公开(公告)号：EP1458095B1

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：EP04300123.9

申请日：2004-03-05

Applicant: STMicroelectronics S.A. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： Robert, Philippe ,  Caruyer, Grégory ,  Ancey, Pascal ,  Bouche, Guillaume

IPC: H03H9/17

CPC classification number: H03H9/173 ,  H03H3/04 ,  H03H2003/0414 ,  Y10T29/42

公开(公告)号：EP1499018A1

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：EP04354025.1

申请日：2004-06-29

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  STMicroelectronics S.A.

Inventor： Robert, Philippe ,  Ancey, Pascal ,  Caruyer, Grégory

IPC: H03H3/04

CPC classification number: H03H9/173 ,  H03H3/04 ,  H03H9/175 ,  H03H2009/02181 ,  Y10T29/42

Abstract: Le résonateur comporte une couche piézoélectrique (3) disposée entre deux électrodes (1, 2). Une résistance électrique (9) de chauffage est disposée en contact thermique avec au moins une des électrodes (1). Le chauffage temporaire de l'électrode (1) permet d'évaporer partiellement le matériau constituant l'électrode (1), de manière à amincir l'électrode (1) et, ainsi, d'ajuster la fréquence de résonance. La mesure de la fréquence de résonance au cours de l'évaporation permet d'interrompre le chauffage lorsque la fréquence de résonance désirée est obtenue. L'une des électrodes peut être disposée sur un substrat constitué par un réseau de Bragg acoustique. Le résonateur peut comporter un substrat (4) comportant une cavité (5) sur laquelle est disposée, au moins partiellement, l'une des électrodes (2).

Abstract translation: 谐振器具有放置在两个电极（1,2）之间的压电层（3）。 电加热电阻器（9）被放置成与电极（1）热接触。 电极（1）的暂时加热允许部分地蒸发构成电极（1）的材料，以使电极（1）更薄以调节共振频率。 还包括用于制造薄膜体声波谐振器或固体安装的谐振器的方法的独立权利要求。

公开(公告)号：EP1458095A3

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：EP04300123.9

申请日：2004-03-05

Applicant: STMicroelectronics S.A. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： Robert, Philippe ,  Caruyer, Grégory ,  Ancey, Pascal ,  Bouche, Guillaume

IPC: H03H9/17

CPC classification number: H03H9/173 ,  H03H3/04 ,  H03H2003/0414 ,  Y10T29/42

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un résonateur comprenant les étapes suivantes: former sur un substrat isolant (5), une première portion (6) d'un matériau conducteur et une deuxième portion d'un autre matériau posée sur la première portion; former une couche isolante dont la surface supérieure affleure au niveau de la partie supérieure de la deuxième portion; former par une succession de dépôts et de gravures une poutre (3) d'un matériau conducteur passant au-dessus de la deuxième portion, les extrémités de la poutre étant posées sur la couche isolante de part et d'autre de la deuxième portion, la deuxième portion étant découverte d'un côté et de l'autre de la poutre, une troisième portion (1) d'un matériau piézoélectrique posée sur la poutre et une quatrième portion (2) d'un matériau conducteur posée sur la troisième portion au-dessus de la partie de la poutre située au-dessus de la deuxième portion; éliminer la deuxième portion.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造谐振器的方法，其包括以下步骤：在绝缘基板（5）上形成导电材料的第一部分（6）和放置在第一部分（6）上的另一材料的第二部分 部分; 形成其上表面与第二部分的上部齐平的绝缘层; 通过一系列沉积和蚀刻形成通过第二部分的导电材料的梁（3），梁的端部被放置在第二部分的任一侧上的绝缘层上， 所述第二部分在所述梁的一侧和另一个上暴露，放置在所述梁上的压电材料的第三部分（1）和放置在所述第三部分上的导电材料的第四部分（2） 在所述第二部分上方的所述梁的所述部分上方; 消除第二部分。

公开(公告)号：EP1499018B1

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：EP04354025.1

申请日：2004-06-29

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  STMicroelectronics S.A.

