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    Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit geprägter Bodenplatte
    2.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit geprägter Bodenplatte 未知

    公开(公告)号：DE102012201172B4

    公开(公告)日：2019-08-29

    申请号：DE102012201172

    申请日：2012-01-27

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： GRÖNING TORSTEN ,  ESSERT MARK ,  STEININGER CHRISTIAN ,  TSCHIRBS ROMAN

    IPC: H01L21/50 ,  H01L21/48 ,  H01L23/13 ,  H01L23/367 ,  H01L23/40

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls mit folgenden Schritten:Bereitstellen einer Bodenplatte (4), die eine Oberseite (41) und eine der Oberseite (41) entgegengesetzte Unterseite (42) aufweist;Durchführen eines Prägeschrittes, bei dem eine oder mehrere Vertiefungen (40) in die Bodenplatte (4) eingeprägt werden, die sich jeweils ausgehend von der Oberseite (41) in die Bodenplatte (4) hinein erstrecken und in deren Bereich die Dicke (d4) der Bodenplatte (4) lokal reduziert ist;Durchführen eines Biegeschrittes, bei dem die Bodenplatte (4), vor oder nach dem Prägeschritt, mit einer Krümmung versehen wird;Bereitstellen eines Schaltungsträgers (2);Anordnen des Schaltungsträgers (2) oberhalb der Vertiefung (40) auf der Oberseite (41); undVerbinden des Schaltungsträgers (2) mit der Bodenplatte (4), so dass sich die Vertiefung (40) vollständig oder zumindest teilweise zwischen dem Schaltungsträger (2) und der Unterseite (42) der Bodenplatte (4) befindet, wobeidie Vertiefung (40) durch einen ringförmig geschlossenen Graben gebildet wirdoder die Vertiefung (40) zwei sich überkreuzende Gräben (40a, 40b) aufweist.

    Leistungshalbleitermodul und Verfahren zu dessen Herstellung
    3.
    发明专利
    Leistungshalbleitermodul und Verfahren zu dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102009000490B4

    公开(公告)日：2011-09-01

    申请号：DE102009000490

    申请日：2009-01-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ESSERT MARK ,  KNECHT MARTIN ,  CILLIOX ALEXANDER

    IPC: H01R12/55 ,  H01R12/58 ,  H01L23/48 ,  H01R4/58

    Abstract: Leistungshalbleitermodul umfassend: – einen Schaltungsträger (30) mit einer strukturierten Metallisierung (32); und – einen Einpressverbinder mit einem ersten Teil (1), der ein erstes Ende (11) und ein zweites Ende (12) aufweist, und einem zweiten Teil (2), der ein erstes Ende (21) und ein zweites Ende (22) aufweist, wobei das zweite Ende (12) des ersten Teils (1) elektrisch und mechanisch mit dem ersten Ende (21) des zweiten Teils (2) verbunden ist; der erste Teil (1) aus einem ersten Material hergestellt ist, das eine erste mechanische Festigkeit aufweist; der zweite Teil (2) aus einem zweiten Material hergestellt ist, das eine zweite mechanische Festigkeit aufweist; die erste mechanische Festigkeit höher ist als die zweite mechanische Festigkeit; wobei das erste Ende (11) des ersten Teils (1) so ausgebildet ist, dass es in eine Öffnung (301) eines elektronischen Bauteils (300) einpressbar ist; und wobei das zweite Ende...

    Leistungshalbleitermodul mit verringertem Leitungswiderstand und Verfahren
    4.
    发明专利
    Leistungshalbleitermodul mit verringertem Leitungswiderstand und Verfahren 未知

    公开(公告)号：DE102010000951B4

    公开(公告)日：2018-05-03

    申请号：DE102010000951

    申请日：2010-01-15

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SIEPE DIRK DR ,  ESSERT MARK

    IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60 ,  H01L25/18

    Abstract: Leistungshalbleitermodul mit einem Schaltungsträger (2), der ein Isoliersubstrat (20) umfasst, sowie eine auf dem Isoliersubstrat (20) angeordnete, flächige, strukturierte Metallisierung (21), wobei- die strukturierte Metallisierung (21) einen zusammenhängenden Abschnitt (31) aufweist;- wenigstens ein Bonddraht (4, 4', 4") vorhanden ist, von denen jeder an einer ersten Bondstelle (41, 41', 41") und an einer zweiten Bondstelle (42, 42', 42") an den zusammenhängenden Abschnitt (31) gebondet ist;- der zusammenhängende Abschnitt (31) eine Engstelle (25) aufweist, an der der Leitungsquerschnitt des zusammenhängenden Abschnitts (31) lokal verringert ist, wobei der zumindest eine Bonddraht (4, 4', 4") die Engstelle (25) vollständig oder teilweise elektrisch überbrückt.

    Leistungshalbleitermodul mit verringertem Leitungswiderstand
    6.
    发明专利
    Leistungshalbleitermodul mit verringertem Leitungswiderstand 未知

    公开(公告)号：DE102010000951A1

    公开(公告)日：2011-09-01

    申请号：DE102010000951

    申请日：2010-01-15

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SIEPE DIRK DR ,  ESSERT MARK

    IPC: H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  H01L25/18

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul mit einem Schaltungsträger (2), der ein Isoliersubstrat (20) umfasst, sowie eine auf dem Isoliersubstrat (20) angeordnete, flächige, strukturierte Metallisierung (21). Weiterhin ist wenigstens ein Bonddraht (4, 4', 4'') vorgesehen, von denen jeder an einer ersten Bondstelle (41, 41', 41'') und an einer zweiten Bondstelle (42, 42', 42'') an den zusammenhängenden Abschnitt (31) gebondet ist. Gemäß einer anderen Ausgestaltung kann wenigstens ein Bonddraht (4, 4', 4'') vorgesehen sein, von denen jeder jeweils an nur genau einer Bondstelle (44, 44', 44'') an den zusammenhängenden Abschnitt (31) gebondet ist, und von denen keiner an einer weiteren Bondstelle an den zusammenhängenden Abschnitt (31) oder an eine andere Komponente des Leistungshalbleitermoduls gebondet ist.

    7.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102009027416A1

    公开(公告)日：2010-02-04

    申请号：DE102009027416

    申请日：2009-07-01

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： CILIOX ALEXANDER ,  ESSERT MARK ,  KNECHT MARTIN

    IPC: H05K7/14

    Abstract: A semiconductor module and a method. One embodiment provides a housing with a housing frame and a pluggable carrier which is plugged in the housing frame. The pluggable carrier is equipped with a lead which includes an internal portion which is arranged inside the housing, and an external portion which is arranged outside the housing. The internal portion is electrically coupled to an electric component of the power semiconductor module. The external portion allows for electrically coupling the power semiconductor module.

    8.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102009000490A1

    公开(公告)日：2009-10-08

    申请号：DE102009000490

    申请日：2009-01-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ESSERT MARK ,  KNECHT MARTIN ,  CILLIOX ALEXANDER

    IPC: H01R12/55 ,  H01R4/58

    Abstract: According to an embodiment, a press-fit connector includes a first part with a first end and with a second end, and a second part with a first end and with a second end. The second end of the first part is electrically and mechanically joined to the first end of the second part. The first part is made of a first material with a first mechanical strength. The second part is made of a second material with a second mechanical strength. The first mechanical strength is greater than the second mechanical strength.

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