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公开(公告)号：CN106358377B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201610551977.1
申请日：2016-07-13
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明公开附载体铜箔、积层体、积层体的制造方法、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法，具体提供一种极薄铜层的激光开孔性良好且适合制作高密度集成电路基板的附载体铜箔。附载体铜箔在载体的一面或两面依序具备中间层与极薄铜层，在将附载体铜箔从极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471将载体从附载体铜箔剥离时，利用激光显微镜所测得的极薄铜层的中间层侧的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa满足Sz≦3.6μm，Sz/Sa≦14.00，且极薄铜层的中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足GMD≦150。
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公开(公告)号：CN106358377A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610551977.1
申请日：2016-07-13
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明公开附载体铜箔、积层体、积层体的制造方法、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法，具体提供一种极薄铜层的激光开孔性良好且适合制作高密度集成电路基板的附载体铜箔。附载体铜箔在载体的一面或两面依序具备中间层与极薄铜层，在将附载体铜箔从极薄铜层侧以压力20kgf/cm2积层于绝缘基板并在220℃加热2小时后，依据JIS C 6471将载体从附载体铜箔剥离时，利用激光显微镜所测得的极薄铜层的中间层侧的表面粗糙度Sz及表面粗糙度Sa满足Sz≦3.6μm，Sz/Sa≦14.00，且极薄铜层的中间层侧表面的MD方向的60度光泽度GMD满足GMD≦150。
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公开(公告)号：CN111989425A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201980026041.9
申请日：2019-04-22
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明是一种表面处理铜箔1，其具有：铜箔2及形成于铜箔2的一面的第一表面处理层3。该表面处理铜箔1的第一表面处理层3于XPS的纵深分析中，以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行1分钟溅镀时，相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni浓度为0.1～15.0atm％。另外，覆铜积层板10具备表面处理铜箔1及附着于表面处理铜箔1的第一表面处理层3的绝缘基材11。
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公开(公告)号：CN106455342A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610644624.6
申请日：2016-08-08
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 宫本宣明
IPC: H05K3/02
CPC classification number: H05K3/4682 , H05K1/09 , H05K3/0035 , H05K3/007 , H05K3/025 , H05K3/108 , H05K3/4611 , H05K3/4661 , H05K2201/0355 , H05K2203/0307 , H05K2203/0376 , H05K2203/0384 , H05K2203/06
Abstract: 本发明涉及附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法。具体提供一种微细电路形成性良好的附载体铜箔。本发明的附载体铜箔依序具备载体、中间层及极薄铜层，且将附载体铜箔的不含载体及中间层的部分由重量法测得的厚度设为D1，通过在压力20kgf/cm2、220℃下2小时的条件下将附载体铜箔从极薄铜层侧加热压制在双马来酰亚胺三嗪树脂基板而贴合后，将载体剥离，将树脂基板上残存的层的最大厚度设为D2，此时，D2－D1为0.30～3.83μm。
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公开(公告)号：CN106455341A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610639155.9
申请日：2016-08-05
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 宫本宣明
CPC classification number: H05K1/09 , B32B15/04 , B32B15/043 , B32B15/08 , H05K1/115 , H05K3/0032 , H05K3/0035 , H05K3/025 , H05K3/188 , H05K3/202 , H05K3/205 , H05K3/4007 , H05K3/4038 , C25D1/04 , H05K3/384 , H05K2201/0355 , H05K2203/0723
Abstract: 本发明涉及附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法。具体提供一种微细电路形成性良好的附载体铜箔。本发明的附载体铜箔依序具备载体、中间层及极薄铜层，且附载体铜箔的极薄铜层侧表面的由激光显微镜测定的依据ISO 25178的最大峰高度Sp为0.193～3.082μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116669948A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180085897.0
申请日：2021-12-17
Applicant: JX金属株式会社
IPC: B32B15/01
Abstract: 本发明的目的在于提供一种表面处理铜箔，其能够减少自基板的剥离并形成细间距化的电路图案。本发明的表面处理铜箔(1)具有铜箔(2)、形成于上述铜箔(2)的一面的第1表面处理层(3)及形成于上述铜箔(2)的另一面的第2表面处理层(4)；上述第1表面处理层(3)的Ni附着量相对于上述第2表面处理层(4)的Ni附着量的比为0.01～2.0，上述表面处理铜箔(1)的拉伸强度为235～290MPa，上述铜箔(2)由99.0质量％以上的Cu及其余不可避免的杂质所构成。
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公开(公告)号：CN111971421B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201980025877.7
申请日：2019-04-22
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明涉及一种表面处理铜箔1，其具有铜箔2、及形成于铜箔2的一面的第一表面处理层3。此表面处理铜箔1的第一表面处理层3基于JIS B0601：2013的粗糙度曲线要素的均方根倾斜RΔq为5～28°。又，覆铜积层板10具备表面处理铜箔1、及接着于表面处理铜箔1的第一表面处理层3的绝缘基材11。
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公开(公告)号：CN111971420A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201980025253.5
申请日：2019-04-22
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明是一种表面处理铜箔1，其具有铜箔2、及形成于铜箔2的一面的第1表面处理层3。该表面处理铜箔1的第1表面处理层3的Ni附着量为20～200μg/dm2，Zn附着量为20～1000μg/dm2。又，覆铜积层板10具备表面处理铜箔1、及接著于表面处理铜箔1的第1表面处理层3的绝缘基材11。
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公开(公告)号：CN106455310B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：CN201610642991.2
申请日：2016-08-08
Applicant: JX金属株式会社
Inventor： 宫本宣明
Abstract: 本发明涉及附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法,且提供一种微细电路形成性良好的附载体铜箔。本发明的附载体铜箔依序具备载体、中间层、及极薄铜层，并且在通过在压力：20kgf/cm2、220℃的条件下对附载体铜箔进行2小时加热压制而将其从极薄铜层侧贴合在双马来酰亚胺三嗪树脂基板后，将载体剥离，接着通过蚀刻将极薄铜层去除，由此而露出的树脂基板表面的利用激光显微镜所测得的依据ISO 25178的最大凹部深度Sv为0.181～2.922μm。
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公开(公告)号：CN111971420B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201980025253.5
申请日：2019-04-22
Applicant: JX金属株式会社
Abstract: 本发明是一种表面处理铜箔1，其具有铜箔2、及形成于铜箔2的一面的第1表面处理层3。该表面处理铜箔1的第1表面处理层3的Ni附着量为20～200μg/dm2，Zn附着量为20～1000μg/dm2。又，覆铜积层板10具备表面处理铜箔1、及接著于表面处理铜箔1的第1表面处理层3的绝缘基材11。
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