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公开(公告)号：KR1020170135115A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020160066521
申请日：2016-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/66742 , H01L29/78651 , H01L29/78684
Abstract: 반도체장치및 그제조방법이제공된다. 상기반도체장치는기판, 상기기판과이격되고, 제1 방향으로연장되는제1 나노와이어, 상기제1 나노와이어의둘레를감싸고, 상기제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되는게이트전극, 상기게이트전극의양 측벽에형성되는제1 게이트스페이서로서, 상기제1 나노와이어는상기제1 게이트스페이서를관통하는제1 게이트스페이서및 상기게이트전극의적어도일측에, 상기제1 나노와이어와연결된소오스/드레인에피층을포함하되, 상기제1 나노와이어는상기제1 게이트스페이서와오버랩되는제1 영역과, 상기제1 게이트전극과접하는제2 영역을포함하고, 상기제1 영역의두께와, 상기제2 영역의두께는서로다르다.
Abstract translation: 提供了一种半导体器件及其制造方法。 该半导体器件包括衬底，和从该衬底分隔开，在一个绕在第一纳米线，第一纳米线，在第一方向上延伸的延伸的栅极电极，所述第二方向交叉的第一方向，其中 第一栅极间隔物形成在栅电极的两个侧壁上，第一纳米线具有贯穿第一栅极间隔物的第一栅极间隔物和形成在栅电极的至少一侧上的第二栅极间隔物， 其中第一纳米线包括与第一栅极间隔物重叠的第一区域和与第一栅极电极接触的第二区域，其中第一区域的厚度， 两个地区的厚度是不同的。
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公开(公告)号：KR1020170028794A
公开(公告)日：2017-03-14
申请号：KR1020150125863
申请日：2015-09-04
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김동우
CPC classification number: G02B27/646 , G02B9/34 , G02B13/002 , G02B13/0045 , G02B15/173 , G03B3/10 , G03B5/02 , G03B2205/0015
Abstract: 본발명의다양한실시예에따른촬상광학계는, 물체측으로부터순서대로정의굴절력을가지는제1렌즈군과, 부의굴절력을가지는제2렌즈군과, 정의굴절력을가지는제3렌즈군및 제3렌즈군뒤에후속군을포함하며, 제2렌즈군에는, 1매로구성되며물체위치변화에따른포커스위치차이를보정해주는포커스보정렌즈가포함되고, 제2렌즈군후속군에는, 1매로구성되며광축과직교하는방향으로이동되어외부진동에따라상 치우침보정되는손 떨림보정렌즈가포함될수 있다. 또한, 상기와같은촬상광학계는실시예에따라다양하게구현될수 있다.
Abstract translation: 根据本公开的实施例，图像拍摄光学系统包括具有正折光力并沿光轴设置并面对物体的第一透镜组。 第二透镜组具有负折光力并且沿着光轴并且与第一透镜组相邻地设置，并且第二透镜组包括聚焦校正透镜，以根据物体的位置的变化来校正聚焦位置的差异 。 第三透镜组具有正的折光力并沿光轴设置。 与所述第三透镜组相邻并且沿着所述光轴设置并面对所述物体的图像的后续透镜组，并且所述第二透镜组之后的透镜组包括相机抖动校正透镜，以在垂直于所述光轴的方向上移动 。
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公开(公告)号：KR1020160143942A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：KR1020150079338
申请日：2015-06-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/3065 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66545 , H01L29/7848
Abstract: 본발명은반도체소자의제조방법에관한것으로, 기판상에제1 방향으로연장되는핀 구조체를형성하는것, 상기제1 방향과교차하는제2 방향으로연장되어상기핀 구조체를가로지르는희생게이트패턴을형성하는것, 상기핀 구조체및 상기희생게이트패턴을덮는게이트스페이서막을형성하는것, 상기기판상에, 제1 입사각범위를가지고조사되는제1 이온빔, 및제2 입사각범위를가지고조사되는제2 이온빔을제공하는것, 상기제1 이온빔 및상기제2 이온빔을이용하여상기게이트스페이서막을패터닝하여, 상기희생게이트패턴의측벽들상에게이트스페이서들을형성하는것, 상기희생게이트패턴의양 측에소스/드레인영역들을형성하는것 및상기희생게이트패턴을게이트전극으로교체하는것을포함하는반도체소자의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法包括：形成在衬底上沿第一方向延伸的翅片结构，形成沿第二方向延伸以与鳍结构相交的牺牲栅极图案，形成覆盖鳍结构的栅极间隔层和牺牲栅极 提供具有第一入射角范围的第一离子束和具有第二入射角范围的第二离子束到衬底，使用第一离子束和第二离子束来构图栅极间隔层，以在第二离子束的侧壁上形成栅极间隔 牺牲栅极图案，在牺牲栅极图案的两侧形成源极/漏极区域，以及用栅极电极代替牺牲栅极图案。
