公开(公告)号：DE102016105520B4

公开(公告)日：2019-09-05

申请号：DE102016105520

申请日：2016-03-24

Applicant: IBM

Inventor： S BASKER VEERARAGHAVAN ,  LIU ZUOGUANG ,  YAMASHITA TENKO ,  YEH CHUN-CHEN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/8238

Abstract: Verfahren (300) für einen zweifachen epitaxialen Prozess in einer FinFET-Einheit (200), wobei das Verfahren (300) aufweist:Anordnen (305) einer ersten Abstandshalterschicht (18) auf einem Substrat (10), auf einem Dummy-Gate (14) sowie auf einer Hartmaske (16), wobei sich ein erstes Gebiet von einem Ort auf dem Dummy-Gate (14) aus in einer ersten Richtung erstreckt und sich ein zweites Gebiet von dem Ort auf dem Dummy-Gate (14) aus in einer zweiten Richtung erstreckt, wobei die erste Richtung entgegengesetzt zu der zweiten Richtung ist;Anordnen (310) einer zwischenliegenden Abstandshalterschicht (205) oben auf der ersten Abstandshalterschicht (18), wobei die zwischenliegende Abstandshalterschicht (205) einen Dotierstoff (28) beinhaltet;Öffnen (315) eines ersten Bereichs (250) auf dem Substrat (10), indem die erste Abstandshalterschicht (18) und die zwischenliegende Abstandshalterschicht (205) bei dem ersten Bereich (250) entfernt werden;Anordnen (320) einer ersten epitaxialen Schicht in dem ersten Bereich (250) auf dem Substrat (10);Entfernen (325) der zwischenliegenden Abstandshalterschicht (205) von dem ersten Gebiet;Anordnen (330) einer zweiten Abstandshalterschicht (38) auf der zwischenliegenden Abstandshalterschicht (205);Öffnen (335) eines zweiten Bereichs (260) auf dem Substrat (10), indem die erste Abstandshalterschicht (18), die zwischenliegende Abstandshalterschicht (205) sowie die zweite Abstandshalterschicht (38) an dem zweiten Bereich (260) auf dem Substrat (10) entfernt werden;Anordnen (340) einer zweiten epitaxialen Schicht in dem zweiten Bereich (260) auf dem Substrat (10), wobei sich der erste Bereich (250) und der zweite Bereich (260) auf entgegengesetzten Seiten des Dummy-Gates (14) befinden; undVergrößern (345) einer Breite der zweiten epitaxialen Schicht mittels eines Tempervorgangs, um zu bewirken, dass der Dotierstoff (28) in der zwischenliegenden Abstandshalterschicht (205) in die zweite epitaxiale Schicht hinein strömt.

公开(公告)号：DE112016000407T5

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：DE112016000407

申请日：2016-02-17

Applicant: IBM

Inventor： LIU ZUOGUANG ,  CHEN CHIA-YU ,  YAMASHITA TENKO ,  WANG MIAOMIAO

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L27/092 ,  H01L29/04

Abstract: Es wird eine Technik für eine Bildung einer Halbleiter-Einheit bereitgestellt. Opfer-Mandrels werden über einer Hartmaskenschicht auf einer Halbleiterschicht gebildet. Auf Seitenwänden der Opfer-Mandrels werden Abstandshalter gebildet. Die Opfer-Mandrels werden entfernt, um die Abstandshalter zu belassen. Ein Maskierungs-Prozess belässt einen ersten Satz von Abstandshaltern freiliegend, während ein zweiter Satz geschützt ist. In Reaktion auf den Maskierungs-Prozess bildet ein erster Fin-Ätzprozess mittels des ersten Satzes von Abstandshaltern einen ersten Satz von Fins in der Halbleiterschicht. Der erste Satz von Fins weist ein vertikales Seitenwand-Profil auf. Ein weiterer Maskierungs-Prozess belässt den zweiten Satz von Abstandshaltern freiliegend, wobei der erste Satz von Abstandshaltern und der erste Satz von Fins geschützt sind. in Reaktion auf den weiteren Maskierungs-Prozess bildet ein zweiter Fin-Ätzprozess unter Verwendung des zweiten Satzes von Abstandshaltern einen zweiten Satz von Fins in der Halbleiterschicht. Der zweite Satz von Fins weist ein trapezförmiges Seitenwand-Profil auf.

公开(公告)号：DE112022001841B4

公开(公告)日：2025-03-06

申请号：DE112022001841

申请日：2022-03-29

Applicant: IBM

Inventor： CHENG KANGGUO ,  LIU ZUOGUANG ,  LI JUNTAO ,  XIE RUILONG

IPC: H10B63/10 ,  H10N70/20

Abstract: Phasenänderungsspeicher-Zelle, PCM-Zelle, die aufweist: eine erste Elektrode;ein Heizelement, das mit der ersten Elektrode elektrisch verbunden ist, wobei sichein PCM-Material in einem direkten Kontakt mit einem Ende des Heizelements befindet;das PCM-Material, das mit dem Heizelement elektrisch verbunden ist;eine zweite Elektrode, die mit dem PCM-Material elektrisch verbunden ist;einen ersten resistiven Überzug in einem direkten Kontakt mit und elektrisch verbunden miteiner Seitenwand des Heizelements und mit dem PCM-Material; undeinen elektrisch isolierenden Abstandshalter in einem direkten Kontakt mit der Seitenwand des Heizelements und mit einem Teilbereich des ersten resistiven Überzugs derart, dass sich der erste resistive Überzug nur an einem äußeren Ende des ersten resistiven Überzugs, das dem Heizelement gegenüberliegt, in einem direkten Kontakt mit dem PCM-Material befindet.

