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公开(公告)号：KR100315400B1
公开(公告)日：2002-04-24
申请号：KR1019980054446
申请日：1998-12-11
IPC: H01L21/18
Abstract: 내열성 금속박막과 절연막의 2단계 식각공정을 이용하여 계단 형상의 게이트 구조를 갖는 화합물반도체 소자를 제조하는 방법이 개시된다. 본 발명은, 내열성 금속박막과 절연막을 2단계 건식 식각하여 계단형 게이트 패턴을 형성함으로써, 고온에서 안정한 계단형 내열성 전극을 안정적으로 제작할 수 있을 뿐만아니라 게이트 전극특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 계단형 게이트 전극에서는 종래의 T-형 게이트와 달리 게이트 전극의 가장자리 전극용량(fringing capacitance) 효과를 방지할 수 있다. 그 결과, 화합물반도체 소자의 고주파 특성을 향상시킬 수 있다. 더욱이, 본 발명은 계단형의 게이트 전극패턴 하부에 이중의 절연막 스페이서를 구비함으로써, 게이트 전극과 소오스/드레인 전극 간의 절연 특성을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 신뢰성이 높은 초고속 저잡음의 화합물 반도체 소자를 제작할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100289043B1
公开(公告)日：2001-06-01
申请号：KR1019980016754
申请日：1998-05-11
Abstract: PURPOSE: A vertical fluorescent integrated circuit is provided to perform simultaneously a light emitting function and a light receiving function by forming a laser diode and a photo diode into one device. CONSTITUTION: A lower resonator(3) is installed on a semiconductor substrate(1) in order to transmit an optical signal having a wavelength of 1.3 micro meter and receive an optical signal having a wavelength of 1.55 micro meter. An upper resonator(5) is laminated on the lower resonator(3). The upper resonator(5) is used for coupling and detecting the optical signals of 1.55 micro meter when a backward bias is applied. An auxiliary optical waveguide(12) is installed between the lower resonator(3) and the upper resonator(5) in order to prevent transmission of the optical signal of 1.3 micro meter to the upper resonator(5) or couple efficiently the optical signals of 1.33 micro meter. Cathodes(10,9) are formed on the substrate(1) and a metal contact layer(7), respectively. A common anode is formed on the optical waveguide(12).
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公开(公告)号：KR100276685B1
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：KR1019980029097
申请日：1998-07-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/70
Abstract: 본 발명은 혼성 베이스 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 종래의 이종접합 쌍극자 트랜지스터의 동작 속도를 제한하는 베이스층 박막의 기생 저항 성분과 베이스-콜렉터 접합 기생 캐패시턴스 성분을 획기적으로 감소시키기 위하여 에미터-베이스 또는 베이스-콜렉터 pn 접합 다이오드 구조의 간단한 에피층을 사용하여 동일한 면적을 갖는 2개의 접합 다이오드를 형성하고, 2개의 접합 다이오드를 플립 칩 본딩에 의해 접합한다.-
公开(公告)号：KR100249801B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019970070303
申请日：1997-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03G3/00
Abstract: 본 발명은 마이크로웨이브 전력증폭기용 셀 구조에 관한 것으로, 종래에는 전력증폭기용 셀을 측정한 후 설계시에 안정도를 위한 회로를 삽입하는데 측정중에 발진이 일어나 셀이 죽거나 정확한 측정이 어렵게 된다. 또한 높은 출력을 얻기 위하여 셀들을 병렬로 결합하게 되는데 종래의 방법은 입력 및 출력 신호 경로가 결합된 셀들간에 차이가 있어 주파수가 밀리미터에 이르면 위상 왜곡이 심하게 된다. 이에 본 발명은 셀 구조를 개선하여 입력 및 출력의 신호 경로를 각각 같게 하여 위상 왜곡을 방지하였고, 입력측에 안정도를 위하여 저항을 삽입하여 마이크로웨이브 측정에서 나타나는 발진을 막도록 하여 측정이 용이하며 마이크로웨이브 전력증폭기의 설계가 용이하게 하였다.
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公开(公告)号：KR100248431B1
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019960062714
申请日：1996-12-07
IPC: H01S3/00
Abstract: 본 발명은 종래의 0.98㎛ 반도체 레이저가 고출력으로 동작할 때 발생하는 열을 효과적으로 발산시켜 반도체 레이저의 온도에 따른 발진파장 변화를 감소시키고 양자효율을 증가시켜 반도체 레이저의 특성을 향상시킨 새로운 0.98㎛ 반도체 레이저의 구조에 관한 것으로, 활성층 좌우의 빛이 유도되지 않는 영역을 식각한 다음 반도체 레이저 칩을 솔더를 이용하여 칩고정용기판에 접속하고, 칩고정용기판에 열발산을 위한 TEC를 접속한 구조를 갖는 반도체 레이저를 제조하였다.
