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公开(公告)号:DE112016003955T5
公开(公告)日:2018-05-30
申请号:DE112016003955
申请日:2016-07-12
Applicant: IBM
Inventor: ABDO BALEEGH , GAMBETTA JAY , CHOW JERRY MOY , PAIK HANHEE
IPC: H01L39/22
Abstract: Eine Technik betrifft eine Mikrowelleneinheit (300). Ein Qubit (310) ist mit einem ersten Ende eines ersten Koppelkondensators (320A) und einem ersten Ende eines zweiten Koppelkondensators(320B) verbunden. Ein Resonator (305) ist mit einem zweiten Ende des ersten Koppelkondensators (320A) und einem zweiten Ende des zweiten Koppelkondensators (320B) verbunden. Der Resonator (305) hat eine Resonanzgrundmode. Ein Filter (315) ist sowohl mit dem Qubit (310) als auch dem ersten Ende des ersten oder zweiten Koppelkondensators(320A, 320B) verbunden.
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公开(公告)号:CA3136508A1
公开(公告)日:2020-10-15
申请号:CA3136508
申请日:2020-04-06
Applicant: IBM
Inventor: ADIGA VIVEKANANDA , SANDBERG MARTIN , CHOW JERRY , PAIK HANHEE
Abstract: A qubit includes a substrate, and a first capacitor structure having a lower portion formed on a surface of the substrate and at least one first raised portion extending above the surface of the substrate. The qubit further includes a second capacitor structure having a lower portion formed on the surface of the substrate and at least one second raised portion extending above the surface of the substrate. The first capacitor structure and the second capacitor structure are formed of a superconducting material. The qubit further includes a junction between the first capacitor structure and the second capacitor structure. The junction is disposed at a predetermined distance from the surface of the substrate and has a first end in contact with the first raised portion and a second end in contact with the second raised portion.
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公开(公告)号:DE112017000319T5
公开(公告)日:2018-10-18
申请号:DE112017000319
申请日:2017-01-13
Applicant: IBM
Inventor: PAIK HANHEE , FILIPP STEFAN , BISHOP LEV SAMUEL , GAMBETTA JAY , ORCUTT JASON SCOTT
IPC: H01S3/08
Abstract: Umsetzer und Verfahren zum Herstellen derselben enthalten ein Substrat, das einen Hohlraumresonator mit einem Durchmesser hat, der Whispering-Gallery-Moden bei einer Frequenz eines Eingangssignals unterstützt. Eine Fokussierungsstruktur in dem Hohlraumresonator fokussiert das elektrische Feld des Eingangssignals. Ein Resonator direkt unterhalb der Fokussierungsstruktur hat eine Kristallstruktur, die unter der Einwirkung elektrischer Felder einen elektrooptischen Effekt erzeugt. Mittels des elektrooptischen Effekts wird ein Ausgangssignal durch ein elektrisches Feld des Eingangssignals moduliert.
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公开(公告)号:AU2020381947A1
公开(公告)日:2022-04-28
申请号:AU2020381947
申请日:2020-11-10
Applicant: IBM
Inventor: HAIGHT RICHARD , AFZALI-ARDAKANI ALI , ADIGA VIVEKANANDA , SANDBERG MARTIN , PAIK HANHEE
Abstract: Techniques regarding encapsulating one or more superconducting devices of a quantum processor (100) are provided. For example, one or more embodiments described herein can regard a method that can comprise depositing an adhesion layer (402) onto a superconducting resonator (102) and a silicon substrate (104) that are comprised within a quantum processor. The superconducting resonator can be positioned on the silicon substrate. Also, the adhesion layer can comprise a chemical compound having a thiol functional group.
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公开(公告)号:DE112017006048T5
公开(公告)日:2019-09-12
申请号:DE112017006048
申请日:2017-12-05
Applicant: IBM
Inventor: BISHOP LEV SAMUEL , GAMBETTA JAY , PAIK HANHEE
IPC: G06F1/00
Abstract: Eine Technik bezieht sich auf das Kommunizieren eines Quantenzustands. Die Polarisationshardware ist so konfiguriert, dass sie ein polarisationscodiertes Qubit empfangen und das polarisationscodierte Qubit in zwei Qubits aufteilen kann. Ein Umsetzer ist mit der Polarisationshardware verbunden, und der Umsetzer ist so konfiguriert, dass er die beiden Qubits in eine für ein CNOT-Gatter geeignete Form umsetzen kann. Das CNOT-Gatter ist so konfiguriert, dass es die beiden Qubits in einer Weise empfängt, dass ein Messergebnis einer CNOT-Operation des CNOT-Gatters den Erfolg des Kommunizierens des Quantenzustands feststellt.
