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公开(公告)号：CN104703080B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201410717696.X
申请日：2014-12-01
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B2201/0221 , B81B2201/0257 , B81B2201/0285 , H04R19/04 , H04R29/004
Abstract: 本发明提出一种容性MEMS麦克风构件，其能够可选地运行用于检测声学信号(麦克风模式)或用于检测在限定的频率范围中的超声波信号(超声波模式)。在MEMS麦克风构件的层结构中至少两个承载元件相叠地并相互间隔开地构造，至少两个承载元件用于电容器装置的两个电极侧，该电容器装置用于信号检测。这两个承载元件中的至少一个是声压敏感的，两个电极侧中的至少一个包括能相互独立地电接触的至少两个电极区段，至少两个电极区段连同另一电极侧的至少一个电极形成相互独立的子电容，如果声压敏感的承载元件以限定的频率的超声波被激励进行更高模式的振动，则电极区段的形状和平面延展通过声压敏感的承载元件的振动波腹的位置和延展确定。
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公开(公告)号：CN107406247A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680015834.7
申请日：2016-02-13
Applicant: 君特·贝克曼
IPC: B81B3/00
CPC classification number: H02N1/08 , B81B3/0018 , B81B2201/03 , H01G7/02 , H01H13/28 , H02N2/181 , B81B3/0021 , B81B2201/0221
Abstract: 本发明描述了一种的静电微发电机（1），具有彼此并排设置成双层的驻极体膜（2，22），并且每个驻极体膜的一侧都具有作为电极的金属层。所述膜以松散卷绕的方式嵌入密封的壳体中。将压力施加到设置在平行于与以这种方式形成的电容器板（3，4）外侧的第一所需压力表面（8）上，使得可以通过改变电容器板（3，4）之间的距离来产生电压。
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公开(公告)号：CN105593964B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201480054306.3
申请日：2014-09-24
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 迈克·雷诺 , 维克拉姆·乔希 , 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩 , 托马斯·L·麦圭尔 , 理查德·L·奈普
CPC classification number: H01G5/16 , B81B3/0086 , B81B2201/0221 , B81B2203/04 , B81C1/00166 , B81C2201/0104 , B81C2201/0109 , H01G5/011 , H01H59/0009
Abstract: 本发明总体上涉及MEMS器件及其制造方法。RF电极、以及因此在该RF电极上的介电层具有曲形上表面，该上表面与可移动板底面的接触区域基本匹配。如此，可移动板能够具有与介电层的良好接触，并且因此获得良好的电容。
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公开(公告)号：CN104418289B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410423786.8
申请日：2014-08-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H04R31/003 , B81B3/0021 , B81B3/0086 , B81B2201/0221 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/04 , B81C1/00158 , B81C2201/013 , H04R1/08 , H04R19/005 , H04R31/006 , H04R2201/003
Abstract: 公开了一种MEMS器件，包括背板电极以及被部署为与所述背板电极间隔开的隔膜。所述隔膜包括可移位部分和固定部分。布置所述背板电极和所述隔膜，以使得所述隔膜的所述固定部分与所述背板电极的重叠区域小于最大重叠。
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公开(公告)号：CN106289211A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610807852.0
申请日：2013-01-31
IPC: G01C19/5656 , B81B7/00
CPC classification number: G01C19/5656 , B81B7/0029 , B81B2201/0221 , B81B2201/0235
Abstract: 描述了一种具有微粒屏障的传感器。在一示例中，传感器包括：分别被设置在平坦的支承表面上和检测质量块上的第一电极组和第二电极组，所述检测质量块能沿着大体平行于所述平坦的支承表面的第一轴线顺从地移位；和第一屏障，该第一屏障被设置在所述平坦的支承上围绕所述第一电极组，并且具有的高度小于所述平坦的支承与所述检测质量块之间的间隙，以减轻向所述第一电极组或所述第二电极组中的微粒迁移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104051456B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410094159.4
申请日：2014-03-14
Applicant: 应美盛股份有限公司
