Abstract:
본 발명은 ArF 엑시머 레이저를 광원으로 하는 스탭 및 스캔(step & scan) 노광장비에 관한 것으로서, 특히 1차원형 반도체 위치 검출소자를 사용하여 그 장치가 비교적 간단하면서도 높은 위치 정밀도를 얻을 수 있는 위치 검출 소자를 이용한 레티클 정렬 장치 및 레티클 정렬 방법에 관한 것이다. 본 발명은 실제 노광 작업을 위해 반도체 회로 패턴을 담고있는 레티클을 카세트나 카트릿지로 부터 레티클 척으로 반입할 때 레티클이 웨이퍼나 광학계의 상대적인 적정 위치에 올 수 있도록 레티클을 직접 정렬하는 레티클 정렬 장치에 관한 내용으로서 1차원형 반도체 위치 검출소자를 사용하여 그 장치가 비교적 간단하면서도 높은 정밀도를 얻을 수 있는 장치 및 방법을 제시한다.
Abstract:
본 발명은 반도체 소자 제작을 위한 스텝퍼나 스캐너의 TTL 정렬 장치에 있어서 내부 전반사형 홀로그래피(total internal reflection holography) 방식에 의한 위상공액파(phase conjugate wave)를 발생시켜 색수차를 보정하는 TTL 정렬을 수행하는 장치에 관한 것이다. 홀로그래피 방법 가운데 특히 내부 전반사형 홀로그래피는 구조가 간단하여 정렬계 구성에 있어서 유리하며 참조광이 광학계에 미치는 영향이 없으므로 반도체 노광장비의 투영광학계에 대한 영향이 적다는 장점이 있다. 이러한 기술을 근거로 하여 ArF 엑시머 레이저의 광을 노광 광원으로 사용하는 웨이퍼 스텝퍼에서 레티클과 웨이퍼의 위치를 직접 정렬하도록 하는 것으로 노광광원에 의한 마스크의 패턴을 굴절되도록 하는 입사 굴절광학계(102)와 반사경(103) 및 편광 빛 분할기(104)와; 상기 패턴을 웨이퍼로 축소 투영시키는 오목 반사경(105)과 출사 광학계(106)와; 아르곤 레이저(110)의 광원으로 부터 파이버를 통해 입사되는 TTL 정렬수단과; 상기 TTL 정렬수단에 의해 반사-굴절 시스템 내로 투영되는 정렬광(111)은 웨이퍼 정렬광(112)과 레티클 정렬광(114)으로 나뉘어져서 각각 레티클(108)과 웨이퍼(107)로 투영되도록 하는 편광 빛 분할기(104)와; 상기 아르곤 레이저(110)로 부터 내부 전반사형 홀로그래픽 TTL 정렬수단까지 정렬광을 전달하도록 하는 단일모드 파이버(202)로 구성되며, 상기 TTL 정렬수단은 내부 전반사형 홀로그램 정렬계(200)를 이용하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은 웨이퍼 스탭퍼에 있어서 패턴을 지닌 마스크의 패턴이 옮겨질 웨이퍼 사이의 정렬방법 및 그 장치에 관한 것으로서 파이버 다발 혹은 파이버(51)를 사용하여 웨이퍼 정렬마크(6)을 조명하는 수단과 조명된 정렬마크를 보조렌즈(57)과 투영렌즈(2)를 함께 사용하여 CCD 카메라에 결상하는 수단과 파이버 다발 혹은 파이버(63)을 사용하여 빛나누개(65)에 의하여 마스크 패턴(56)을 조명하는 수단과 이 패턴을 절상렌즈(61)을 사용하여 CCD 카메라에 결상하는 수단을 특징으로 한다.
Abstract:
PURPOSE: A method and an apparatus for aligning a reticle are provided to measure the rotation of the reticle and to achieve the high accuracy of a position alignment by using a position sensing device. CONSTITUTION: A reticle aligning device comprises a semiconductor laser module(201) including a semiconductor laser(210) and a collimator lens(211) for generating a parallel laser beam(202). A prism(203) is provided to refract the parallel laser beam(202) generated from the semiconductor layer module(201) at a right angle. Slits(205) are formed in a reticle(204) to allow the refracted laser beam to pass through the reticle(204). A position sensing device(206) is provided to detect the position of the parallel laser beam which passes through the slit(205) of the reticle(204).
Abstract:
본 발명은 ArF 엑시머 레이저를 광원으로 하는 스텝 및 스캔(Step Scan)형 반도체 노광장비에 있어서 회로 패턴을 담고 있는 레티클과 웨이퍼를 TTL(Through The Lens)방식으로 직접 정렬하는 광학 시스템에 관한 내용으로서, 홀로그라피(holography) 방식에 의한 위상공액파(phase conjugate wave)를 발생시켜 노광 광원과 정렬광원의 색수차를 보정하는 방법을 제시하고, ArF 엑시머 레이저를 노광 광원으로 사용하는 웨이퍼 스텝퍼에서 레티클과 웨이퍼의 위치를 직접 정렬하는 TTL 정렬방법을 제시한다.
Abstract:
The apparatus having a stage supporting a wafer, a mask for forming a shape on the wafer, and a lens. including a first light part for lighting a first alignment mark on the wafer with a first alignment light; a second light part for lighting a second alignment mark on the wafer with a second alignment light; an image collecting part collecting the first alignment light and the second alignment light; an image processing part receiving the image created by the image collecting part, processing image data, producing a control signal and outputting the image data on a screen; a stage control part controlling the stage on receipt of a control signal from the image processing part.
Abstract:
본 발명은 반도체 소자 제작을 위한 스텝퍼나 스캐너의 TTL 정렬 장치에 있어서 내부 전반사형 홀로그래피(total internal reflection holography) 방식에 의한 위상공액파(phase conjugate wave)를 발생시켜 색수차를 보정하는 TTL 정렬을 수행하는 장치에 관한 것이다. 홀로그래피 방법 가운데 특히 내부 전반사형 홀로그래피는 구조가 간단하여 정렬계 구성에 있어서 유리하며 참조광이 광학계에 미치는 영향이 없으므로 반도체 노광장비의 투영광학계에 대한 영향이 적다는 장점이 있다. 이러한 기술을 근거로 하여 ArF 엑시머 레이저의 광을 노광 광원으로 사용하는 웨이퍼 스텝퍼에서 레티클과 웨이퍼의 위치를 직접 정렬하도록 하는 것으로 노광광원에 의한 마스크의 패턴을 굴절되도록 하는 입사 굴절광학계(102)와 반사경(103) 및 편광 빛 분할기(104)와; 상기 패턴을 웨이퍼로 축소 투영시키는 오목 반사경(105)과 출사 광학계(106)와; 아르곤 레이저(110)의 광원으로 부터 파이버를 통해 입사되는 TTL 정렬수단과; 상기 TTL 정렬수단에 의해 반사-굴절 시스템 내로 투영되는 정렬광(111)은 웨이퍼 정렬광(112)과 레티클 정렬광(114)으로 나뉘어져서 각각 레티클(108)과 웨이퍼(107)로 투영되도록 하는 편광 빛 분할기(104)와; 상기 아르곤 레이저(110)로 부터 내부 전반사형 홀로그래픽 TTL 정렬수단까지 정렬광을 전달하도록 하는 단일모드 파이버(202)로 구성되며, 상기 TTL 정렬수단은 내부 전반사형 홀로그램 정렬계(200)를 이용하는 것을 특징으로 한다.