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公开(公告)号：KR1019990051077A
公开(公告)日：1999-07-05
申请号：KR1019970070316
申请日：1997-12-19
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명의 광전소자는 전계방출에 의한 전자를 반도체 소자에 주입하여 전자-정공쌍을 생성시키킴으로써 그들의 재결합과정에서 단파장의 광자를 발생시키는 원리와 발생된 광자를 가두어 양자우물의 에너지 준위에 일치하는 광방출을 유도한다.
본 발명은 복수개의 가속전극을 가지는 광소자와 복수개의 가속전극을 가지는 전계 방출소자를 합착하여 구성되며, 5-6eV 부위의 에너지밴드갭 즉 200-250nm 정도의 단파장 광소자를 제작하는 방법에 대한 것으로 전계방출소자에서 주입되는 전자로 전자-정공쌍을 생성시키며 그들의 재결합시 광자를 방출하는 원리를 이용 한다. 이 방법을 이용하면 반도체를 np접합을 만들기 위한 불순물도핑이 필요치 않으며, 고에너지의 전자는 하나 이상의 전자-정공쌍을 발생시키게 되므로 매우 높은 효율을 낼 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019990043093A
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019970064079
申请日：1997-11-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
에피택셜장치용 증발도가니
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 요지
본 발명은 도가니 플랜지에 장착되어있는 도입관의 길이를 가변적으로 조절하므로써 원료교체나 부분품 수리시 진공챔버내의 전체적인 진공을 유지하면서 도가니 부분의 국부적 진공만을 파괴하여 장비의 오염과 상태 회복의 시간을 극소화 할 수 있는 에피택셜장치용 증발도가니를 제공함에 그 목적이 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 진공챔버의 진공을 유지하고 도입하기 위해 개폐되는 수단; 성장물질을 증발시키기 위해 열을 제공하는 히터와 지지대가 구비된 도입관; 상기 도입관의 일단부에 장착되어 어댑터 플랜지와 결합되는 도가니 플랜지; 상기 진공챔버의 진공을 유지한 채로 국부적 진공만을 제거하여 도입관을 진공챔버로부터 이탈 시킬 수 있도록 신장 및 수축하는 수단; 및 상기 신장 및 수축수단의 이동을 안내하는 수단을 포함하는 에피택셜장치용 증발도가니를 제공한다.
4. 발명의 중요한 용도
진공챔버의 전체진공을 제거하지 않고 부분품을 쉽게 분해조립하는 것임.-
公开(公告)号：KR100149943B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950017304
申请日：1995-06-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/334
Abstract: 본 발명은 인듐갈륨비소, 인듐 알루미늄 비소 이종접합의 고전자 이동도 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 반도체기판의 상부에 버퍼층 및 채널층을 형성한 후 동일한 진공 챔버 내에서 진공을 깨지않고 채널층 표면에 도착된 소오스 분자들이 각각의 격자점으로 이동되기 위한 표면 이동시간을 갖도록 단지 결정 성장층들을 형성하기 위한 소오스들의 셔터를 닫아 성장을 일시 멈추게 한 후 연속해서 스페이서층, 도너층 및 캡층을 형성한다. 따라서, 채널층의 표면에 도착된 소오스 분자들이 각각의 격자점에 위치되도록 하므로써 격자 결함이 감소되고 계면 급준성이 향상되어 전자이동도가 증가된다.
