公开(公告)号：FR3009889A1

公开(公告)日：2015-02-27

申请号：FR1358138

申请日：2013-08-23

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  JOUAN SEBASTIEN ,  FREY LAURENT ,  BOUTAMI SALIM

IPC: H01L31/0232

Abstract: L'invention concerne une photodiode comprenant au moins un plot central (20) disposé sur la surface photoréceptrice de la photodiode, le plot étant en un premier matériau dont les parois latérales sont entourées d'au moins un espaceur (22) en un deuxième matériau d'indice optique distinct de celui du premier matériau, les dimensions latérales du plot étant inférieures à la longueur d'onde de fonctionnement de la photodiode, les premier et deuxième matériaux étant transparents à la longueur d'onde de fonctionnement.

公开(公告)号：FR2974239A1

公开(公告)日：2012-10-19

申请号：FR1153179

申请日：2011-04-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  PRIMA JENS ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un capteur d'images (31) à éclairement par la face arrière à partir d'un substrat semiconducteur (33), ce procédé comportant les étapes suivantes : a) amincir le substrat par sa face arrière ; b) déposer, sur la face arrière du substrat aminci, une couche de silicium amorphe (44) de même type de conductivité que le substrat mais de niveau de dopage supérieur ; et c) recuire à une température permettant de recristalliser le silicium amorphe (44) pour le stabiliser.

公开(公告)号：FR2955205B1

公开(公告)日：2012-09-21

申请号：FR0959060

申请日：2009-12-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  ROY FRANCOIS ,  BESSON PASCAL ,  PRIMA JENS

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/768 ,  H01L21/77 ,  H01L23/48

公开(公告)号：FR3041772B1

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：FR1559267

申请日：2015-09-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： GIRARD DESPROLET ROMAIN ,  MARTY MICHEL ,  BOUTAMI SALIM ,  LHOSTIS SANDRINE

IPC: G02B5/20 ,  H01L27/146

公开(公告)号：FR2955205A1

公开(公告)日：2011-07-15

申请号：FR0959060

申请日：2009-12-16

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  ROY FRANCOIS ,  BESSON PASCAL ,  PRIMA JENS

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302 ,  H01L21/768 ,  H01L21/77 ,  H01L23/48

Abstract: Procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique comprenant une réalisation d'un premier substrat (1) semiconducteur comportant une formation d'une première couche (5) et d'une deuxième couche (4) entre une première face (7) et une deuxième face (2) du substrat, une réalisation de premiers composants (10) et d'une partie d'interconnexion au niveau et au dessus de la deuxième face (2), un amincissement du substrat comprenant une première gravure sélective du premier substrat depuis la première face (7) avec arrêt sur la première couche (5) suivie d'une deuxième gravure sélective avec arrêt sur la deuxième couche (4).

公开(公告)号：FR3013506A1

公开(公告)日：2015-05-22

申请号：FR1361193

申请日：2013-11-15

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'une couche de silicium fortement dopée sur un substrat de silicium (30) plus faiblement dopé, ce procédé comportant les étapes suivantes consistant à déposer une couche de silicium amorphe fortement dopée (32) ; déposer une couche de nitrure de silicium (34) ; et chauffer la couche de silicium amorphe à une température supérieure ou égale à la température de fusion du silicium.

公开(公告)号：FR2980302A1

公开(公告)日：2013-03-22

申请号：FR1158341

申请日：2011-09-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： MARTY MICHEL ,  DUTARTRE DIDIER ,  JOUAN SEBASTIEN

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/762

Abstract: Dispositif, et procédé de fabrication correspondant, comprenant un empilement vertical comportant une couche intermédiaire (CU) disposée entre une région inférieure et une région supérieure, ladite couche intermédiaire étant prolongée par une couche protectrice, ledit empilement vertical possédant une face libre latérale sur laquelle débouchent la région inférieure, la région supérieure et la couche protectrice.

公开(公告)号：FR2974238A1

公开(公告)日：2012-10-19

申请号：FR1153178

申请日：2011-04-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  MARTY MICHEL

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un procédé de réalisation d'un capteur d'images (31) à éclairement par la face arrière à partir d'un substrat semiconducteur (33), ce procédé comportant les étapes suivantes : a) former, depuis la face avant du substrat, des zones (38) de même type de conductivité que le substrat mais de niveau de dopage supérieur, s'étendant en profondeur sous ladite face avant, ces zones étant bordées de régions isolantes (35) orthogonales à la face avant ; b) amincir le substrat par la face arrière jusqu'à proximité desdites zones et jusqu'à atteindre les régions isolantes ; c) évider partiellement les régions isolantes du côté de la face arrière ; et d) recuire superficiellement, par laser, la face arrière du substrat.

公开(公告)号：FR2974237A1

公开(公告)日：2012-10-19

申请号：FR1153177

申请日：2011-04-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： PRIMA JENS ,  ROY FRANCOIS ,  MARTY MICHEL

IPC: H01L27/146

Abstract: L'invention concerne un capteur d'images (21) à éclairement par la face arrière formé à partir d'un substrat semiconducteur (23) aminci, dans lequel : une électrode (29) conductrice transparente, isolée du substrat par une couche isolante (27), s'étend sur toute la face arrière du substrat ; et des régions (37) conductrices, isolées du substrat par un revêtement isolant (39), s'étendent orthogonalement depuis la face avant du substrat jusqu'à ladite électrode.

公开(公告)号：FR2905519A1

公开(公告)日：2008-03-07

申请号：FR0653524

申请日：2006-08-31

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CORONEL PHILIPPE ,  MARTY MICHEL

IPC: H01L21/8236 ,  H01L27/088

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un circuit intégré contenant des transistors MOS complètement et partiellement déplétés, comprenant les étapes suivantes .a) former des transistors MOS similaires sur une couche mince de silicium (3) formée sur une couche de silicium-germanium (2) reposant sur un substrat de silicium ;b) coller la face supérieure de la structure à une plaquette support (21) ;c) éliminer le substrat;d) déposer un masque (23) et ouvrir ce masque aux emplacements des transistors complètement déplétés ;e) oxyder le silicium-germanium aux emplacements des transistors complètement déplétés dans des conditions telles qu'il se produit un phénomène de condensation ; etf) éliminer la partie oxydée et la partie de silicium-germanium, d'où il résulte qu'il demeure des transistors dont la couche de silicium est amincie.