Gestapelte Durchkontaktierungsnieten in Chip-Hotspots sowie zugehöriges Verfahren und Computerprogrammprodukt

    公开(公告)号:DE112021006470B4

    公开(公告)日:2025-05-15

    申请号:DE112021006470

    申请日:2021-11-02

    Applicant: IBM

    Abstract: Struktur (102), aufweisend:eine Mehrzahl von Dielektrikumszonen (101a, ..., 101f);eine Nietenzelle (110), aufweisend eine Gruppe von gestapelten Durchkontaktierungen, wobei sich die Nietenzelle (110) durch einen Spannungs-Hotspot (105) der Struktur (102) erstreckt und eine Länge der Nietenzelle (110) durch mindestens eine Dielektrikumszone der Mehrzahl von Dielektrikumszonen (101a, ..., 101f) führt,wobei die Nietenzelle (110) durch eine Grenzfläche zwischen einer ersten Dielektrikumszone und einer zweiten Dielektrikumszone der Mehrzahl von Dielektrikumszonen (101a, ..., 101f) führt und die erste Dielektrikumszone und die zweite Dielektrikumszone unterschiedliche Dielektrizitätskonstanten aufweisen, undwobei die Nietenzelle (110) durch eine Grenzfläche zwischen einer ersten Dielektrikumszone und einer zweiten Dielektrikumszone der Mehrzahl von Dielektrikumszonen führt und die erste Dielektrikumszone und die zweite Dielektrikumszone unterschiedliche Dielektrizitätskonstanten aufweisen .

    GEGENÜBER EINER ERMÜDUNGS-FEHLFUNKTION BESTÄNDIGEELEKTRONISCHE PACKUNG

    公开(公告)号:DE102021125607A1

    公开(公告)日:2022-05-19

    申请号:DE102021125607

    申请日:2021-10-04

    Applicant: IBM

    Abstract: Eine Chip-Packung weist einen Chip mit einem ersten Temperatursensor auf. Der erste Temperatursensor ist so konfiguriert, dass er eine erste Temperatur des Chips in einem lokalisierten Gebiet um den ersten Temperatursensor herum misst. Die Chip-Packung weist außerdem einen Chip-Träger auf, der über eine Mehrzahl von Lot-Verbindungen mit dem Chip gekoppelt ist. Der Chip-Träger weist einen zweiten Temperatursensor auf, der in Bezug auf den ersten Temperatursensor vertikal ausgerichtet ist. Der zweite Temperatursensor ist so konfiguriert, dass er eine zweite Temperatur des Chip-Trägers in einem lokalisierten Gebiet um den zweiten Temperatursensor herum misst. Der Chip-Träger weist des Weiteren ein lokalisiertes Heizelement auf, das sich in der Nähe des zweiten Temperatursensors befindet und so konfiguriert ist, dass es in Reaktion auf einen detektierten Unterschied auf Grundlage des Vergleichs der ersten Temperatur und der zweiten Temperatur Wärme erzeugt, so dass der detektierte Unterschied in dem lokalisierten Gebiet um den ersten Temperatursensor herum eingestellt wird.

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