公开(公告)号：KR101791154B1

公开(公告)日：2017-10-30

申请号：KR1020160032520

申请日：2016-03-18

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이수연 ,  정병기 ,  김성근 ,  황도경 ,  주현수 ,  이영택

IPC: H04N5/369 ,  H01L27/146 ,  G02B5/22 ,  H04N9/73

CPC classification number: H01L31/0324 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14647 ,  H01L31/032 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1129

Abstract: 실시예들은기판, 기판상에형성된제1 색상을위한제1 칼코지나이드물질층, 상기제1 칼코지나이드물질층상에형성된제2 색상을위한제2 칼코지나이드물질층및 상기제2 칼코지나이드물질층상에형성된제3 색상을위한제3 칼코지나이드물질층을포함하는칼코지나이드물질기반의필터리스컬러이미지센서에관련된다.

Abstract translation: 实例包括第一刀砷化浩二材料层，用于第二颜色的第一第二刀浩二砷化材料层是由剑浩二砷化材料层和所述第二刀曲为形成在基板上的第一颜色，所述衬底形成 并且在非胆碱能材料层上形成用于第三颜色的第三硫属化物材料层。

公开(公告)号：KR101436924B1

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：KR1020130039961

申请日：2013-04-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정병기 ,  이수연 ,  안형우 ,  신상열 ,  김수동

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/141 ,  H01L45/143 ,  H01L45/145 ,  H01L45/1608

Abstract: According to the present invention, provided is a method for manufacturing an ovonic threshold switching device with an N-doped chalcogenide material and the ovonic threshold switching device manufactured thereby. The method for manufacturing the ovonic threshold switching device with the N-doped chalcogenide material includes the steps of forming an insulation layer on a substrate; forming a first electrode on the insulation layer; forming a chalcogenide material including N, Ge, and Se on the first electrode; and forming a second electrode on the chalcogenide material.

Abstract translation: 根据本发明，提供一种用于制造具有N掺杂的硫族化物材料和由此制造的超声阈值开关器件的超声阈值开关器件的方法。 制造具有N掺杂硫族化物材料的超声阈值开关器件的方法包括在衬底上形成绝缘层的步骤; 在所述绝缘层上形成第一电极; 在所述第一电极上形成包括N，Ge和Se的硫族化物材料; 并在硫族化物材料上形成第二电极。

公开(公告)号：KR101131008B1

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：KR1020100127450

申请日：2010-12-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 정증현 ,  윤주헌 ,  김원목 ,  백영준 ,  박종극 ,  정병기

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A Se or S system thin film solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve photoelectric transformation efficiency of a solar battery by controlling preferred orientation of a light absorption layer through the bulk porosity adjustment of a preferred orientation control layer. CONSTITUTION: A back contact electrode(120) is formed on a substrate(110). The back contact electrode is composed of a double layer of a first back contact electrode(121) and a second back contact electrode(122). A preferred orientation control layer(130) is formed on the back contact electrode. A light absorption layer(140) is formed on the preferred orientation control layer. A window layer(150) is formed on the light absorption layer. A transparent electrode layer(160) is formed on the window layer.

Abstract translation: 目的：提供一种Se或S系薄膜太阳能电池及其制造方法，以通过通过优选的取向控制层的体积孔隙率调节来控制光吸收层的优选取向来提高太阳能电池的光电转换效率。 构成：背面接触电极（120）形成在基板（110）上。 背接触电极由第一背接触电极（121）和第二后接触电极（122）的双层构成。 在背面接触电极上形成优选的取向控制层（130）。 在优选的取向控制层上形成光吸收层（140）。 在光吸收层上形成窗口层（150）。 在窗口层上形成透明电极层（160）。

公开(公告)号：KR1020100097715A

公开(公告)日：2010-09-03

申请号：KR1020107014004

申请日：2007-12-28

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이수연 ,  정병기 ,  정증현 ,  이택성 ,  김원목

IPC: G11C13/02 ,  G11C16/10 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0033 ,  G11C16/3431 ,  G11C16/349 ,  G11C2013/0073

Abstract: PURPOSE: A phase change memory device and a programming method thereof are provided to increase durability by applying a reverse recovery pulse. CONSTITUTION: A phase change memory array(24) comprises a plurality of phase change memory devices. A pulse generator(22) comprises a write current pulse, an erase current pulse, and a reverse recovery current pulse for the phase change memory device of a phase change memory array. The direction of the reverse recovery pulse is opposite to the direction of the write current pulse and the erase current pulse of the phase memory device. The pulse generator includes a bidirectional pulse generator which flows a current in both directions of the phase change memory device.