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公开(公告)号:AU2020271227A1
公开(公告)日:2021-10-14
申请号:AU2020271227
申请日:2020-04-06
Applicant: IBM
Inventor: ADIGA VIVEKANANDA , SANDBERG MARTIN , CHOW JERRY , PAIK HANHEE
Abstract: A qubit includes a substrate, and a first capacitor structure having a lower portion formed on a surface of the substrate and at least one first raised portion extending above the surface of the substrate. The qubit further includes a second capacitor structure having a lower portion formed on the surface of the substrate and at least one second raised portion extending above the surface of the substrate. The first capacitor structure and the second capacitor structure are formed of a superconducting material. The qubit further includes a junction between the first capacitor structure and the second capacitor structure. The junction is disposed at a predetermined distance from the surface of the substrate and has a first end in contact with the first raised portion and a second end in contact with the second raised portion.
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公开(公告)号:DE112017000319B4
公开(公告)日:2020-09-24
申请号:DE112017000319
申请日:2017-01-13
Applicant: IBM
Inventor: PAIK HANHEE , FILIPP STEFAN , BISHOP LEV SAMUEL , GAMBETTA JAY , ORCUTT JASON SCOTT
IPC: H01S3/08
Abstract: Ein Transducer (100), der aufweist:ein Substrat (120), das einen Hohlraumresonator (130) mit einem Durchmesser aufweist, der Whispering-Gallery-Moden bei einer Frequenz eines Eingangssignals unterstützt;eine Fokussierungsstruktur in dem Hohlraumresonator (130), der zum Fokussieren eines elektrischen Feldes des Eingangssignals vorgesehen ist;einen Resonator (110) direkt unterhalb der Fokussierungsstruktur, wobei der Resonator (110) eine Kristallstruktur aufweist, die unter dem Einfluss elektrischer Felder einen elektrooptischen Effekt erzeugt, wobei mittels des elektrooptischen Effekts ein Ausgangssignal in dem Resonator (110) durch ein elektrisches Feld des Eingangssignals moduliert wird, undwobei der Hohlraumresonator (130) zylindrisch ist und die Fokussierungsstruktur aus einem zu dem Hohlraumresonator (130) koaxialen zentralen Stift (114) besteht.
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公开(公告)号:DE112017007898T5
公开(公告)日:2020-05-14
申请号:DE112017007898
申请日:2017-12-21
Applicant: IBM
Inventor: SANDBERG MARTIN , MICKAY DAVID , GUMANN PATRYK , PAIK HANHEE , GAMBETTA JAY
IPC: G06N99/00 , H01L23/485
Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung offenbaren ein Computersystem mit einer Mehrzahl in einer ebenenähnlichen zweidimensionalen Struktur angeordneter Quantenschaltkreise, wobei die Quantenschaltkreise Qubits und Busse (d.h. Qubit-Qubit-Verbindungen) aufweisen, und ein Verfahren zu dessen Bildung. Ein Quantencomputer-System weist eine Mehrzahl in einem zweidimensionalen Muster angeordneter Quantenschaltkreise auf. Mindestens ein innerer Quantenschaltkreis, der nicht entlang des Umfanges der zweidimensionalen Ebene der Mehrzahl Quantenschaltkreise angeordnet ist, enthält einen unteren Chip, eine Einheitenschicht, einen oberen Chip und eine Weiterleitungsschicht. Eine Signalleitung verbindet die Einheitenschicht mit der Weiterleitungsschicht, wobei die Signalleitung die zweidimensionale Ebene verlässt, zum Beispiel erstreckt sich die Signalleitung in eine andere Ebene.
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公开(公告)号:AU2022229739B2
公开(公告)日:2025-01-16
申请号:AU2022229739
申请日:2022-02-25
Applicant: IBM
Inventor: FALK ABRAM , XIONG CHI , KAMLAPURKAR SWETHA , PAIK HANHEE , ORCUTT JASON
Abstract: Techniques regarding quantum transducers are provided. For example, one or more embodiments described herein can include an apparatus that can include a superconducting microwave resonator having a microstrip architecture that includes a dielectric layer positioned between a superconducting waveguide and a ground plane. The apparatus can also include an optical resonator positioned within the dielectric layer.
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公开(公告)号:AU2021294859A1
公开(公告)日:2022-11-17
申请号:AU2021294859
申请日:2021-06-17
Applicant: IBM
Inventor: GILL DOUGLAS , SANDBERG MARTIN , ADIGA VIVEKANANDA , MARTIN YVES , PAIK HANHEE
Abstract: A method for improving lifetime and coherence time of a qubit in a quantum mechanical device includes providing a substrate having at least one qubit formed on the frontside, the at least one qubit having capacitor pads, and removing substrate material from the backside at an area opposite the qubit and/or depositing a superconducting metal layer at the backside area opposite the qubit to reduce radiofrequency electrical current loss due to at least one of silicon-air (SA) interface, metal-air (MA) interface or silicon-metal (SM) interface.
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