstract: PURPOSE: A diamond heat spreader and a manufacturing method thereof are provided to maximize heat conductivity by increasing a ratio of columnar particles which are horizontally arranged on a substrate. CONSTITUTION: The cross section of a diamond crystal structure has a radial columnar structure. Columnar particles are radially arranged on the radial columnar structure. Each radial columnar structure is grown around a seed point by a chemical vapor deposition process. The seed point is locally formed on the substrate. Diamond particles are separately arranged on the substrate. [Reference numerals] (AA) Radial columnar tissue; (BB) Diamond columnar particle; (CC) Grain boundary; (DD) Substrate; (EE) Seed point

Abstract translation: 目的：提供一种金刚石散热器及其制造方法，以通过增加水平布置在基板上的柱状颗粒的比例来最大限度地提高导热性。 构成：金刚石晶体结构的横截面具有径向柱状结构。 柱状颗粒径向布置在径向柱状结构上。 每个径向柱状结构通过化学气相沉积工艺在种子点附近生长。 种子点局部形成在基底上。 金刚石颗粒分别布置在基底上。 （标号）（AA）径向柱状组织; （BB）金刚石柱状颗粒; （CC）谷物边界; （DD）基材; （EE）种子点

公开(公告)号：KR101165329B1

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：KR1020120046828

申请日：2012-05-03

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 백영준 ,  박종극 ,  이욱성

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/46

CPC classification number: C23C16/342 ,  C23C14/024 ,  C23C14/06 ,  C23C14/0647 ,  C23C14/34 ,  C23C14/46 ,  C23C16/271 ,  Y10T428/30

Abstract: PURPOSE: A cBN(cubic Boron Nitride) film and a manufacturing method thereof are provided to restrict harmful effects on the surface of nano-crystalline diamond and the residual stress applied to cBN by adding hydrogen in reactive gas and controlling the timing of hydrogen supply during synthesis of cBN. CONSTITUTION: A method for manufacturing a cBN film is as follows. A cBN film is formed on a nano crystalline diamond film through a PVD(Physical Vapor Deposition) process. In the PVD process, reactive gas supplied at the timing of film deposition is a mixed gas of Ar and N2. H2 is added to the reactive gas at a specific time after the film deposition.

Abstract translation: 目的：提供一种cBN（立方氮化硼）膜及其制造方法，以通过在反应气体中加入氢气来限制对纳米晶金刚石表面的有害影响和施加到cBN上的残余应力，并控制氢气供应时间 合成cBN。 构成：制造cBN膜的方法如下。 通过PVD（物理气相沉积）工艺在纳米结晶金刚石膜上形成cBN膜。 在PVD工艺中，在膜沉积时提供的反应气体是Ar和N2的混合气体。 在成膜后的特定时间将H 2加入到反应气体中。