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公开(公告)号：KR1020160029236A
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：KR1020140117956
申请日：2014-09-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L21/20
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11524
Abstract: 본발명의실시형태에따른반도체장치의제조방법은, 제1 기판상에복수의제1 반도체소자및 상기복수의제1 반도체소자를덮는절연층을마련하는단계; 상기절연층상에제1 층및 제2 층을갖는제2 기판을형성하는단계; 및상기제2 기판상에복수의제2 반도체소자를형성하는단계; 를포함하고, 상기제2 기판형성단계는, 상기절연층상에시드층으로상기제1 층을형성하는단계와, 상기제1 층으로부터상기제2 층을에피택시성장시키는단계를갖는다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的制造半导体装置的方法包括以下步骤：在第一基板上制备多个第一半导体器件和覆盖多个第一半导体器件的绝缘层; 在所述绝缘层上形成具有第一层和第二层的第二衬底; 以及在所述第二基板上形成多个第二半导体器件。 形成第二基板的步骤包括以下步骤：在绝缘层上形成具有晶种层的第一层; 并从第一层外延生长第二层。 半导体装置可以高度集成。
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公开(公告)号：KR101571336B1
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：KR1020090084433
申请日：2009-09-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김동우
CPC classification number: G03G15/0283 , G03G15/80 , H02M7/08 , H02M7/103 , Y10T307/406
Abstract: 화상형성장치용고압전원공급장치는화상형성장치용고압전원공급장치에인가된전원을변압함으로써교류전원을생성하는전원변환부및 전원변환부에연결되어변압된교류전원을서로다른정류방식으로정류하여출력하는복수의정류부들을포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150044427A
公开(公告)日：2015-04-24
申请号：KR1020150050728
申请日：2015-04-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F3/048 , G06F3/14 , G06F3/0488 , G06F3/0485
CPC classification number: G06F3/04883 , G06F3/0485 , G06F3/14
Abstract: 본발명은벤디드디스플레이(bended display)를갖는휴대단말에서상기벤디드디스플레이를전면의메인영역과측면의서브영역으로구분하고, 상기메인영역과상기서브영역을연동하여휴대단말의기능운용을지원하는휴대단말및 그의운용방법에관한것으로, 이러한본 발명은벤디드디스플레이를가지는휴대단말의기능운용방법에있어서, 이벤트입력을수신하는과정; 상기입력된이벤트의이벤트타입을판단하는과정; 상기이벤트가벤디드디스플레이기반으로입력되는내부이벤트이면상기내부이벤트에따른이벤트정보를상기벤디드디스플레이의메인영역및 서브영역중 적어도하나를통해출력하는과정; 및상기이벤트가외부로부터입력되는외부이벤트이면상기외부이벤트에따른이벤트정보를상기벤디드디스플레이의서브영역을통해출력하는과정을포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有弯曲显示及其操作方法的便携式终端，其中弯曲显示被分成前侧的主区域和侧面的子区域，并且便携式终端的功能操作被支持 通过将主要区域连接到子区域。 具有弯曲显示的便携式终端的功能操作方法包括：接收事件输入; 确定所述输入事件的事件类型; 通过内部事件输出事件数据，如果事件是基于弯曲显示输入的内部事件，则通过弯曲显示的主区域和子区域中的至少一个; 并且通过外部事件通过弯曲显示的子区域从外部输入事件时输出事件数据。
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公开(公告)号：KR101395552B1
公开(公告)日：2014-05-15
申请号：KR1020070074460
申请日：2007-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/40
Abstract: 본 발명은 이동통신 단말기 및 그의 조건 매너 모드 수행 방법에 관한 것으로, 매너 모드로 설정되어 있더라도 특정인으로부터 통신 이벤트 수신시 이를 사용자에게 알리기 위한 것이다. 본 발명은 적어도 하나의 특정인의 전화번호에 대한 조건 매너 모드를 설정하고, 통신 이벤트가 수신되면, 상기 수신된 통신 이벤트의 발신자의 전화번호가 상기 특정인의 전화번호에 속하는 지를 판단하고, 상기 판단 결과에 따라서 벨소리 또는 진동 중에서 적어도 하나를 출력하는 이동통신 단말기의 조건 매너 모드 수행 방법을 제공한다. 특히 상기 수신된 통신 이벤트의 발신자의 전화번호가 상기 특정인의 전화번호에 속하는 경우 벨소리 또는 진동 후 벨소리를 출력하여 사용자에게 알린다.
