公开(公告)号：WO2011034737A3

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：PCT/US2010047599

申请日：2010-09-02

Applicant: IBM ,  ADKISSON JAMES ,  ELLIS-MONAGHAN JOHN ,  JAFFE MARK ,  RASSEL RICHARD

Inventor： ADKISSON JAMES ,  ELLIS-MONAGHAN JOHN ,  JAFFE MARK ,  RASSEL RICHARD

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: Pixel sensor cells, method of fabricating pixel sensor cells and design structure for pixel sensor cells. The pixel sensor cells including: a photodiode body (150) in a first region of a semiconductor layer (100); a floating diffusion node (165) in a second region of the semiconductor layer, a third region of the semiconductor layer between and abutting the first and second regions; and dielectric isolation (105) in the semiconductor layer, the dielectric isolation surrounding the first, second and third regions, the dielectric isolation abutting the first, second and third regions and the photodiode body, the dielectric isolation not abutting the floating diffusion node, portions of the second region intervening between the dielectric isolation and the floating diffusion node.

Abstract translation: 像素传感器单元，制造像素传感器单元的方法和像素传感器单元的设计结构。 所述像素传感器单元包括：在半导体层（100）的第一区域中的光电二极管主体（150）; 在半导体层的第二区域中的浮动扩散节点（165），在第一和第二区域之间并邻接第一和第二区域的半导体层的第三区域; 和所述半导体层中的绝缘隔离（105），围绕所述第一，第二和第三区域的介电隔离，所述介质隔离邻接所述第一，第二和第三区域以及所述光电二极管主体，所述绝缘隔离件不邻接所述浮动扩散节点， 介于介电隔离和浮动扩散节点之间的第二区域。

公开(公告)号：DE112010003704B4

公开(公告)日：2015-10-22

申请号：DE112010003704

申请日：2010-09-02

Applicant: IBM

Inventor： ADKISSON JAMES W ,  ELLIS-MONAGHAN JOHN ,  JAFFE MARK ,  RASSEL RICHARD J

IPC: H01L27/146 ,  G06F17/50

Abstract: Pixelsensorzelle, welche das Folgende umfasst: einen Photodiodenkörper in einer ersten Zone einer Halbleiterschicht; einen schwebenden Diffusionsknoten in einer zweiten Zone der Halbleiterschicht, wobei eine dritte Zone der Halbleiterschicht zwischen der ersten und zweiten Zone angeordnet ist und an diese angrenzt; eine dielektrische Isolierung in der Halbleiterschicht, wobei die dielektrische Isolierung die erste, zweite und dritte Zone umgibt, die dielektrische Isolierung an die erste, zweite und dritte Zone und den Photodiodenkörper angrenzt und die dielektrische Isolierung nicht an den schwebenden Diffusionsknoten angrenzt, wobei Abschnitte der zweiten Zone zwischen der dielektrischen Isolierung und dem schwebenden Diffusionsknoten angeordnet sind; und eine vergrabene Elektronenabschirmung in der zweiten Zone, wobei die vergrabene Elektronenabschirmung an die dielektrische Isolierung in der zweiten Zone und eine untere Fläche des schwebenden Diffusionsknotens angrenzt, wobei sich die vergrabene Elektronenabschirmung nicht bis zu einer oberen Fläche der Halbleiterschicht erstreckt, wobei Abschnitte der zweiten Zone zwischen der vergrabenen Elektronenabschirmung und der oberen Fläche der Halbleiterschicht angeordnet sind.

公开(公告)号：GB2494564A

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：GB201221748

申请日：2011-03-23

Applicant: IBM

Inventor： RANKIN JED H ,  JAFFE MARK ,  ANDERSON BRENT A

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/042 ,  G06F3/044

Abstract: Disclosed herein are embodiments of an interface device (100, 200) (e.g., a display, touchpad, touchscreen display, etc.) with integrated power collection functions. In one embodiment, a solar cell (110, 210) or solar cell array can be located within a substrate (10) at a first surface (11) and an array (120, 220) of interface elements can also be located within the substrate (10) at the first surface (11) such that portions of the solar cell(s) (110, 210) laterally surround the individual interface elements (121, 221) or groups thereof. In another embodiment, a solar cell (110, 210) or solar cell array (120, 220) can be located within the substrate (10) at a first surface (11) and an array of interface elements (120, 220) can be located within the substrate (10) at a second surface (12) opposite the first surface (11) (i.e., opposite the solar cell or solar cell array). In yet another embodiment, an array of diodes, which can function as either solar cells (110, 210) or sensing elements, can be within a substrate (10) at a first surface (11) and can be wired to allow for selective operation in either a power collection mode or sensing mode.