Abstract translation: 目的：提供相变存储器件及其编程方法，以通过施加反向恢复脉冲来提高耐久性。 构成：相变存储器阵列（24）包括多个相变存储器件。 脉冲发生器（22）包括用于相变存储器阵列的相变存储器件的写入电流脉冲，擦除电流脉冲和反向恢复电流脉冲。 反向恢复脉冲的方向与相位存储器件的写入电流脉冲和擦除电流脉冲的方向相反。 脉冲发生器包括在相变存储器件的两个方向上流过电流的双向脉冲发生器。

公开(公告)号：KR100961488B1

公开(公告)日：2010-06-08

申请号：KR1020070134376

申请日：2007-12-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이경석 ,  김원목 ,  이택성 ,  정병기 ,  변지영

IPC: G02B1/10 ,  B82Y40/00 ,  G01N21/552

Abstract: 본 발명은 금속 나노복합체 코팅층 및 이의 형성 방법에 관한 것으로서, 구체적으로 나노미터 크기의 금속 입자가 광학적으로 흡수가 적은 기지상 내에 분산되어 있는 금속 나노복합체 광학 코팅층에 관한 것이다. 본 발명의 광학 코팅층은 금속 나노입자가 주변 기지상과 작용하여 표면 플라즈몬 공진 현상을 일으켜 미려한 색상을 나타낼 수 있으므로 표면 장식 코팅에 유용하다.
표면 플라즈마 공진, 나노복합체 코팅, 표면 장식

公开(公告)号：KR100930079B1

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：KR1020080027741

申请日：2008-03-26

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 황욱연 ,  김주호 ,  김중현 ,  이택성 ,  정병기 ,  이현석 ,  이수연 ,  김원목 ,  정증현

IPC: G11B7/24073 ,  G11B7/243

CPC classification number: G11B7/252 ,  G11B7/24065 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2533 ,  G11B7/259 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/2432

Abstract: A super-resolution optical recording medium includes a reflective layer formed on a substrate, a recording layer for recording information thereon, a super-resolution layer made of a chalcogenide semiconductor material, and a first and a second dielectric layers laminated on upper and lower surfaces of the super-resolution layer. The recording layer is made of a material that has a decomposition temperature higher than an information reproduction temperature and does not form bubble recording marks during recording, and the super-resolution layer contains one or more elements selected from the group consisting of nitrogen, oxygen, carbon, and boron.

Abstract translation: 超分辨率光学记录介质包括形成在衬底上的反射层，用于在其上记录信息的记录层，由硫属化物半导体材料制成的超分辨率层以及层叠在上表面和下表面上的第一和第二介电层 的超分辨率层。 记录层由分解温度高于信息再现温度的材料制成，并且在记录期间不形成气泡记录标记，并且超分辨率层包含选自氮，氧，硫和氮的一种或多种元素。 碳和硼。

公开(公告)号：KR100767333B1

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：KR1020060046409

申请日：2006-05-24

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 강대환 ,  김인호 ,  정병기 ,  정증현 ,  이택성 ,  김원목 ,  김기범

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L45/1675 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1625 ,  G11C13/0004

Abstract: A non-volatile electrical phase-change memory device and a manufacturing method thereof are provided to make a uniform temperature and phase distribution within a phase-change material layer by reducing contact resistance between phase change material and electrode material. A first interlayer dielectric(21), a bottom electrode layer(22), a second interlayer dielectric(23), a phase-change material layer(24) and a top electrode layer(25) are sequentially formed on a silicon substrate(20). A contact hole(23') penetrates the second interlayer dielectric to connect the phase-change material layer with the bottom electrode layer, and is filled with phase change material or bottom electrode material. An interfacial control layer(23") is formed at an interface between the phase change material and the bottom electrode material.