매너 모드, 진동, 벨소리, 이동통신, 통신 이벤트-
公开(公告)号：KR1020140037455A
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：KR1020120103552
申请日：2012-09-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L21/76224 , H01L21/823487 , H01L29/66833 , H01L29/7926
Abstract: A method for manufacturing a vertical non-volatile memory device comprises a step for alternatively forming sacrificial films and insulating films on a substrate; a step for forming a channel opening unit in which an upper surface of the substrate is exposed by penetrating the sacrificial films and the insulating films; a step for forming a first semiconductor pattern which covers a part of inner wall of the channel opening unit; a step for forming a buried insulting pattern which fills the inner wall of the first semiconductor pattern in the channel opening unit; a step for forming a second semiconductor pattern which completely fills the channel opening unit on the buried insulating pattern; a step for injecting first conductive impurities to the first semiconductor pattern; and a step for forming a third semiconductor pattern by melting the first semiconductor pattern which is adjacent to the top sacrificial film.
Abstract translation: 用于制造垂直非易失性存储器件的方法包括在衬底上交替地形成牺牲膜和绝缘膜的步骤; 用于形成沟道开口单元的步骤，其中通过穿透牺牲膜和绝缘膜而暴露基板的上表面; 用于形成覆盖所述通道开口单元的内壁的一部分的第一半导体图案的步骤; 用于形成填充所述通道开口单元中的所述第一半导体图案的内壁的掩埋绝缘图案的步骤; 用于形成完全填充所述埋入绝缘图案上的所述沟道开口单元的第二半导体图案的步骤; 用于将第一导电杂质注入到第一半导体图案的步骤; 以及通过熔化与顶部牺牲膜相邻的第一半导体图案来形成第三半导体图案的步骤。
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公开(公告)号：KR1020140035691A
公开(公告)日：2014-03-24
申请号：KR1020120102270
申请日：2012-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김동우
CPC classification number: G02B15/14 , G02B15/173 , H04N5/225
Abstract: The present invention comprises a first lens group having positive refractive power and a plurality of lens; a second lens group having negative refractive power; a third lens group having positive refractive power; and a fourth lens group having negative refractive power; and a fifth lens group having positive refractive power arranged in this order from the object side. When changing magnification from the wide angle end to the telephoto end, an interval of each lens group changes and the fourth and fifth lens groups respectively include one lens. [Reference numerals] (AA) Wide angle end; (BB) Middle end; (CC) Telephoto end
Abstract translation: 本发明包括具有正屈光力的第一透镜组和多个透镜; 具有负屈光力的第二透镜组; 具有正折射光焦度的第三透镜组; 和具有负屈光力的第四透镜组; 以及从物体侧依次排列具有正折射光焦度的第五透镜组。 当从广角端到长焦端的倍率变化时，每个透镜组的间隔发生变化，第四和第五透镜组分别包括一个透镜。 （附图标记）（AA）广角端; （BB）中端; （CC）长焦端
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公开(公告)号：KR1020140025864A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：KR1020120092170
申请日：2012-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/7926 , H01L27/11582 , H01L29/66666 , H01L29/66833 , H01L21/823487
Abstract: In a vertical type semiconductor device and a method of manufacturing the same, the vertical type semiconductor device includes a filler structure which protrudes from the upper surface of a substrate and includes a semiconductor pattern and a channel pattern. First word line structures which are extended in a horizontal direction, surround the filler structure and faces the channel pattern that is formed. Second word line structures which are extended in a horizontal direction, surround the filler structure, and includes one surface which faces the semiconductor pattern and the other surface which faces the substrate surface part are formed. An impurity region for threshold voltage control is formed under a semiconductor pattern surface facing the second word line structure. A common source line is formed on a surface part which is adjacent to the end part of the sidewall of the second word line structures. The vertical type semiconductor device with good threshold voltage distribution can be fabricated by a simple process. [Reference numerals] (AA) First direction; (BB) Second direction; (CC) Third direction
Abstract translation: 在垂直型半导体器件及其制造方法中，垂直型半导体器件包括从衬底的上表面突出并包括半导体图案和沟道图案的填充结构。 在水平方向上延伸的第一字线结构，围绕填充物结构并面向所形成的沟道图案。 在水平方向上延伸的第二字线结构，围绕填料结构，并且包括面对半导体图案的一个表面和面向衬底表面部分的另一个表面。 用于阈值电压控制的杂质区域形成在面对第二字线结构的半导体图形表面下。 在与第二字线结构的侧壁的端部相邻的表面部分上形成共同的源极线。 具有良好阈值电压分布的垂直型半导体器件可以通过简单的工艺制造。 （附图标记）（AA）第一方向; （BB）第二方向; （CC）第三方向
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