公开(公告)号：GB2486607A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：GB201204572

申请日：2010-09-02

Applicant: IBM

Inventor： ADKISSON JAMES ,  ELLIS-MONAGHAN JOHN ,  JAFFE MARK ,  RASSEL RICHARD

IPC: H01L27/146

Abstract: Pixel sensor cells, method of fabricating pixel sensor cells and design structure for pixel sensor cells. The pixel sensor cells including: a photodiode body (150) in a first region of a semiconductor layer (100); a floating diffusion node (165) in a second region of the semiconductor layer, a third region of the semiconductor layer between and abutting the first and second regions; and dielectric isolation (105) in the semiconductor layer, the dielectric isolation surrounding the first, second and third regions, the dielectric isolation abutting the first, second and third regions and the photodiode body, the dielectric isolation not abutting the floating diffusion node, portions of the second region intervening between the dielectric isolation and the floating diffusion node.

公开(公告)号：GB2486607B

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：GB201204572

申请日：2010-09-02

Applicant: IBM

Inventor： ADKISSON JAMES ,  ELLIS-MONAGHAN JOHN ,  JAFFE MARK ,  RASSEL RICHARD

IPC: H01L27/146

Abstract: Pixel sensor cells, method of fabricating pixel sensor cells and design structure for pixel sensor cells. The pixel sensor cells including: a photodiode body in a first region of a semiconductor layer; a floating diffusion node in a second region of the semiconductor layer, a third region of the semiconductor layer between and abutting the first and second regions; and dielectric isolation in the semiconductor layer, the dielectric isolation surrounding the first, second and third regions, the dielectric isolation abutting the first, second and third regions and the photodiode body, the dielectric isolation not abutting the floating diffusion node, portions of the second region intervening between the dielectric isolation and the floating diffusion node.

公开(公告)号：DE112010003704T5

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：DE112010003704

申请日：2010-09-02

Applicant: IBM

Inventor： ADKISSON JAMES ,  ELLIS-MONAGHAN JOHN ,  JAFFE MARK ,  RASSEL RICHARD J

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148 ,  H04N5/225

Abstract: Pixelsensorzellen, Verfahren zur Herstellung von Pixelsensorzellen und Entwurfsstruktur für Pixelsensorzellen. Die Pixelsensorzellen umfassen das Folgende: einen Photodiodenkörper (150) in einer ersten Zone einer Halbleiterschicht (100); einen schwebenden Diffusionsknoten (165) in einer zweiten Zone der Halbleiterschicht, wobei eine dritte Zone der Halbleiterschicht zwischen der ersten und zweiten Zone angeordnet ist und an diese angrenzt; und eine dielektrische Isolierung (105) in der Halbleiterschicht, wobei die dielektrische Isolierung die erste, zweite und dritte Zone umgibt, die dielektrische Isolierung an die erste, zweite und dritte Zone und den Photodiodenkörper angrenzt und die dielektrische Isolierung nicht an den schwebenden Diffusionsknoten angrenzt, wobei Abschnitte der zweiten Zone zwischen der dielektrischen Isolierung und dem schwebenden Diffusionsknoten angeordnet sind.

公开(公告)号：AT404996T

公开(公告)日：2008-08-15

申请号：AT04777432

申请日：2004-06-30

Applicant: IBM

Inventor： BRYANT ANDRES ,  CLARK WILLIAM ,  FRIED DAVID ,  JAFFE MARK ,  NOWAK EDWARD ,  PEKARIK JOHN ,  PUTNAM CHRISTOPHER

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/00 ,  H01L21/308 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/76 ,  H01L29/786