公开(公告)号：DE112018000914T5

公开(公告)日：2019-11-07

申请号：DE112018000914

申请日：2018-04-19

Applicant: IBM

Inventor： LIU ZUOGUANG ,  FAN SU CHEN ,  WU HENG ,  YAMASHITA TENKO

IPC: H01L29/66

Abstract: Ausführungsformen sind auf ein Verfahren und resultierende Strukturen für einen vertikalen Feldeffekttransistor (VFET) mit einem eingebetteten unteren Metallkontakt ausgerichtet. Ein Halbleiter-Fin wird auf einem dotierten Bereich eines Substrats gebildet. Ein Teil des dotierten Bereichs benachbart zu dem Halbleiter-Fin wird zurückgesetzt, und auf dem zurückgesetzten Teil wird ein eingebetteter Kontakt gebildet. Ein Material für die leitfähige Leiste wird derart gewählt, dass eine Leitfähigkeit des eingebetteten Kontakts höher als eine Leitfähigkeit des dotierten Bereichs ist.

公开(公告)号：DE112014005373T5

公开(公告)日：2016-08-11

申请号：DE112014005373

申请日：2014-10-10

Applicant: IBM

Inventor： BASKER VEERARAGHAVAN S ,  LIU ZUOGUANG ,  YAMASHITA TENKO ,  YEH CHUN-CHEN

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78

Abstract: Ausführungsformen betreffen das Bilden einer Struktur, welche mindestens eine Finne, ein Gate und einen Abstandhalter aufweist, das Anwenden eines Temperverfahrens auf die Struktur, um zwischen der mindestens einen Finne und dem Abstandhalter eine Lücke zu erzeugen, und das Anwachsen einer epitaxialen Halbleiterschicht in der Lücke zwischen dem Abstandhalter und der mindestens einen Finne.

公开(公告)号：DE112018000914B4

公开(公告)日：2022-02-17

申请号：DE112018000914

申请日：2018-04-19

Applicant: IBM

Inventor： LIU ZUOGUANG ,  FAN SU CHEN ,  WU HENG ,  YAMASHITA TENKO

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren (1200) zur Herstellung einer Halbleitereinheit (200), wobei das Verfahren umfasst:Bilden (1202) eines Halbleiter-Fin (202) auf einem dotierten Bereich (204) eines Substrats (206);Bilden eines leitfähigen Gates (210) über einem Kanalbereich des Halbleiter-Fin;Bilden eines unteren Abstandshalters (214) zwischen dem dotierten Bereich und dem leitfähigen Gate;Zurücksetzen (1204) eines Teils des dotierten Bereichs; undBilden (1206) eines eingebetteten Kontakts (800) auf dem zurückgesetzten Teil des dotierten Bereichs, wobei der eingebettete untere Kontakt etwa 3 nm bis etwa 5 nm unter den unteren Abstandshalter zurückgesetzt ist;wobei eine Leitfähigkeit des eingebetteten Kontakts höher als eine Leitfähigkeit des dotierten Bereichs ist.

公开(公告)号：DE102016105520A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：DE102016105520

申请日：2016-03-24

Applicant: IBM

Inventor： S BASKER VEERARAGHAVAN ,  LIU ZUOGUANG ,  YAMASHITA TENKO ,  YEH CHUN-CHEN

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336

Abstract: Eine Technik bezieht sich auf einen zweifachen epitaxialen Prozess einer Einheit. Ein erster Abstandshalter wird auf einem Substrat, einem Dummy-Gate sowie einer Hartmaske angeordnet. Ein erstes Gebiet erstreckt sich von dem Gate aus in einer ersten Richtung, und ein zweites Gebiet erstreckt sich in einer entgegengesetzten Richtung. Auf dem ersten Abstandshalter wird ein dotierter zwischenliegender Abstandshalter angeordnet. Auf dem Substrat wird ein erster Bereich geöffnet, indem der erste Abstandshalter und der zwischenliegende Abstandshalter bei dem ersten Bereich entfernt werden. In dem ersten Bereich wird eine erste epitaxiale Schicht angeordnet. Der zwischenliegende Abstandshalter wird von dem ersten Gebiet entfernt. Auf dem zwischenliegenden Abstandshalter wird ein zweiter Abstandshalter angeordnet. Auf dem Substrat wird ein zweiter Bereich geöffnet, indem der erste Abstandshalter, der zwischenliegende Abstandshalter sowie der zweite Abstandshalter entfernt werden. In dem zweiten Bereich wird eine zweite epitaxiale Schicht angeordnet. Die Breite der zweiten epitaxialen Schicht wird mittels eines Tempervorgangs vergrößert, der bewirkt, dass der Dotierstoff in der zwischenliegenden Abstandshalterschicht in die zweite epitaxiale Schicht hinein strömt.