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公开(公告)号:CN101191967A
公开(公告)日:2008-06-04
申请号:CN200710126907.2
申请日:2007-06-29
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1362 , H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供液晶显示装置的阵列基板及其制造方法。液晶显示装置的阵列基板包括:基板;所述基板上的选通线;薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括所述选通线的栅极、所述栅极上方的栅绝缘层、所述栅绝缘层上的有源层和所述有源层上的欧姆接触层、以及所述欧姆接触层上方的源极和漏极;电连接到所述漏极的像素电极;电连接到所述源极并与所述选通线交叉的数据线;与所述像素电极间隔开的公共电极;以及直接位于所述像素电极与所述公共电极之间以及直接位于所述源极与所述漏极之间的钝化层。
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公开(公告)号:CN100371813C
公开(公告)日:2008-02-27
申请号:CN200410085639.0
申请日:2004-10-13
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/00 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F2001/136222 , G02F2001/136236
Abstract: 水平电场施加型液晶显示板及其制造方法。使用数量较少的掩模工艺来制造面内切换(IPS)型液晶显示板,该IPS型液晶显示板包括薄膜晶体管(TFT)阵列基板,TFT阵列基板具有设置在数据线和选通线交叉处的TFT,用于保护TFT的保护膜,连接到TFT的像素电极,基本平行于像素电极的公共线,连接到公共线并用于与像素电极之间产生水平电场的公共电极,以及连接到选通线、数据线和/或公共线的包含透明导电材料的焊盘。滤色器阵列基板连接到TFT阵列基板,并与TFT阵列基板的一部分交叠。滤色器阵列基板与TFT阵列基板未交叠的区域中的部分保护膜被去除以露出焊盘中包含的透明导电材料。
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公开(公告)号:CN1992145A
公开(公告)日:2007-07-04
申请号:CN200610167257.1
申请日:2006-12-12
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: H01J61/02 , H01J61/30 , G02F1/13357 , G02F1/1335
CPC classification number: H01J65/00 , G02F1/133604 , H01J61/33
Abstract: 本发明公开了提高了亮度和效率的灯和背光单元。在所述灯中,透明管密封有放电气体。荧光材料形成在产生光的发射器部分内的透明管内。电极安装在玻璃管的两侧。
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公开(公告)号:CN1892385A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610094216.4
申请日:2006-06-27
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1333 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/13439 , G02F1/136213 , G02F1/136286 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295
Abstract: 公开了一种简化工艺的液晶显示器件及其制造方法。在该液晶显示器件的制造方法中,在基板上形成包括选通线和栅极、公共线和公共电极、像素电极和焊盘的第一导电图案组。在第一掩模图案组上形成半导体图案以及包括多个接触孔的绝缘膜。并且在设置有半导体图案的绝缘膜上形成包括数据线、源极和漏极并暴露出半导体图案的有源层的第二导电图案组。
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公开(公告)号:CN1797157A
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200510082745.8
申请日:2005-07-11
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/1368 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236
Abstract: 本发明公开了一种用于边缘电场转换型液晶显示器件的薄膜晶体管基板及其制造方法,其可以减少所需掩模工序的数量,并因此提高生产效率。该制造方法包括三轮掩模工序,其中所述掩模为局部透射掩模,并产生具有不同厚度的光刻胶图案。通过具有不同厚度的光刻胶层,通过根据其厚度逐步去除光刻胶以采用相同光刻胶图案的多次蚀刻步骤形成结构。所述薄膜晶体管基板具有直接形成于基板上的公共线、公共电极、栅线以及栅极。公共电极在像素区与像素电极重叠。
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公开(公告)号:CN1794077A
公开(公告)日:2006-06-28
申请号:CN200510093771.0
申请日:2005-08-30
