公开(公告)号：WO2022260331A1

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：PCT/KR2022/007671

申请日：2022-05-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 박종철 ,  김태현 ,  노길선 ,  강일석

IPC: H01L31/103 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224

Abstract: 본 발명의 일 실시에에 따른 포토다이오드는 원호 섹션을 포함하고, 상기 원호 섹션은, 제1 곡률을 가진 내측 곡선부; 제1 방향으로 이격되고 상기 내측 곡선부와 동일한 구조를 가진 외측 곡선부; 상기 내측 곡선부의 일단에서 상기 외측 곡선부의 중심으로부터 반경 방향으로 연장되는 제1 반경부; 상기 내측 곡선부의 타단에서 상기 외측 곡선부의 중심으로부터 반경 방향으로 연장되는 제2 반경부; 상기 제1 반경부와 상기 외측 곡선부의 일단을 연결하는 제1 직선부; 및 상기 제1 반경부와 상기 외측 곡선부의 타탄을 연결하는 제2 직선부를 포함한다.

公开(公告)号：KR102042818B1

公开(公告)日：2019-11-08

申请号：KR1020180037704

申请日：2018-03-30

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 박종철 ,  김태현 ,  양충모 ,  노길선 ,  김다혜 ,  김희연

IPC: H01L23/14 ,  H01L21/02 ,  H01L23/15

公开(公告)号：KR102041830B1

公开(公告)日：2019-11-27

申请号：KR1020180076988

申请日：2018-07-03

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 박재홍 ,  형정환 ,  이병주 ,  노길선 ,  김광희

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06 ,  H01L21/027 ,  H01L21/762 ,  H01L21/768

公开(公告)号：KR101925000B1

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：KR1020170050778

申请日：2017-04-20

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 임부택 ,  김희연 ,  노길선 ,  심갑섭 ,  김경민 ,  박상현

IPC: G01N27/12 ,  B82Y15/00

Abstract: 본 발명은 기판; 기판 상에 형성되되 개구부를 포함하는 절연층; 일단부가 상기 절연층으로 각각 덮이고 타단부가 상기 개구부에서 각각 노출되되, 상기 개구부에서 서로 이격되는, 한 쌍의 제 1 전극 패턴; 상기 한 쌍의 제 1 전극 패턴과 상기 기판 사이에 개재되되 상기 절연층 내에 매립되어 배치된 제 2 전극 패턴; 및 상기 한 쌍의 제 1 전극 패턴 사이의 이격 영역을 메우도록 형성된, CNT 구조체;를 포함하는 가스 센서를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020180117795A

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：KR1020170050778

申请日：2017-04-20

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 임부택 ,  김희연 ,  노길선 ,  심갑섭 ,  김경민 ,  박상현

IPC: G01N27/12 ,  B82Y15/00

Abstract: 본발명은기판; 기판상에형성되되개구부를포함하는절연층; 일단부가상기절연층으로각각덮이고타단부가상기개구부에서각각노출되되, 상기개구부에서서로이격되는, 한쌍의제 1 전극패턴; 상기한 쌍의제 1 전극패턴과상기기판사이에개재되되상기절연층내에매립되어배치된제 2 전극패턴; 및상기한 쌍의제 1 전극패턴사이의이격영역을메우도록형성된, CNT 구조체;를포함하는가스센서를제공한다.

公开(公告)号：KR101622388B1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：KR1020150146787

申请日：2015-10-21

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 유동은 ,  김영수 ,  노길선 ,  김광희

IPC: A61M37/00 ,  G03F7/00

Abstract: 본발명은첨예도가높은오목부를가지는마이크로니들스탬프를구현하기위한제조방법으로서, 실리콘기판을준비하는단계; 상기실리콘기판상에하드마스크패턴을형성하는단계; 상기하드마스크패턴에노출된상기실리콘기판을식각하는단계로서, 상기실리콘기판내에제 1 내부공간을형성하도록상기실리콘기판을제 1 차식각하는단계; 및상기하드마스크패턴에노출된상기실리콘기판을식각하는단계로서, 상기제 1 내부공간의하부에상기제 1 내부공간보다횡단면적이좁은제 2 내부공간을형성하도록상기실리콘기판을제 2 차식각하는단계;를포함하되, 상기실리콘기판을제 1 차식각하는단계와상기실리콘기판을제 2 차식각하는단계는식각가스의상대적비율, 공정압력및 소스/바이어스파워중에서적어도어느하나의공정조건이서로다른것을특징으로한다.

Abstract translation: 本发明涉及具有高峰度的凹部的微针印模的制造方法。 该方法包括以下步骤：制备硅衬底; 在硅衬底上产生硬掩模图案; 首先蚀刻硅衬底以在暴露于硬掩模图案的硅衬底中形成第一内部空间; 其次蚀刻暴露于硬掩模图案的硅衬底，以在第一内部空间的下侧形成具有比第一内部空间更窄的横截面面积的第二内部空间。 首先蚀刻硅衬底的步骤不同于关于蚀刻气体的相对比例，过程压力和源极/偏置功率之类的工艺条件中的至少一个的第二次蚀刻硅衬底的步骤。