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公开(公告)号：KR1019970052918A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950053652
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/318
Abstract: 본 발명은 초음파를 가하여 균일한 질소 래디칼을 얻기 위한 질화갈륨 박막 제조방법에 관한 것으로서, 그 특징은 질화갈륨 박막 제조방법에 있어서, 고음전압을 가할 수 있는 원추형 챔버를 형성하는 제1과정과, 필라멘트에 의한 프라즈마를 형성하는 제2과정과, 자체 구조에 의해 프라즈마를 추출하는 제3과정 및 상기 제3과정과 동시에 기판에 초음파를 가하는 제4과정을 포함하여 균일도를 높이며 질화물 반도체 박막의 질을 향상시키는 데에 있으므로, 본 발명은 질화갈륨 박막 성장 중 기판에 가한 초음파에 의하여 부착력이 향상되므로 기존의 부착력이 낮아 성장이 어려웠던 물질의 성장이 가능하여지고, 부착계수를 증가시킬 수 있어 결정 성장 중성장 압력을 충분히 낮춘 상태에서 성장 박막의 질을 향상시킬 수 있고 소오스를 절감할 수 있다는 데에 그 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR1019970051983A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052669
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 극 박막소자 제조 방법에 관한 것으로서, 반절연성의 갈륨 비소 화합물 반도체 기판상에 상기 갈륨 비소와 식각 선택비가 큰 알루미늄 비소로 이루어진 희생층, 갈륨 비소 또는 갈륨 비소와 알루미늄 갈륨 비소의 초격자 구조로 이루어진 완충층, 실리콘이 도핑된 갈륨 비소층으로 이루어진 채널층으로 순착적으로 결정 성장하는 공정과, 상기 채널층의 소정부분을 상기 완충층이 노출되도록 제거하여 소자를 분리하는 공정과, 상기 완충층과 채널층의 상부에 감광막을 도포한 후 노광 및 현상하여 상기 완충층을 노출시키는 공정과, 상기 완충층을 상기 희생층이 노출되도록 식각하는 공정과, 상기 감광막의 상부에 여분의 웨이퍼를 부착하고 상기 희생층을 제거하여 소자를 기판으로 부터 분리하는 공정과, 상기 완충층의 노출면에 패키지 할 때 열 방출을 효율적으로 할 수 있는 열방출층을 형성하는 공정과, 상기 열방출층의 표면에 열전도성이 좋은 열전도기판을 부착하고 상기 감광막을 제거하는 공정을 구비한다.
따라서, 본 발명은 동시에 칩을 분리 할 수 있으며, 이렇게 분리된 칩은 두께가 수 마이크로 미터로 줄어들므로 열방출을 효율적으로 할 수 있어 전력소자의 성능을 향상시킬 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019950008253B1
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019920023351
申请日：1992-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/80
Abstract: forming GaAs quasi-collector layer (7), GaAs collector layer (6), GaAs base layer (5), AlGaAs emitter layer (4), and GaAs ohmic contact layer (3) sequentailly; forming AlAs selective etching layer (2) and GaAs guiding layer (1) on the GaAs ohmic contact layer sequentially; etching the GaAs guiding layer, the AlAs selective etching layer, the GaAs ohmic contact layer, and AlGaAs emitter layer (4) to form inverse mesa structure; forming base ohmic contact layer (9) on the AlGaAs emitter layer; removing the GaAs guiding layer and the AlAs selective etching layer of the inverse mesa structure and spreading silicon oxide layer (10); forming emitter and collector ohmic contact metal layer (11) on the exposed quasi-collector layer and the GaAs ohmic contact layer; forming base ohmic contact metal layer (12) on the base ohmic contact layer; and forming metal layer (14) on the ohmic contact metal layers.
Abstract translation: 形成GaAs准集电极层（7），GaAs集电极层（6），GaAs基极层（5），AlGaAs发射极层（4）和GaAs欧姆接触层（3）; 在GaAs欧姆接触层上依次形成AlAs选择性蚀刻层（2）和GaAs引导层（1）; 蚀刻GaAs引导层，AlAs选择性蚀刻层，GaAs欧姆接触层和AlGaAs发射极层（4）以形成逆台面结构; 在AlGaAs发射极层上形成基极欧姆接触层（9）; 去除反向台面结构的GaAs引导层和AlAs选择性蚀刻层，并扩展氧化硅层（10）; 在暴露的准集电极层和GaAs欧姆接触层上形成发射极和集电极欧姆接触金属层（11）; 在基极欧姆接触层上形成基极欧姆接触金属层（12）; 以及在欧姆接触金属层上形成金属层（14）。
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公开(公告)号：KR1019940010927B1
公开(公告)日：1994-11-19
申请号：KR1019910024511
申请日：1991-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772 , H01L29/778
Abstract: The method includes the steps of applying a photosenstive film on a GaAs substrate to form a photosenstive film pattern theron to etch the substrate by using a wet etching method, sequentially forming an initial GaAs layer (6), an AlAs layer (7) and an active GaAs layer (8) on the etched substrate by using an MBE process, forming an ohmic contact metal (5) on the epitaxial layers (6,7,8), and selectively etching the Al-As layer (7) by using HCl or buffered oxide etchant (BOE), thereby forming an air gap (9) to isolate the GaAs active layer (8) from the substrate to prevent the current leakage between the buffered film and substrate.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在GaAs衬底上施加光敏膜以形成光敏膜图案，以通过使用湿蚀刻方法蚀刻衬底，顺序形成初始GaAs层（6），AlAs层（7）和 通过使用MBE工艺在蚀刻的衬底上的有源GaAs层（8），在外延层（6,7,8）上形成欧姆接触金属（5），并且通过使用HCl来选择性地蚀刻Al-As层（7） 或缓冲氧化物蚀刻剂（BOE），从而形成气隙（9）以将GaAs有源层（8）与衬底隔离以防止缓冲膜和衬底之间的电流泄漏。
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公开(公告)号：KR1019940004015B1
公开(公告)日：1994-05-10
申请号：KR1019910024516
申请日：1991-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/30
Abstract: The method manufactures an ultra thin film GaAs quantum well with vacuum barriers. The method comprises: A) forming a GaAs buffer layer (2) on a silicon gallium arsenide substance (1); B) alternative depositing aluminum arsenide layers (5) and GaAs layers (4) by MBE method; C) sealing the multiquantum well with silicon nitride (6); D) forming the photoresist pattern using masks (8) after coating photoresist (7); E) removing silicon nitride with HF and etching the GaAS layer and AlAs layer in the area of the photoresist pattern; F) and forming the GaAs vacuum barrier quantum wells by etching the AlAs layers between the GaAs layers.
