세탁기의 중앙수류 분사장치
    91.
    实用新型
    세탁기의 중앙수류 분사장치 失效
    洗衣机中央注水装置

    公开(公告)号:KR200154573Y1

    公开(公告)日:1999-08-16

    申请号:KR2019960023731

    申请日:1996-08-05

    Inventor: 조민수

    Abstract: 본 고안은 구동축(12)의 선기어(21)와 팬구동축(72b)을 매개로 연결되어 회전되도록 펄세이터(71)의 중앙에 축류팬(72)이 설치된 교반수단(70)을 구비한 세탁기의 중앙수류 분사장치에 있어서, 상기 축류팬(72)은, 상기 펄세이터(71)의 하부의 세탁수를 펄세이터(71)의 중앙에 형성된 관통홀(71a)을 통해 펄세이터(71)의 중앙으로 분출시키도록 관통홀(71a)내에 상기 팬구동축(72b)을 매개로 적어도 3개 이상이 적층되게 설치된 것을 특징으로 되어 있으므로, 세탁포의 분산을 증대시켜 세탁포의 꼬임 및 엉킴현상을 방지할 수 있는 것이다.

    인쇄기기의 급배지장치
    92.
    发明公开
    인쇄기기의 급배지장치 失效
    印刷设备的送料装置

    公开(公告)号:KR1019990049398A

    公开(公告)日:1999-07-05

    申请号:KR1019970068337

    申请日:1997-12-12

    Inventor: 조민수

    Abstract: 개시된 인쇄기기의 급배지장치는, 용지를 이송시키는 밀어내는 급배지롤러와; 급배지구를 둘러싸도록 인쇄기기 본체의 일측벽 내면에 설치되는 브라켓과, 일측이 브라켓에 고정되고 타측이 급배지롤러의 상,하,측부 외곽면에 각각 탄력적으로 밀착되는 복수의 밀봉부재를 포함하여 구성된다. 이와 같은 구성에 따르면, 본체 내부에 존재하는 잉크용제 기체가 급지구나 배지구를 통해 외부로 유출되지 않도록 밀봉부재가 차단하고 있기 때문에, 인쇄기기의 주변이 잉크 용제에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있다.

    세탁기
    93.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1019990004850A

    公开(公告)日:1999-01-25

    申请号:KR1019970029004

    申请日:1997-06-30

    Inventor: 조민수

    Abstract: 본 발명은 세탁기에 관한 것으로, 그 목적은 펄세이터의 중심부 상방으로 세탁수를 분출시켜 세탁물의 꼬임과 엉킴을 억제함으로써 세탁성능을 향상시키는 것이다.
    본 발명에 따른 세탁기는 세탁수류를 형성하는 펄세이터(40)에 이의 회전시 중심부 상측으로 세탁수가 분출되도록 안내하는 분출구(62a)가 형성된 분출캡(62)이 설치되어 있는데, 분출구(62a)는 선단부가 분출구(62a) 외측경계면(A)과 일정간격 이격된 다수개의 리브(62b)에 의해 구획되어져 있다. 따라서 세탁은 펄세이터(40)의 회전에 의해 발생되는 원심 세탁수류에 의해 이루어지며, 동시에 세탁수가 리브(62b)에 의해 구획된 분출구(62a)를 통해 세탁조(30)의 중심부 상방으로 분출됨으로써, 세탁물이 세탁조(30) 중심부로 집중되는 것이 방지되고, 이들의 꼬임 및 엉킴이 억제되어 세탁성능이 향상되는 이점이 있다.