이에 의해 본 발명의 반도체 레이저는 리지(ridge) 좌우의 활성층 영역을 식각하여 열 발생의 주된 원인인 활성층과 금속층간의 거리를 좁혀준 새로운 형태의 방열구조를 제공하는 것에 의해 반도체 레이저의 효율이 향상되었다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100243650B1
公开(公告)日：2000-02-01
申请号：KR1019960069819
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 HEMT 등 고속 소자에 사용되는 T형 게이트 형성에 관한 것으로, 기판 상에 더미 레지스트를 도포하는 단계; 상기 더미 레지스트를 현상하여, T-형 게이트가 형성될 영역에 고립된 더미 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 고립된 더미 레지스트 패턴 및 상기 기판 상에 실리콘 산화막을 증착하는 단계; 상기 실리콘 산화막의 상부에 형상 반전 레지스트를 도포하는 단계; 및 현상 공정에 의해 상기 형상 반전 레지스트의 자체 현상 및 상기 실리콘 산화막의 에치백 및 상기 고립된 더미 레지스트 패턴을 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR100238422B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019970032813
申请日：1997-07-15
IPC: H01L31/153 , H01L27/14
Abstract: 본 발명은 단파장 발광, 장파장 수광 및 단파장 광출력의 감시 기능이 단일 칩(chip) 내에 복합된 다기능 광소자의 구조에 관한 것으로서, 반도체 레이저(LD)의 빛이 광검출기(PD) 영역으로 전파하는 것을 방지하기 위해 LD 공진기의 한쪽 거울면으로서의 효과를 가지는 회절격자를 LD 영역의 일부에 형성하고, 단파장 LD와 장파장 PD 사이에 LD의 광출력을 흡수하여 검출하면서 동시에 LD의 빛이 PD 쪽으로 전파하는 것을 차단하는 m-PD의 영역을 삽입한 것을 특징으로 하며, 복합 기능 광소자는 1.3㎛ 파장의 광 신호 송신, 1.55㎛ 파장의 광 신호 수신 및 1.3㎛ 파장의 광 신호 세기 검출 기능을 동시에 수행함으로써, 광소자 여러개를 사용할때의 광통신 단말기의 구성이 복잡해지고 가격이 높아지는 것을 해소하고, 광 가입자망에서 전화국의 단말기를 구성하는 개별 LD, PD 및 m-PD 광소자를 대체할 수 있는 효과를 가진다.
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公开(公告)号：KR1019990084595A
公开(公告)日：1999-12-06
申请号：KR1019980016487
申请日：1998-05-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/328
Abstract: 본 발명은 초고주파 및 초고속화 전자소자에서 사용되는 화합물 반도체로 구성되는 이종접합(heterojunction) 바이폴라 트랜지스터(HBT)의 오믹전극 제작방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 메사 식각에 의해 에미터, 베이스, 컬렉터 영역을 먼저 형성한 후에 식각 속도가 상이하도록 서로 다른 온도에서 증착시킨 2중의 절연막(8, 9)을 윗부분이 돌출되도록 식각하고, 그 위에 에피 기판에 대한 낮은 접촉저항 특성뿐만 아니라 고온 안정이 뛰어난 텅스텐 계열의 복합 재료로 구성된 동일 재질의 금속층(WN
x /WN
x→0 /W)(16, 17, 18)을 스퍼터링에 의해 동시에 증착하고 리프트오프 함으로써 오믹 접촉특성이 우수한 에미터, 베이스 및 컬렉터의 전극을 동시에 형성할 수 있어, 기존의 제작공정보다 공정 단계를 단축하는데 따른 공정비용 절감과 성능개선이 동시에 이루어지는 이종접합 바이폴라 트랜지스터에서의 오믹 전극 제작이 가능하다.-
公开(公告)号：KR100216592B1
公开(公告)日：1999-08-16
申请号：KR1019960069818
申请日：1996-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
다중게이트의 제조방법
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
좁은 간격의 다중 게이트 전극을 가지는 소자를 제어성 좋게 제조할 수 있도록 하기 위함.
3. 발명의 해결 방법의 요지
리소그라피 공정의 도입과 추가의 공정을 이용하여 다중게이트의 공정을 간단하게 행할 수 있다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자 제조-
公开(公告)号：KR1019990051068A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970070307
申请日：1997-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/306
Abstract: 본 발명은 균일하고 제어성이 좋은 뒷면 via- hole 을 제조하는 제조 방법을 제공하기 위한 것이다. 본 발명은, 소자 및 회로 기판(1)에는 활성층(2)와 전면 금속층(3)으로 주로 구성되어 있고, 표면에 보호막을 입혀, 고온 왁스(4)로 투명 지지 기판(5)에 접착 하고 , 비아-홀 영역(10a)과 창 영역(10b)이 있는 마스크(10)를 사용하여, 감광막(8)의 표면에 패턴을 형성하고, Ni금속을 증착한 후 리프트 오프 공정으로 Ni 보조 마스크(9)를 형성하고, 모니터용 창(11)을 만든다. 그 위에 다시 감광막을 입히고, 비아-홀 용 마스크(10)을 사용하여 비아홀 식각용 패턴(12)과, 식각 모니터용 창(11a)을 형성 하고, 비아홀용 감광막 마스크(12)와 Ni금속 마스크(9)를 사용하여 식각함으로써, 식각된 비아-홀부분(13)과 식각된 비아-홀 창(14), (14a), (14b)을 형성한다. 그리고, 식각 마스크인 감광막 및 Ni 금속 마스크를 제거하고, 베이스 금속(15)를 증착하여 전기 도금 방법으로 금(15), (15a)를 도금하며, 이후, 투명 지지대(5)를 탈착하고 세척을 하여 완료한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 창을 사용하여 비아-홀의 식각 완료점을 정확하게 찾아내고 2회의 리소그라피 공정을 사용하여 뒷면 비아-홀의 마스크를 안정함으로서, 웨이퍼 내에서 균일하고 재현성 있는 뒷면 비아-홀을 얻을 수 있게 된다.
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