公开(公告)号：KR100319759B1

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：KR1019990061212

申请日：1999-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김정수 ,  이규석

IPC: H01S5/32

Abstract: InP 계열의열적불안정성과기판의기하학적구조에따른성장특성의불균일을개선하기위한선택적결정성장법을이용한반도체층성장방법및 그를이용한굴절율보상형분산궤환레이저다이오드제조방법에관한것으로, 이를위한본 발명은반도체층의성장 InP 기판상에 InGaAs흡수층및 InP캡층을형성하는제 1 단계, 상기 InP캡층상에상기 InGaAs층을보호하기위한유전체박막을형성하는제 2 단계, 상기유전체박막을보호막으로하여상기 InP기판상에 InP평탄층을형성하는제 3 단계, 상기유전체박막을보호막으로하여상기 InP평탄층상에 InGaAsP 굴절율보상층을성장시키는제 4 단계를포함하여이루어짐을특징으로한다.

公开(公告)号：KR100265861B1

公开(公告)日：2000-09-15

申请号：KR1019960069763

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이상민 ,  오광룡 ,  안주헌 ,  김정수

IPC: H01L21/467

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a gradually tapered waveguide is to increase an optical coupling efficiency with an optical fiber by improving the structure of a waveguide of input/output terminal of an optical waveguide device. CONSTITUTION: A waveguide layer(62) is formed on a substrate(61), and a clad layer(61a) is formed on the waveguide layer. The first etching mask with a width of an opening being gradually increased is formed on the clad layer. The clad layer and waveguide layer are etched through a reactive ion etching process to form a waveguide layer with a thickness thereof gradually decreased. The clad layer and the waveguide layer are etched using the second etching mask to form the waveguide layer in a shape of arrowhead. The width of the opening of the first etching mask is gradually increased from 4 micro meters to 10 micrometers. Material of the first and second masks is SiNx.

Abstract translation: 目的：制造逐渐变细的波导的方法是通过改善光波导器件的输入/输出端子的波导的结构来提高光纤的光耦合效率。 构成：在基板（61）上形成波导层（62），在波导层上形成包覆层（61a）。 在包覆层上形成具有逐渐增加的开口宽度的第一蚀刻掩模。 通过反应离子蚀刻工艺蚀刻包覆层和波导层以形成其厚度逐渐减小的波导层。 使用第二蚀刻掩模蚀刻包覆层和波导层，以形成箭头形状的波导层。 第一蚀刻掩模的开口宽度从4微米逐渐增加到10微米。 第一和第二掩模的材料是SiNx。

公开(公告)号：KR100245394B1

公开(公告)日：2000-02-15

申请号：KR1019970073701

申请日：1997-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김정수 ,  장영주 ,  주흥로 ,  김홍만

IPC: C30B28/00

Abstract: 본 발명은 선택적 결정 성장법을 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로 특히, 선택적 결정 성장법으로 형성되는 반도체 층의 표면 형상 저하를 방지하는 방법에 관한 것이다.
우수한 특성의 반도체 소자를 제조하기 위해서는 양질의 반도체 층이 성장되어야 한다. 그러나 종래의 선택적 결정 성장법에서는 유전체 박막과 인접한 지역에서 위로 솟아 오른 형태의 돌출부가 형성되게 되고, 이러한 돌출부로인하여 표면 형상의 거칠음이 반도체 소자가 제조될 지역으로 전파되어, 반도체 소자가 제조될 지역의 반도체 층 특성을 저하시키게 된다.
본 발명에서는 유전체와 인접한 부분에서 발생되는 반도체 층의 돌출부로부터 반도체 소자가 제조될 지역으로 전파되는 반도체 층 표면의 거칠음을 차단함으로써 반도체 소자가 제조될 지역의 표면 형상을 깨끗하게 유지하여 양질의 반도체 층을 얻을 수 있는 방법을 제시한다.

公开(公告)号：KR100164094B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019950047054

申请日：1995-12-06

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박찬용 ,  오광룡 ,  현경숙 ,  김정수 ,  김형문

IPC: H01L31/107

Abstract: 본 발명은 애벌랜치 포토다이오드에 관한 것으로, 활성층영역이 주위보다 높은 전하량을 갖도록 형성하되 전기장(전계)을 보다 상세하게 조절하여 소자의 동작특성이 안정화되도록한 애벌랜치 포토다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 애벌랜치 포토다이오드 활성층에 해당하는 물질층을 그 사이에 n-InP 전하층(25), 도핑하지 않은 InP 층(26) 및 n-InP 전하층(27)을 차례로 적층된 구조로 형성하여 불순물층을 n-InP 전하층(25)과 n-InP 전하층(27)으로 2층으로 형성함으로써 활성층의 전하량을 높이는 동시에 조절을 용이하게 하여 소자의 동작특성이 개선된다.