Abstract translation: 提供了一种非易失性电相变存储器件及其制造方法，通过降低相变材料和电极材料之间的接触电阻，使相变材料层内的温度和相位分布均匀。 在硅衬底（20）上依次形成第一层间电介质（21），底电极层（22），第二层间电介质（23），相变材料层（24）和顶电极层（25） ）。 接触孔（23'）穿透第二层间电介质以将相变材料层与底部电极层连接，并填充有相变材料或底部电极材料。 在相变材料和底部电极材料之间的界面处形成界面控制层（23“）。

公开(公告)号：KR100651656B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020040098796

申请日：2004-11-29

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 정병기 ,  정증현 ,  강대환 ,  이택성 ,  김인호 ,  이경석 ,  김원목 ,  안동호 ,  김기범

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144

Abstract: 본 발명은 비휘발성 상변화 메모리 셀에 관한 것으로서, 금속 전극층과 상변화 재료층 사이에 열구속 기능을 갖는 전극접촉 재료로서 전기전도성이 비교적 크나 열전도성은 작으며 열안정성이 우수한 투명전도성 산화물 반도체 재료를 사용한다. 본 발명에 따른 메모리 셀은 비휘발성 상변화 메모리의 데이터 기록 및 소거 동작에 필요한 전력소모의 감소에 효과적으로 적용될 수 있다.
상변화 메모리, 전극 접촉층, 투명전도성 산화물

Abstract translation: 非易失性相变存储单元技术领域本发明涉及一种非易失性相变存储单元，更具体地涉及具有导电性较高但导热系数小且热稳定性优异的透明导电氧化物半导体材料的非易失性相变存储单元 使用。 根据本发明的存储单元可以有效地应用于降低非易失性相变存储器的数据写入和擦除操作所需的功耗。

公开(公告)号：KR1020060058563A

公开(公告)日：2006-05-30

申请号：KR1020040097647

申请日：2004-11-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김인호 ,  김원목 ,  정병기 ,  정증현 ,  이택성 ,  이경석

IPC: H01B1/08

Abstract: 본 발명은 가시광 영역에서의 우수한 광 투과성 및 우수한 도전성이 필요한 TFT-LCD, PDP, FED, LED, OLED와 같은 평판 디스플레이 및 태양전지에 사용되는 투명한 전극막 또는 전자기파 차폐를 위한 필터에 사용되는 투명 도전성 박막에 관한 것으로, 보다 상세하게는 주성분인 산화아연에 3족의 양이온성 금속 도핑원소와 할로겐족 음이온성 도핑원소가 동시에 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 산화아연계 투명도전성 박막에 관한 것이다. 본 발명의 산화아연계 투명도전성 박막에 의하면 3족 양이온성 금속 원소만으로 도핑되어 있는 산화아연계 투명도전성 박막이나 할로겐족 음이온성 원소만으로 도핑되어 있는 산화아연계 투명도전성 박막보다 높은 이득 지수(Figure of merit, 전기전도도/광흡수계수)를 제공하는 효과를 달성한다.
투명도전산화물, 박막, 평판 디스플레이, 산화아연, 도핑.

公开(公告)号：KR1020050046460A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：KR1020030080725

申请日：2003-11-14

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 이택성 ,  이경석 ,  김원목 ,  정병기 ,  김인호

IPC: G02B6/12

CPC classification number: G02F1/3517 ,  G02B2006/12142 ,  G02B2006/12145 ,  G02B2006/12147 ,  G02F1/3521

Abstract: 본 발명은 거대 3차 비선형 광학 현상에 따르는 비선형 굴절률을 이용하는 도파로형 광소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 도파로형 광소자는 신호빔이 전파되는 신호빔 도파로와, 펌프빔이 전파되는 펌프빔 도파로로 구성되며, 상기 펌프빔 도파로는 상기 펌프빔이 상기 신호빔 도파로에 커플링이 일어날 수 있도록 근접 배치되고, 상기 신호빔 도파로와 상기 펌프빔 도파로는 이종의 재료로 구성되고, 그리고 상기 신호빔과 상기 펌프빔은 서로 다른 파장 영역을 갖는다.
이러한 구성에 따라, 신호빔 도파로에 펌프빔이 커플링되어 신호빔이 지나가는 도파로 상에서 3차 비선형 현상을 유발시킴으로써, 광소자로서 작동이 되도록 하는 전광(all-optical) 통신 소자의 구현을 가능하게 하며, 소자의 집적화가 가능한 도파로형 광소자를 제공한다.