Inventor： Robert, Philippe ,  Ancey, Pascal ,  Caruyer, Grégory

IPC: H03H3/04

CPC classification number: H03H9/173 ,  H03H3/04 ,  H03H9/175 ,  H03H2009/02181 ,  Y10T29/42

公开(公告)号：EP1458095A2

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：EP04300123.9

申请日：2004-03-05

Applicant: STMicroelectronics S.A. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： Robert, Philippe ,  Caruyer, Grégory ,  Ancey, Pascal ,  Bouche, Guillaume

IPC: H03H9/17

CPC classification number: H03H9/173 ,  H03H3/04 ,  H03H2003/0414 ,  Y10T29/42

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un résonateur comprenant les étapes suivantes: former sur un substrat isolant (5), une première portion (6) d'un matériau conducteur et une deuxième portion d'un autre matériau posée sur la première portion; former une couche isolante dont la surface supérieure affleure au niveau de la partie supérieure de la deuxième portion; former par une succession de dépôts et de gravures une poutre (3) d'un matériau conducteur passant au-dessus de la deuxième portion, les extrémités de la poutre étant posées sur la couche isolante de part et d'autre de la deuxième portion, la deuxième portion étant découverte d'un côté et de l'autre de la poutre, une troisième portion (1) d'un matériau piézoélectrique posée sur la poutre et une quatrième portion (2) d'un matériau conducteur posée sur la troisième portion au-dessus de la partie de la poutre située au-dessus de la deuxième portion; éliminer la deuxième portion.

Abstract translation: 通过在第一部分上在绝缘基板（10）上形成导电材料的第一部分和另一材料的第二部分来形成谐振器，形成绝缘层（20），其绝缘层（20）的上表面与 第二部分，通过一系列沉积和蚀刻形成第二部分上方的导电材料的梁（30），并且移除第二部分。 谐振器的制造包括在绝缘基板上形成第一部分的导电材料的第一部分和在第一部分上的另一材料的第二部分，第二部分由相对于在其中形成的其它元件的材料可选择性地蚀刻的材料形成 处理; 形成其上表面与所述第二部分的上部齐平的绝缘层; 通过一系列沉积和蚀刻形成第二部分上方的导电材料束，光束端部位于第二部分的任一侧上的绝缘层上，第二部分的上表面暴露在光束的任一侧上， 梁上的压电材料的第三部分和位于第二部分上方的梁部分上方的第三部分上的导电材料的第四部分; 并移除第二部分。

公开(公告)号：EP1905734B1

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：EP07117116.9

申请日：2007-09-25

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  STMicroelectronics SA

Inventor： Casset, Fabrice ,  Durand, Cédric ,  Ancey, Pascal

IPC: B81C1/00 ,  H03H3/007 ,  H03H9/24

CPC classification number: B81C1/0065 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2207/015 ,  H03H3/0073 ,  H03H9/1057 ,  H03H9/2405 ,  H03H2009/02496

公开(公告)号：EP1905734A1

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：EP07117116.9

申请日：2007-09-25

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  STMicroelectronics SA

Inventor： Casset, Fabrice ,  Durand, Cédric ,  Ancey, Pascal

IPC: B81C1/00 ,  H03H3/007 ,  H03H9/24

CPC classification number: B81C1/0065 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2207/015 ,  H03H3/0073 ,  H03H9/1057 ,  H03H9/2405 ,  H03H2009/02496

Abstract: Procédé de réalisation d'un composant électromécanique (10) sur un substrat (15) plan et comportant une structure vibrante (22) dans le plan du substrat et des électrodes d'actionnement (23), comportant les étapes de :
- formation du substrat comportant une zone en silicium (16) recouverte en partie par deux zones isolantes (18),
- formation d'une couche sacrificielle en alliage de silicium / germanium par épitaxie sélective à partir de la partie non recouverte de la zone en silicium,
- formation par épitaxie d'une couche (20) en silicium, fortement dopé, comportant une zone monocristalline (20b) disposée sur ladite couche sacrificielle et deux zones polycristallines (20a) disposées sur les zones isolantes,
- formation simultanée de la structure vibrante et des électrodes d'actionnement, par gravure dans la zone monocristalline d'un motif prédéterminé destiné à former des espaces (24) entre les électrodes et la structure vibrante,
- élimination par gravure sélective de ladite couche sacrificielle.