Abstract translation: 该方法制造具有真空屏障的超薄膜GaAs量子阱。 该方法包括：A）在砷化硅镓物质（1）上形成GaAs缓冲层（2）; B）通过MBE方法替代沉积砷化铝层（5）和GaAs层（4）; C）用氮化硅（6）密封多量子阱; D）在涂覆光致抗蚀剂（7）之后，使用掩模（8）形成光致抗蚀剂图案; E）用HF去除氮化硅并在光致抗蚀剂图案的区域中蚀刻GaAS层和AlAs层; F）并通过蚀刻GaAs层之间的AlAs层来形成GaAs真空势垒量子阱。
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公开(公告)号：KR100270334B1
公开(公告)日：2000-12-01
申请号：KR1019970064080
申请日：1997-11-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: An adaptor for an epitaxial apparatus is provided to prevent air pollution of a vacuum chamber, by repairing broken parts or exchanging raw materials induced to the vacuum chamber while maintaining the vacuum state of the vacuum chamber and eliminating the vacuum state in a local portion. CONSTITUTION: A switching unit induces and maintains vacuum, mounted in a flange of an inlet of a vacuum chamber. A bellows-type adaptor(13) extends and contracts to eliminate only local vacuum between the switching unit and a flange of a crucible. A flange is mounted in upper and lower portion of the bellow-type adaptor. One side of a guide bar(17) is fixed in an upper flange of the adaptor, and the other side of the guide bar penetrates a lower flange of the adaptor. A length control unit(16) is mounted in the guide bar penetrating the lower flange of the adaptor.
Abstract translation: 目的：提供一种用于外延设备的适配器，以通过在保持真空室的真空状态并且消除局部部分中的真空状态的同时修复破碎的部件或更换感应到真空室的原料来防止真空室的空气污染 。 构成：开关单元引导和维持真空，安装在真空室入口的法兰中。 波纹管式适配器（13）延伸和收缩，以消除开关单元和坩埚的凸缘之间的仅局部真空。 波纹管式适配器的上部和下部安装有法兰。 引导杆（17）的一侧固定在适配器的上凸缘中，导杆的另一侧穿过适配器的下凸缘。 长度控制单元（16）安装在引导杆中，穿过适配器的下凸缘。
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公开(公告)号：KR100148419B1
公开(公告)日：1998-12-01
申请号：KR1019940023880
申请日：1994-09-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/28
Abstract: 본 발명은 박막을 성장할 때 가열된 기판에 초음파를 인가하여 기판에 형성되는 박막의 질을 개선하는 장치에 관한 것으로, 종래의 박막성장장치에 고품질의 성장박막을 얻기 위하여 성장중인 기판에 초음파를 인가하는 장치를 제공하는데 목적이 있다.
이러한 목적으로 본 발명은 기판에 성장박막을 강하게 용착시킬 수 있고, 성장이 어려운 물질도 쉽게 성장이 가능하도록 하여 박막의 질을 향상시킬 수 있고 전기적, 광학적 특성이 좋은 박막을 제조할 수 있다. 본 발명은 상술한 작용으로 박막성장 중 기판에 인가한 초음파에 의하여 부착력이 향상되므로 기존의 부착력이 낮아 성장이 어려웠던 물질의 성장이 가능하여지고, 부착계수가 반인 물질은 배로 증가하게 되므로 결정성장 중 배경압력을 충분히 낮추어 성장박막의 질을 향상시킬 수 있고 소오스를 절감할 수 있는 효과를 기대할 수 있다.
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