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公开(公告)号：KR100123786B1
公开(公告)日：1998-10-01
申请号：KR1019930029623
申请日：1993-12-24
IPC: H03H3/00
Abstract: 본 발명의 목적은 스미스 챠트를 이용하여 반사계수의 절대값 및 각도, 정재파비, 임피던스의 정확한 값을 구하고자 할 때, 기존의 방법으로는 컴파스를 사용하여 중심으로부터 임의의 임피던스에 해당하는 점까지 거리를 측정하여 반사계수의 절대값 및 정재파비의 선형 척도를 이용하여 육안측정에 의존하므로 정확한 값을 구하기 어려우므로 이를 극복하고 해결하기 위한 것으로 본 발명은 상기의 목적을 달성하기 위해 스미스 챠트를 읽어들이는 데에 있어서 디지타이저(digitizer)에 스미스 챠트를 올려놓고 디지타이저에는 연산을 하기 위한 마이크로프로세서가 내장되어 있어서 각종 연산 및 제어를 담당하고 이를 표시하기 위한 액정디스플레이가 부착되어 있고, 사용자가 명령을 내릴 수 있는 20키 정도의 키보드가 부착된 구조로 이루어져 있다. 또한 이는 기존의 PC나 W/S에 곧바로 연결되어 읽은 값을 곧 바로 보내줄 수 있는 인터페이스를 내장하고 있으므로 고주파 회로를 설계함에 있어서 반사계수의 절대값 및 각도, 정재파비, 임피던스의 정확한 값을 일일이 손으로 부터 계산된 값을 대략적인 정확도를 만족하는 방법으로도 챠트에 기술하기 어렵지만, 본 발명의 스미스 챠트 해석기를 사용하면 완전히 정확하게 점들을 표현하기는 불가능하지만 일일이 손으로 계산해야 하는 불편함과 챠트를 읽어들이는 데에 드는 노력을 해소시켜 줄 수 있다
따라서 효과적인 고주파 회로의 설계에 기여할 수 있다.-
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公开(公告)号：KR100194613B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950050524
申请日：1995-12-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 화학적 기계적 웨이퍼 연마공정의 평탄화 증진방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 화학적 기계적 웨이퍼 연마공정의 평탄화 증진방법은, 슬러리 탱크(7) 내에, 웨이퍼(2)의 연마공정시 웨이퍼(2)의 일부가 플레이톤(8)의 외부로 노출되도록 웨이퍼 캐리어(1)와 플레이튼(8)을 비동축상으로 구성하고, 플레이튼 회전축(9)에 스터러(5)를 부설하며, 플레이튼(8) 및 연마 패드(3)에 일정 간격으로 복수개의 슬러리 공급구(4)를 형성한 다음, 슬러리(6)를 상기한 슬러리 탱크(7) 내의 플레이튼(8) 상단까지 충진시키고, 상기한 스터러(5)를 회전시켜 상기한 슬러리 공급구(4)를 통해 혼합된 슬러리(6)를 웨이퍼(2)의 전체면에 공급하면서, 웨이퍼(2)가 장착된 상기한 웨이퍼 캐리어(1)와 패드(3)가 장착된 상기한 플레이튼(8)을 회전시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
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