Abstract translation: 该方法包括通过来自平面衬底（15）的上表面的未覆盖部分的选择性外延形成基于锗和硅合金的牺牲层。 通过外延形成在牺牲层上具有单晶区的强掺杂硅层（20）和绝缘区（18）上的多晶区。 通过在单晶区域中雕刻形成激活电极（23）和振动结构（22），并且预设图案在电极和结构之间形成空间。 消除牺牲层。

公开(公告)号：EP1622177A1

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：EP05291583.2

申请日：2005-07-25

Applicant: STMicroelectronics SA ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： Bouche, Guillaume ,  Ancey, Pascal ,  Viala, Bernard ,  Couderc, Sandrine

IPC: H01F41/30 ,  H01F41/18 ,  H01F10/13 ,  H01F10/00 ,  H01F17/00 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01F41/301 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/007 ,  H01F10/136 ,  H01F10/138 ,  H01F10/147 ,  H01F10/3227 ,  H01F41/18 ,  H01F41/302 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/256 ,  H01L2924/00

Abstract: L'invention concerne un procédé d'obtention d'un film mince magnétique doux, à forte aimantation et isolant, comprenant une nitruration de nanograins ferromagnétiques riches en Fe immergés dans un substrat amorphe et une oxydation sélective du substrat amorphe.
L'invention concerne également les films minces magnétiques doux à forte aimantation et isolant obtenus par le présent procédé.
L'invention propose également un circuit intégré comprenant un composant utilisant une membrane incorporant un film mince obtenu par le même procédé.

Abstract translation: 该方法涉及氮化铁磁性纳米颗粒富含铁浸渍在非晶衬底（SB），并且选择性地氧化该底物。 氮化通过反应阴极或离子溅射下磁场在氮的存在实现。 氧化通过反应性溅射在氧的存在下实现。 氧化和氮化同时进行。 因此独立权利要求被包括用于执行以下操作：（A）薄的软磁性薄膜具有高磁化强度和绝缘性; 和集成电路（B），包括成分利用的膜结合的膜。

公开(公告)号：EP1622177B1

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：EP05291583.2

申请日：2005-07-25

Applicant: STMicroelectronics SA ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： Bouche, Guillaume ,  Ancey, Pascal ,  Viala, Bernard ,  Couderc, Sandrine

IPC: H01F41/30 ,  H01F41/18 ,  H01F10/13 ,  H01F10/00 ,  H01F17/00 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01F41/301 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/007 ,  H01F10/136 ,  H01F10/138 ,  H01F10/147 ,  H01F10/3227 ,  H01F41/18 ,  H01F41/302 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/256 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：EP1321430A1

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：EP02292916.0

申请日：2002-11-25

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Farcy, Alexis ,  Coronel, Philippe ,  Ancey, Pascal ,  Torres, Joaquin

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81C1/0023 ,  B29C2043/5825

Abstract: La fabrication d'un circuit intégré comporte une première phase de réalisation d'une puce électronique et une deuxième phase de réalisation d'au moins un composant auxiliaire disposé au-dessus de la puce et d'un capot protecteur recouvrant le composant auxiliaire. Selon un mode de mise en oeuvre, la première phase de réalisation de la puce PC s'effectue à partir d'un premier substrat semiconducteur et comporte la formation d'une cavité CV située dans une zone choisie de la puce et débouchant au niveau de la surface supérieure de la puce. La deuxième phase de réalisation comporte la réalisation du composant auxiliaire CAX à partir d'un deuxième substrat semiconducteur SB2, distinct du premier, puis le placement dans ladite cavité, du composant auxiliaire supporté par le deuxième substrat SB2, et l'adhésion mutuelle du deuxième substrat sur la surface supérieure de la puce située à l'extérieur de ladite cavité, le deuxième substrat SB2 formant alors également ledit capot protecteur.

Abstract translation: 该电路包括支撑所述电子电路中的第一半导体衬底，并进行上机电元件的第二基板。 两个基底粘合在一起形成用于辅助成分的密封和保护外壳。 制造的第一阶段包括形成第一衬底内的半导体芯片（PC），并且在上表面上形成空腔的这个基片，以适应于辅助成分。 甲壁仍然围绕腔，留下所述空腔为好。 第二阶段包括在第二半导体基板（SB2），从所述第一分开形成的所述辅助部件（CAX）的。 然后，第二基片被翻转并施加于第一基板与所述辅助部件悬挂在第一衬底的空腔中的盖子。 两个基底粘合在一起形成用于辅助成分的密封和保护外壳。