公开(公告)号：KR1019980050915A

公开(公告)日：1998-09-15

申请号：KR1019960069763

申请日：1996-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이상민 ,  오광룡 ,  안주헌 ,  김정수

IPC: H01L21/467

Abstract: 광통신에 사용되는 반도체 레이저 및 반도체 스위치 등과 같은 소자의 입출력단의 광도파로와 광섬유 사이의 연결 부위가 많은 소자에 있어서, 결합부의 광 결합효율을 높이는 것은 매우 중요한 기술이다.
본 발명은 반응성 이온 식각 방법을 이용하여 점차 가늘어지는 도파로를 만드는 방법에 관한 것이다. 특히, 반응성 이온 식각시에 식각 마스크의 면적이 변화됨에 따라 식각율이 달라지는 것을 이용함으로써, 넓은 면적에 균일하게 적용할 수 있을 뿐만 아니라 재현성 및 경제성 측면에서의 문제도 해결할 수 있는 방법이다.

公开(公告)号：KR1019970051978A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950048740

申请日：1995-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오대곤 ,  김정수 ,  주흥로 ,  김홍만 ,  편광의

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 이중 산화방식의 유독가스 스크러버에 관한 것이다.
본 발명의 유독가스 스크러버는 스크러버 캐비넷 내에, 공기, 질소 및 수소의 가스 압력을 조절하기 위한 복수개의 가스압력 조절기와 유량조절을 위한 복수개의 유량조절기 및 밸브로 이루어진 가스압력 및 유량 조절수단과, 반도체 제조공정에서 배출되어 공정가스 라인을 통해 유입된 유독성 공정가스를 흡착제거시키고, 상기한 가스 압력 및 유량조절수단에 의행 유량이 조절되어 유입된 공기 및 질소를 사용하여 탈착이 이루어지는 활성탄 저장용기로 구성되어 유독성 가스를 1차 산화시키기 위한 제1산화수단과, 일단은 상기한 제1산화수단과 직렬로 연결되고 타단은 열 배기관과 연결되며, 상기한 가스 압력 및 유량조절수단에 의해 유량이 조절되어 유입된 공기 및 수소를 사용하여 점화연소시키는 연소기로 구성되어 상기한 제1산화수단을 거쳐 배출된 유독성 가스를 2차 산화시키기 위한 제2산화수단이 포함되어 구성된다.

公开(公告)号：KR1019960024485A

公开(公告)日：1996-07-20

申请号：KR1019940035492

申请日：1994-12-21

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박경현 ,  장동훈 ,  이중기 ,  김정수 ,  조호성 ,  김홍만 ,  박형무

IPC: H01L31/12

Abstract: 본 발명은 광결합 효율을 높이기 위하여 집적광학형 광도파로를 적용한 광통신용 집적광학형 발광모듈 제작법에 관한 것으로 반도체 발광 소자에 외부 광통신 시스템과의 접속을 위한 광섬유(pigtail fiber)를 부착한 형태로 패키징하여 제작되는 발광모듈의 패키징에 있어서 가장 어렵고 비용이 많이 드는 부분은 발광소자와 부착 광섬유 사이의 광결합의 공정이다.
본 발명은 기존 발광모듈 제작시 발생하는 발광소자-광섬유 사이의 정렬오차에 의한 영향을 배제하면서 동시에 광출력-입력 면적 차이를 작게 함으로써 광결합 효율을 높이기 위한 광통신용 집적광학형 발광모듈 제작법으로서 발광소자에 광섬유를 부착하여 발광모듈로 제작함에 있어 여러개의 역 깔때기형 코어가 배치된 집적광학형 광도파로를 발광 소자와 광섬유 사이에 삽입하여 이루어 짐을 특징으로 하는 것이다.

公开(公告)号：KR1019940008022B1

公开(公告)日：1994-08-31

申请号：KR1019910002959

申请日：1991-02-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유지범 ,  김정수 ,  박찬용 ,  이용탁

IPC: H01L21/02

Abstract: The method includes the steps of depositing a semiconductor thin film 3 on a first semiconductor 1, putting a second compound semiconductor 2 on the semiconductor thin film 3 and carrying out heat treatment at the high temperature, thereby obtaining isolation effect.

Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在第一半导体1上沉积半导体薄膜3，将第二化合物半导体2放置在半导体薄膜3上，并在高温下进行热处理，从而获得隔离效果。

公开(公告)号：KR1020010057802A

公开(公告)日：2001-07-05

申请号：KR1019990061212

申请日：1999-12-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김정수 ,  이규석

IPC: H01S5/32

Abstract: PURPOSE: A method manufacturing refractive index compensating distributed feedback laser diode using selective crystal growing method is provided to grow InGaAsP semiconductor layer of uniform characteristic by using growing characteristic of InGaAsP to compensate for refractive index change of loss coupling distributed feedback laser diode. CONSTITUTION: An InGaAs absorption layer(31) and InP cap layer(32) is formed at InP substrate. A dielectric thin film(33) is formed to protect InGaAs layer on InP cap layer(32). An InP flat layer(34) is formed on InP substrate considering the dielectric thin film(33) as protection film. An InGaAsP refractive index compensating layer(35) is made of a crystal growth selectively on InP flat layer(34) considering the dielectric thin film(33) as protection film. The dielectric thin film(33) uses SiNx or SiO2 film. The semiconductor layer growing method is mentioned above. Laser diode manufacturing method is as follow: The InGaAs absorption layer(31) is formed at InP substrate. The dielectric thin film(33) is formed to protect InGaAs absorption layer(31) on InP substrate except InGaAs absorption layer(31). A first InP flat layer is formed on InP substrate considering the dielectric thin film(33) as protection film. The InGaAsP refractive index compensating layer(35) is made of a crystal growth selectively on InP flat layer(34). A second InP flat layer is formed removing the dielectric thin film(33). An active layer is formed on the second InP flat layer.

Abstract translation: 目的：使用选择性晶体生长法制造折射率补偿分布反馈激光二极管的方法是通过使用InGaAsP的生长特性来弥补损耗耦合分布反馈激光二极管的折射率变化来生长均匀特性的InGaAsP半导体层。 构成：InP衬底形成InGaAs吸收层（31）和InP覆盖层（32）。 形成电介质薄膜（33）以保护InP覆盖层（32）上的InGaAs层。 考虑到作为保护膜的电介质薄膜（33），在InP基板上形成InP平坦层（34）。 考虑到作为保护膜的电介质薄膜（33），InGaAsP折射率补偿层（35）由选择性地在InP平坦层（34）上的晶体生长制成。 电介质薄膜（33）使用SiNx或SiO 2膜。 半导体层生长方法如上所述。 激光二极管制造方法如下：在InP衬底上形成InGaAs吸收层（31）。 形成电介质薄膜（33）以保护除了InGaAs吸收层（31）之外的InP衬底上的InGaAs吸收层（31）。 考虑到作为保护膜的电介质薄膜（33），在InP衬底上形成第一InP平坦层。 InGaAsP折射率补偿层（35）由InP平坦层（34）上的选择性晶体生长构成。 形成去除电介质薄膜（33）的第二InP平坦层。 在第二InP平坦层上形成有源层。

公开(公告)号：KR1019990042429A

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019970063249

申请日：1997-11-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김홍만 ,  김정수 ,  이승원 ,  김명규 ,  장영주

IPC: H01S5/30

Abstract: 반도체 레이저와 광 변조기를 집적한 구조에 있어서, 반도체 레이저에서 발생한 광이 광 변조기를 통과한 후 광 변조기의 출력 단면에서 반사하여 광변조기를 거친 다음 반도체 레이저로 재 입사함으로 인하여 반도체 레이저에서 출력되는 광의 특성을 교란하는 현상을 방지하는 반도체 레이저와 광 변조기의 집적 구조가 개시된다. 본 발명은 반도체 레이저와 광 변조기 사이에, 2x2 광커플러를 설치하고, 반도체 레이저의 출력부를 2x2 광커플러의 입력부 중 한 개와 연결하고, 광변조기를 2x2 광커플러의 출력부 두곳에 설치하여 각각이 2x2 광커플러와 연결되게 함으로써, 광변조기 단면에서 발생한 광이 반도체 레이저에 재입사되는 현상을 방지하여 반도체 레이저의 특성 교란 현상을 방지한다. 이와 같이, 광 변조기에서 발생하는 광의 반사에 의한 반도체 레이저와 광 변조기의 집적 구조의 특성 악화를 방지 할 수 있어, 광변조기 단면에 설치하여야 하는 매우 정밀한 공정을 필요로 하는 무반사막 형성 공정을 생략 혹은 그 조건을 크게 완화시킬 수 있다. 그 결과, 제작 원가 절감, 대량 생산성 향상 및 특성 개선등의 효과를 거둘 수 있다.