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    电子器件及其制造方法
    3.
    发明公开
    电子器件及其制造方法 无效

    公开(公告)号：CN102792411A

    公开(公告)日：2012-11-21

    申请号：CN201180012504.X

    申请日：2011-03-31

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 栎原勉 ,  椿健治 ,  久保雅男 ,  越田信义

    IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02 ,  H01L33/16

    CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J2201/312

    Abstract: 本发明提供一种电子器件，其具备：基板；第1电极，其形成在所述基板的一个表面侧；第2电极，其在与所述第1电极的所述基板侧相反的侧与所述第1电极对置；和功能层，其设在第1电极与第2电极之间，且具备通过用电解液对第1多晶半导体层进行阳极氧化处理而形成的多个微晶半导体；其中，在所述第1电极与所述功能层之间且在所述功能层的正下方，设有第2多晶半导体层，该第2多晶半导体层与所述第1多晶半导体层相比由所述电解液产生的阳极氧化速度慢，且该第2多晶半导体层为选择性地对所述第1多晶半导体层进行阳极氧化处理的阻挡层。

    Electron emitting element having an electron acceleration layer, electron emitting device, light emitting device, image display device, cooling device, and charging device
    6.
    发明授权
    Electron emitting element having an electron acceleration layer, electron emitting device, light emitting device, image display device, cooling device, and charging device 有权
    具有电子加速层的电子发射元件，电子发射器件，发光器件，图像显示器件，冷却器件和充电器件

    公开(公告)号：US08299700B2

    公开(公告)日：2012-10-30

    申请号：US12699349

    申请日：2010-02-03

    Applicant: Tadashi Iwamatsu ,  Ayae Nagaoka ,  Hiroyuki Hirakawa ,  Yasuo Imura

    Inventor： Tadashi Iwamatsu ,  Ayae Nagaoka ,  Hiroyuki Hirakawa ,  Yasuo Imura

    IPC: G05G15/02 ,  H01J1/02 ,  H01J9/02 ,  H05B41/00

    CPC classification number: G03G15/02 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/312 ,  H01J2201/3125 ,  H05B33/08

    Abstract: An electron emitting element of the present invention includes an electron acceleration layer provided between an electrode substrate and a thin-film electrode, which electron acceleration layer includes (a) conductive fine particles and (b) insulating fine particles having an average particle diameter greater than that of the conductive fine particles. The electron emitting element satisfies the following relational expression: 0.3x+3.9≦y≦75, where x (nm) is an average particle diameter of the insulating fine particles, and y (nm) is a thickness of the thin-film electrode 3. Such a configuration allows modification of the thickness of the thin-film electrode with respect to the size of the insulating particles, thereby ensuring electrical conduction and allowing sufficient current to flow inside the element. As a result, stable emission of ballistic electrons from the thin-film electrode is possible.

    Abstract translation: 本发明的电子发射元件包括设置在电极基板和薄膜电极之间的电子加速层，该电子加速层包括（a）导电细颗粒和（b）绝缘平均粒径大于 导电细颗粒的。 电子发射元件满足以下关系式：0.3x + 3.9＆nlE; y＆nlE; 75，其中x（nm）是绝缘细颗粒的平均粒径，y（nm）是薄膜电极的厚度 这样的结构允许相对于绝缘颗粒的尺寸修改薄膜电极的厚度，从而确保导电并允许足够的电流在元件内部流动。 结果，可以从薄膜电极稳定地发射弹道电子。

    ELECTRON EMITTER
    7.
    发明申请
    ELECTRON EMITTER 有权
    电子发射器

    公开(公告)号：US20070188069A1

    公开(公告)日：2007-08-16

    申请号：US11673769

    申请日：2007-02-12

    Applicant: Kei Sato ,  Tetsuya Hattori ,  Hirofumi Yamaguchi ,  Shuichi Ozawa

    Inventor： Kei Sato ,  Tetsuya Hattori ,  Hirofumi Yamaguchi ,  Shuichi Ozawa

    IPC: H01J1/00

    CPC classification number: H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/30 ,  H01J2201/306 ,  H01J2201/312

    Abstract: Provided is a piezoelectric-film-type electron emitter of high durability exhibiting suppressed reduction in electron emission quantity, which reduction would otherwise occur with repeated use of the electron emitter. The electron emitter includes a substrate, a lower electrode, an emitter layer, and an upper electrode. The upper electrode has a plurality of openings, and an emitter section located on the top surface of the emitter layer is exposed through the openings to a reduced-pressure atmosphere. The electron emitter is configured so that when a pulse drive voltage Va is applied between the lower electrode and the upper electrode, electrons are accumulated on the emitter section, and then the electrons are emitted toward the reduced-pressure atmosphere. The emitter layer contains a primary component (i.e., a ferroelectric composition) and an additional component. The additional component contains a transition metal oxide of high oxidation number which can serve as an oxidizing agent by being converted into an oxide of the transition metal of lower oxidation number.

    Abstract translation: 提供了一种具有高耐久性的压电薄膜型电子发射体，其显示出抑制电子发射量的减少，但是通过反复使用电子发射器将会发生减小。 电子发射器包括衬底，下电极，发射极层和上电极。 上电极具有多个开口，并且位于发射极层的顶表面上的发射极部分通过开口暴露于减压气氛。 电子发射器被配置为使得当在下电极和上电极之间施加脉冲驱动电压Va时，电子在发射极部分积聚，然后电子朝向减压气氛发射。 发射极层包含主要组分（即铁电组合物）和附加组分。 附加成分含有高氧化数的过渡金属氧化物，其可以通过转化为较低氧化数的过渡金属的氧化物而用作氧化剂。

    電子デバイスおよびその製造方法
    8.
    发明申请
    電子デバイスおよびその製造方法 审中-公开
    电子设备及其制造方法

    公开(公告)号：WO2011125859A1

    公开(公告)日：2011-10-13

    申请号：PCT/JP2011/058264

    申请日：2011-03-31

    Applicant: パナソニック電工株式会社 ,  櫟原 勉 ,  椿 健治 ,  久保 雅男 ,  越田 信義

    Inventor： 櫟原　勉 ,  椿　健治 ,  久保　雅男 ,  越田　信義

    IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02 ,  H01L33/16

    CPC classification number: H01J9/025 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J2201/312

    Abstract: 　電子デバイスは、基板と、前記基板の一表面側に形成された第１の電極と、前記第１の電極の前記基板側とは反対側で前記第１の電極に対向する第２の電極と、第１の電極と第２の電極との間に設けられ、第１の多結晶半導体層を電解液により陽極酸化処理することによって形成された多数の微結晶半導体を具備した機能層とを備え、前記第１の電極と前記機能層との間において前記機能層の直下に、前記第１の多結晶半導体層よりも前記電解液による陽極酸化速度が遅く前記第１の多結晶半導体層を選択的に陽極酸化処理するストップ層となる第２の多結晶半導体層が設けられてなる。

    Abstract translation: 公开了一种电子设备，其具有：基板; 形成在所述基板的一个表面上的第一电极; 第二电极，其位于第一电极的基板侧的背面，并面向第一电极; 以及功能层，其设置在第一电极和第二电极之间，并且设置有通过使用电解液阳极氧化第一多晶半导体层而形成的多个微晶半导体块。 在第一电极和功能层之间，与第一多晶半导体层相比，第二多晶半导体层与电解液相比具有较低的阳极氧化速度，并且其是选择性地阳极氧化第一多晶半导体层的停止层 ，直接在功能层下面。

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