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公开(公告)号:JP2003163278A
公开(公告)日:2003-06-06
申请号:JP2002307000
申请日:2002-10-22
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor: MALHERBE ALEXANDRE , BLISSON FABRICE
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01L27/02 , H01L27/06
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a protection circuit occupying a small area in an integrated circuit for protecting the integrated circuit against electrostatic discharges and overvoltages. SOLUTION: The integrated circuit comprises at least one element of an electronic protection circuit having at least one switch for short-circuiting supply conductors formed on a rail, wherein the switch is integrated in the rail under the conductors. COPYRIGHT: (C)2003,JPO
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公开(公告)号:FR2999832A1
公开(公告)日:2014-06-20
申请号:FR1262039
申请日:2012-12-14
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor: TROCHUT SEVERIN , RIGAL EMILIE , BLISSON FABRICE , HASBANI FREDERIC , SELLER NICOLAS
Abstract: Une chaîne (CH1) d'interrupteurs sont respectivement connectés entre une première ligne d'alimentation (L1) couplée à une première tension et une deuxième ligne d'alimentation (L2) couplée audit domaine et commandables par un signal de commande (SC) de façon à les rendre passants. On propage le signal de commande depuis une première extrémité de la première chaîne vers une deuxième extrémité de la première chaîne sans commande des interrupteurs lors de cette première propagation et on propage le signal de commande en sens inverse depuis la deuxième extrémité vers la première extrémité avec une commande des interrupteurs lors de cette deuxième propagation à partir d'un groupe d'au moins un interrupteur situé à ladite deuxième extrémité. On détecte (MTR) l'arrivée du signal de commande (SC) au niveau de ladite première extrémité de la chaîne à l'issue de sa propagation en sens inverse, et on délivre un signal d'état (VDDI OK) en présence d'une condition de délivrance comportant ladite arrivée détectée du signal de commande.
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公开(公告)号:FR2851060A1
公开(公告)日:2004-08-13
申请号:FR0301624
申请日:2003-02-11
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor: BLISSON FABRICE , DEBEURME GILLES
IPC: H01L23/528 , H01L27/02 , G05F1/46 , G11C5/14 , H01L21/70
Abstract: Integrated circuit has power stage located under power rail (33). Power rail supplies two extreme supply potentials (Vps, GND) from the exterior of integrated circuit, and a potential (Vdd) regulated by the voltage regulator. Power stage includes two transistors and capacitor. Rail supplies control signal (CTRL) for controlling two transistors. An independent claim is also included for a process for the production of power stage of a voltage regulator.
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公开(公告)号:FR2897199A1
公开(公告)日:2007-08-10
申请号:FR0601015
申请日:2006-02-03
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor: BLISSON FABRICE
Abstract: L'invention concerne un dispositif de gestion du pic de consommation du courant à chaque mise sous tension d'un domaine d'un circuit électronique, le circuit comprenant une pluralité de domaines et une grille d'alimentation globale, chaque domaine étant sélectivement alimenté par une grille d'alimentation locale connectée à la grille d'alimentation globale par l'intermédiaire d'une pluralité de transistors interrupteurs commandés.Le dispositif est caractérisé en ce qu'il comprend, en outre, au moins un transistor de pré-charge, et en ce que les moyens de commande des transistors interrupteurs génèrent un signal de commande analogique dont la pente est contrôlée.Avantageusement, il comprend aussi des moyens de détection configurés pour comparer la valeur instantanée de la tension d'alimentation à une tension d'alimentation fixe de référence et/ou pour comparer à la valeur d'une tension de commande fixe, la valeur instantanée de la tension différentielle entre la tension d'alimentation globale et la tension de commande.
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公开(公告)号:FR2976723A1
公开(公告)日:2012-12-21
申请号:FR1155406
申请日:2011-06-20
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA , STERICSSON SA
Inventor: HASBANI FREDERIC , URARD PASCAL , BLISSON FABRICE , JACQUET DAVID
IPC: H01L23/58
Abstract: L'invention concerne un procédé d'alimentation d'un système intégré, le procédé comprenant des étapes consistant à : fournir au système des tensions d'alimentation (Vdd), de masse (Gnd) et de polarisation de caissons, les tensions de polarisation de caisson comprenant une tension de polarisation de caissons de transistors MOS à canal p (Vbpf, Vbpr), supérieure ou inférieure à la tension d'alimentation, et une tension de polarisation de caissons de transistors MOS à canal n (Vbnf, Vbnr), inférieure ou supérieure à la tension de masse, sélectionner par le système parmi les tensions fournies, selon qu'une unité de traitement (PU) du système se trouve dans une période d'activité ou d'inactivité, des tensions à fournir pour polariser les caissons des transistors MOS de l'unité de traitement, et fournir les tensions sélectionnées aux caissons des transistors MOS de l'unité de traitement.