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1368 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/4908 , Y10S438/951
Abstract: 本发明公开了一种用于简化工序的薄膜晶体管基板及其制造方法。在根据本发明的液晶显示器件中,栅线设置在基板上。数据线与栅线交叉并在其间具有栅绝缘膜以限定像素区。薄膜晶体管包括连接到栅线的栅极、连接到数据线的源极、与源极相对的漏极以及用于限定源极和漏极之间沟道的半导体层。像素电极连接到漏极并且设置在所述像素区。在这里,所述数据线、所述源极和所述漏极具有在其上构建有源/漏金属图案和透明导电图案的双层结构。通过延伸漏极的透明导电图案形成所述像素电极。保护膜与透明导电图案接界并设置在其剩余区域。
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公开(公告)号:CN1794076A
公开(公告)日:2006-06-28
申请号:CN200510132210.7
申请日:2005-12-22
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
Inventor: 安炳喆
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133 , H01L29/786 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F2001/136231 , G02F2001/13629
Abstract: 一种LCD器件包括:基板上的栅线和与栅线相交以限定像素区域的数据线;包括源极和漏极的薄膜晶体管;平行于栅线的公共线;从公共线延伸的公共电极和从漏极延伸的像素电极,其中栅线和公共线具有至少双层导电层的第一导电层组,并且公共电极通过公共线的至少一层透明导电层的延伸形成;栅线、源极和漏极具有至少双层导电层的第二导电层组,并且像素电极通过漏极的至少一层透明导电层的延伸形成。
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公开(公告)号:CN1794048A
公开(公告)日:2006-06-28
申请号:CN200510098547.0
申请日:2005-09-02
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1339
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/1343 , G02F1/1368
Abstract: 本发明涉及一种液晶显示面板,包括:具有公共电极的第一基板;第二基板,其包括与公共电极形成电场的像素电极、连接到像素电极的薄膜晶体管、将信号施加到薄膜晶体管的信号线、和位于信号线所处区域之外的区域中的接触区域,其中该接触区域将公共电压施加到公共电极;以及密封剂,其形成在第一和第二基板之间并具有连接接触区域和公共电极的导电衬垫料。
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公开(公告)号:CN1607445A
公开(公告)日:2005-04-20
申请号:CN200410085639.0
申请日:2004-10-13
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , H01L21/00 , G03F7/20
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/134363 , G02F2001/136222 , G02F2001/136236
Abstract: 水平电场施加型液晶显示板及其制造方法。使用数量较少的掩模工艺来制造面内切换(IPS)型液晶显示板,该IPS型液晶显示板包括薄膜晶体管(TFT)阵列基板,TFT阵列基板具有设置在数据线和选通线交叉处的TFT,用于保护TFT的保护膜,连接到TFT的像素电极,基本平行于像素电极的公共线,连接到公共线并用于与像素电极之间产生水平电场的公共电极,以及连接到选通线、数据线和/或公共线的包含透明导电材料的焊盘。滤色器阵列基板连接到TFT阵列基板,并与TFT阵列基板的一部分交叠。滤色器阵列基板与TFT阵列基板未交叠的区域中的部分保护膜被去除以露出焊盘中包含的透明导电材料。
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公开(公告)号:CN100397211C
公开(公告)日:2008-06-25
申请号:CN200510072276.1
申请日:2005-05-27
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社
Inventor: 安炳喆
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/136213 , G02F2001/136236 , G02F2001/13629 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/1288
Abstract: 本发明公开了一种LCD器件的薄膜晶体管基板及其制造方法,以简化制造工艺并增大存储电容的电容值又不会缩小孔径比。该薄膜晶体管型LCD器件包括:具有第一透明导电层和第二不透明导电层的双层栅线,第二不透明导电层具有阶梯覆层;栅线上的栅绝缘膜;与栅线交叉限定象素区的数据线;连接到栅线和数据线的TFT;通过薄膜晶体管上保护膜的接触孔连接到TFT的象素电极;与象素电极重叠并具有用第一透明导电层形成的下存储电极的存储电容以及独立形成于相邻栅线之间并与所述数据线重叠的冗余线。
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