公开(公告)号：JP2011018891A

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：JP2010127892

申请日：2010-06-03

Applicant: Stmicroelectronics (Rousset) Sas ,  Univ Aix-Marseille 1 Provence ,  エスティマイクロエレクトロニクス(ルッセ)エスエーエスStmicroelectronics(Rousset)Sas ,  ユニベルシテ エクス−マルセイユ 1 プロバンスUniversite Aix−Marseille 1 Provence

Inventor： SCHWARZ CHRISTIAN ,  MONSERIE CHRISTOPHE ,  DELALLEAU JULIEN

IPC: H01L41/113 ,  H01L41/18 ,  H01L41/22 ,  H01L41/24 ,  H02N2/00

CPC classification number: H01L41/25 ,  H01L27/20 ,  H01L41/113 ,  H02N2/183

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of generating electrical energy in an integrated circuit.SOLUTION: The integrated circuit includes at least one three-dimensional enclosed space CG made within the integrated circuit CI and containing at least one piezoelectric element EPZI, at least one object BL housed in a free manner in the three-dimensional enclosed space CG or each three-dimensional enclosed space CG, and an electrically conducting output means MSE coupled to the piezoelectric element EPZI and configured to deliver electrical energy resulting from at least one impact between the object BLi and the piezoelectric element EPZI during a relative motion of the object BL and the corresponding enclosed space CG.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在集成电路中产生电能的方法。解决方案：集成电路包括至少一个在集成电路CI内制成的三维封闭空间CG，至少包含一个压电元件EPZI 一个物体BL以自由的方式容纳在三维封闭空间CG或每个三维封闭空间CG中，以及耦合到压电元件EPZI并被配置为传递由至少一个冲击产生的电能的导电输出装置MSE 在物体BL和相应的封闭空间CG的相对运动期间在物体BLi和压电元件EPZI之间。

公开(公告)号：FR3023647B1

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：FR1456740

申请日：2014-07-11

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： BOIVIN PHILIPPE ,  DELALLEAU JULIEN

IPC: G11C5/00

公开(公告)号：FR3054920A1

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：FR1657586

申请日：2016-08-05

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： DELALLEAU JULIEN

IPC: G11C7/00

Abstract: Dispositif de mémoire non volatile, comprenant au moins une cellule-mémoire (CEL) comprenant un transistor de sélection (TRS) comportant une grille de sélection isolée (SG) enterrée dans une région semiconductrice de substrat (SB1, SB2), une région semiconductrice de source (S) contactant une partie inférieure (31) de ladite grille de sélection isolée enterrée, un transistor d'état (TR) comportant une grille flottante (FG) possédant au moins une partie isolée (10) enterrée dans ladite région de substrat au dessus d'une partie supérieure (30) de la grille de sélection isolée enterrée, une région semiconductrice de drain (D1, D2) et une grille de commande (CG) isolée de la grille flottante et située en partie au-dessus de la grille flottante, les régions de source (S), de drain (D1, D2) et de substrat (SB1, SB2) ainsi que la grille de commande (CG) étant individuellement polarisables.

公开(公告)号：FR3022688B1

公开(公告)日：2017-01-27

申请号：FR1455785

申请日：2014-06-23

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： RIVERO CHRISTIAN ,  DELALLEAU JULIEN ,  BOUTON GUILHEM

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/00

公开(公告)号：FR3000842B1

公开(公告)日：2016-07-29

申请号：FR1350133

申请日：2013-01-08

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： BOIVIN PHILIPPE ,  LA ROSA FRANCESCO ,  DELALLEAU JULIEN

IPC: H01L29/732 ,  G11C11/21

公开(公告)号：FR3017746B1

公开(公告)日：2016-05-27

申请号：FR1451297

申请日：2014-02-18

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： MANTELLI MARC ,  NIEL STEPHAN ,  REGNIER ARNAUD ,  LA ROSA FRANCESCO ,  DELALLEAU JULIEN

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788

公开(公告)号：FR3038774A1

公开(公告)日：2017-01-13

申请号：FR1556470

申请日：2015-07-08

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： DELALLEAU JULIEN ,  RIVERO CHRISTIAN

IPC: H01L21/8232 ,  H01L29/772

Abstract: Le circuit intégré (IC) comprend un substrat (S) et au moins un transistor MOS (TGE) comportant une région de grille (RG) enterrée dans une tranchée (T) du substrat (S), débouchant sur une face supérieure (FS) du substrat (S), et entourée par une région diélectrique (RDI) tapissant les parois internes de la tranchée (T), une région de source (RS) et une région de drain (RD) situées respectivement dans le substrat (S) de part et d'autre de la tranchée (T) au voisinage de ladite face supérieure (FS), ladite région diélectrique (RDI) possédant une zone diélectrique supérieure (ZDS) située au moins partiellement entre une partie supérieure (PS) de la région de grille (RG) et les régions de source (RS) et de drain (RD), et une zone diélectrique inférieure (ZDI) moins épaisse que la zone diélectrique supérieure (ZDS) et située entre une partie inférieure (PI) de la région de grille (RG) et le substrat (S).

公开(公告)号：FR3012672B1

公开(公告)日：2017-04-14

申请号：FR1360742

申请日：2013-10-31

Applicant: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS

Inventor： LA ROSA FRANCESCO ,  NIEL STEPHAN ,  DELALLEAU JULIEN ,  REGNIER ARNAUD

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788