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公开(公告)号:DE602004000651D1
公开(公告)日:2006-05-24
申请号:DE602004000651
申请日:2004-02-10
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor: BLISSON FABRICE , DEBEURME GILLES
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L27/02
Abstract: Integrated circuit has power stage located under power rail (33). Power rail supplies two extreme supply potentials (Vps, GND) from the exterior of integrated circuit, and a potential (Vdd) regulated by the voltage regulator. Power stage includes two transistors and capacitor. Rail supplies control signal (CTRL) for controlling two transistors. An independent claim is also included for a process for the production of power stage of a voltage regulator.
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公开(公告)号:FR2967797A1
公开(公告)日:2012-05-25
申请号:FR1059481
申请日:2010-11-18
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor: BLISSON FABRICE , JACQUET DAVID , URARD PASCAL , SALVADOR BRUNO
IPC: G06F1/32
Abstract: Procédé comprenant : après une interruption d'une application aux bornes d'un composant présentant une capacité interne à ses bornes, par exemple un processeur, d'une première tension d'alimentation ayant un premier niveau d'alimentation (V1) : a-) un contrôle du niveau de la tension résiduelle (VP) aux bornes du composant (P), et b-) lorsque cette tension résiduelle devient inférieure à un premier seuil (VS1) supérieur à une tension minimale, par exemple une tension de rétention (VRET), une application aux bornes du composant d'une tension auxiliaire (VAUX) supérieure ou égale à la tension de rétention (VRET) et inférieure audit premier niveau, c-) une interruption de l'application de la tension auxiliaire, et d-) une répétition des étapes a-), b-) et c-) jusqu'au rétablissement de l'application de ladite première tension aux bornes du composant (P).
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公开(公告)号:FR2967796A1
公开(公告)日:2012-05-25
申请号:FR1059480
申请日:2010-11-18
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor: JACQUET DAVID , BLISSON FABRICE , LECOCQ CHRISTOPHE , URARD PASCAL , ROBERT PASCALE
IPC: G06F1/32
Abstract: Procédé de gestion de l'alimentation d'un composant (P) et d'une mémoire (MM) coopérant avec le composant comprenant : -une alimentation du composant (P) et de la mémoire (MM) avec une première source d'alimentation variable (Alim1) ayant un premier niveau de tension d'alimentation (V1) supérieure à une tension minimale de fonctionnement de la mémoire (VFON), et -lorsque le niveau de la tension de la première source d'alimentation (V1) chute et atteint un seuil (VS) supérieur ou égal à la tension minimale de fonctionnement de la mémoire (VFON), un basculement de l'alimentation de la mémoire (MM) sur une deuxième source d'alimentation (Alim2) ayant un deuxième niveau de tension (V2) supérieur ou égal à la tension minimale de fonctionnement de la mémoire (VFON), le composant restant alimenté par la première source.
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公开(公告)号:FR2831328A1
公开(公告)日:2003-04-25
申请号:FR0113675
申请日:2001-10-23
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor: MALHERBE ALEXANDRE , BLISSON FABRICE
IPC: H01L27/04 , H01L21/822 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L23/60
Abstract: The integrated circuit (20) includes a metal oxide semiconductor (MOS) transistors which are provided for short-circuiting the supply conductors (12,13) arranged in a supply rail (11). The MOS transistors are integrated in the supply rail, below the conductors. The control circuits (6) detect electrostatic discharge (ESD) and overvoltage between the supply conductors. An Independent claim is also included for method of integrating MOS transistors for short- circuiting the supply conductors.
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公开(公告)号:FR2979172B1
公开(公告)日:2013-09-06
申请号:FR1157367
申请日:2011-08-17
Applicant: ST MICROELECTRONICS SA
Inventor: L HOSTIS NICOLAS , ENGELS SYLVAIN , BLISSON FABRICE , LACHAUD CLAIRE-MARIE
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