CPC classification number: H01L27/1203 , B81B3/0056 , B81B2201/0221 , B81B2203/053
Abstract: 本发明涉及具有双向垂直激励的集成结构。一种微机电系统（MEMS）器件包括具有第一表面和第二表面的第一衬底，所述第一衬底包括基底层、被布置在所述基底层上的可移动梁、至少一个金属层、以及被布置在所述基底层上的一个或多个支座，使得一个或多个金属层位于所述一个或多个支座的顶表面上。所述MEMS器件还包括第二衬底，所述第二衬底包括被接合到所述一个或多个支座的一个或多个金属层，导致形成在所述第二衬底的所述一个或多个金属层的至少一部分与底表面上的至少一个电极和顶表面上的至少一个电极中的一个或多个之间的电连接。
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公开(公告)号：CN105684113A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480029332.0
申请日：2014-05-20
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩 , 阿奈兹·乌纳穆诺
IPC: H01G5/18
CPC classification number: H01G5/18 , B81B7/008 , B81B2201/0221 , H01H59/0009
Abstract: 本发明一般性地涉及用于使MEMS DVC器件中的板电极或切换元件阻尼的方法及装置。布置在波形控制器和MEMS DVC的电极之间的电阻器使得在板电极移动期间电压增大而同时电容减小。由于电压增大以及电容减小，抵抗板电极远离电极移动的静电力增大，这转而抑制了板电极的移动。
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公开(公告)号：CN103183309B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310001397.1
申请日：2013-01-04
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: B81B3/001 , B81B3/0008 , B81B3/0013 , B81B2201/0221 , B81B2203/0109 , B81B2203/0118 , B81B2203/019 , B81C1/0015 , H01G5/18
Abstract: 本发明公开了微机电系统（MEMS）结构、制造方法和设计结构。所述方法包括在基底上形成至少一个固定电极。所述方法还包括在所述至少一个固定电极之上以从微机电系统（MEMS）梁的顶部观看的变化的宽度尺寸形成所述MEMS梁。
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公开(公告)号：CN102256893B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN200980147111.2
申请日：2009-11-06
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 查尔斯·戈登·史密斯 , 理查德·L·奈普 , 维克拉姆·乔希 , 罗伯托·加迪 , 阿纳特兹·乌纳穆诺 , 罗伯图斯·彼得勒斯·范坎彭
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/04 , B81B2201/0221 , B81B2201/0235 , B81B2207/053 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P15/135 , H01G5/18 , H01G5/40
Abstract: 本申请公开的多个实施例主要包括利用大量的小MEMS器件来替换单独的较大MEMS器件或数字可变电容器的功能。大量较小的MEMS器件执行与较大的器件相同的功能，但是由于其尺寸较小，因此能够利用互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容工艺将这些较小的MEMS器件封装在空腔中。对大量较小的器件进行平均的信号使得较小器件的阵列的精度相当于该较大的器件的精度。通过考虑使用基于MEMS的加速度开关阵列来举例说明该过程，其中该开关阵列具有集成的惯性响应的模数转换。还通过考虑利用基于MEMS的器件结构来举例说明该过程，其中该MEMS器件并联地工作以作为数字可变电容器。
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公开(公告)号：CN103864005A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310690749.9
申请日：2013-12-17
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: B81B3/001 , B81B3/0005 , B81B2201/0221 , B81B2201/0235 , B81B2203/0181 , B81B2203/06 , B81C1/0096 , B81C2201/115 , G01P15/0802 , G01P2015/0871 , G01P2015/0874
Abstract: 本发明涉及通过沉积纳米团簇减小MEMS静摩擦力。本发明提供了一种机制，用于通过减少可以紧密接触的两个表面之间的表面积来降低一个MEMS装置中的静摩擦力。通过增加一个或两个表面的表面粗糙度来实现接触表面积的降低。在形成MEMS装置中，通过在使用的牺牲层上形成微掩模层，并且然后蚀刻所述牺牲层的表面提供了增加的粗糙度。可以使用纳米团簇（520）来形成微掩模层。当在牺牲层（810）之上形成MEMS装置的下一个部分时，该部分将呈现通过蚀刻工艺所施加到牺牲层上的粗糙度特性。在MEMS装置中，更粗糙的表面（910）降低了可用于接触的表面积，并且，反过来，降低了通过表面可以被施加静摩擦力的面积。
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