    세탁기의 교반장치
    94.
    实用新型
    세탁기의 교반장치 失效
    洗衣机的装置

    公开(公告)号:KR200129669Y1

    公开(公告)日:1998-12-15

    申请号:KR2019950037671

    申请日:1995-11-30

    Inventor: 조민수 노세근

    Abstract: 본 고안에 의한 세탁기의 교반장치는, 상기 교반수단(300)은 탈수조(60)내의 바닥에서 좌우반전되면서 수류의 흐름을 난류화시켜 빨래감을 교반 및 세탁하도록 상기 동력전달수단(50)에 결합된 펄세이터(310)와, 상기 펄세이터(310)의 좌우반전에 따라 동시 회전되면서 펄세이터(310)의 중앙 상부로 분출되는 수류를 계속적으로 형성하여 빨래의 꼬임 및 엉킴현상을 억제시키도록 펄세이터(310)의 중앙에 설치된 양방향 축류팬(320)과, 수류에 포함된 이물질등이 상기 양방향 축류팬(320)으로 유입되는 것을 방지하도록 펄세이터(310)의 중앙 상단에 설치된 걸름망(330)으로 이루어져 있기 때문에 빨래감의 분산을 증대시킬 수 있을뿐만 아니라 빨래감의 꼬임 및 엉킴등의 현상을 억제시킬 수 있음과 동시에 세탁효율을 향상시킬 수 있는 것이다.

    레벨 쉬프터
    97.
    发明公开
    레벨 쉬프터 无效
    水平变化

    公开(公告)号:KR1020110043989A

    公开(公告)日:2011-04-28

    申请号:KR1020090100767

    申请日:2009-10-22

    CPC classification number: H03K19/018521

    Abstract: PURPOSE: A level shifter is provided to change the level of an applied voltage to change the voltage level of an input signal, thereby reducing the sizes of a circuit and a chip. CONSTITUTION: A voltage selecting unit(110) applies a first voltage to a power node during a first interval in response to a control signal. The voltage selecting unit applies a second voltage to the power node during a second interval. At least one voltage level converter(150) is connected to the power node. The voltage level converter converts the voltage level of an input signal using the voltage of the power node and third power. The third voltage is a grounding voltage. The first voltage has the voltage level higher than the third voltage. The second voltage has the voltage level higher than the first voltage.

    Abstract translation: 目的:提供电平移位器来改变施加电压的电平以改变输入信号的电压电平,从而减小电路和芯片的尺寸。 构成:电压选择单元(110)响应于控制信号在第一间隔期间向功率节点施加第一电压。 电压选择单元在第二间隔期间向功率节点施加第二电压。 至少一个电压电平转换器(150)连接到电力节点。 电压电平转换器使用电源节点的电压和第三功率转换输入信号的电压电平。 第三个电压是接地电压。 第一电压具有高于第三电压的电压电平。 第二电压具有高于第一电压的电压电平。

    스플릿 게이트 플래쉬 메모리 소자의 제조방법
    98.
    发明授权
    스플릿 게이트 플래쉬 메모리 소자의 제조방법 失效
    分闸门闪存器件的制造方法

    公开(公告)号:KR100800467B1

    公开(公告)日:2008-02-04

    申请号:KR1020020000503

    申请日:2002-01-04

    Abstract: 본 발명은 셀렉트 게이트 전극의 선폭을 일정하게 할 수 있는 스플릿 게이트 플래쉬 메모리 소자의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은, 반도체 기판 상부에, 플로팅 게이트 전극을 포함하는 한 쌍의 스페이서를 형성한다. 다음, 상기 스페이서 사이의 반도체 기판에 소오스 영역을 형성하고, 상기 스페이서 사이의 공간에 소오스 영역과 콘택되도록 소오스 라인을 형성한다. 그후, 상기 스페이서 및 소오스 라인을 포함하는 반도체 기판 상부에 게이트 산화막을 형성하고, 상기 게이트 산화막 상부에 셀렉트 게이트용 도전층을 형성한다. 상기 셀렉트 게이트용 도전층 상부에 반사 방지막을 형성하고, 상기 셀렉트 게이트용 도전층 상부에 실리콘 질화막을 증착한다. 그후, 상기 소오스 라인의 표면이 노출되도록 실리콘 질화막, 반사 방지막 및 셀렉트 게이트용 도전층을 화학적 기계적 연마하고, 상기 셀렉트 게이트용 도전층 양 측벽에 있는 반사 방지막을 선택적으로 제거한다. 이어서, 상기 반도체 기판 결과물을 열산화하여, 상기 셀렉트 게이트용 도전층의 측벽과 상부 표면 및 소오스 라인 표면에 산화막 패턴을 형성하고, 상기 산화막 패턴을 마스크로 하여, 상기 셀렉트 게이트용 도전층을 식각하여, 셀렉트 게이트 전극을 형성한다.
    스플릿 게이트, 셀렉트 게이트, 반사 방지막

    푸웁 오프너
    99.
    发明公开
    푸웁 오프너 无效
    FOUP OPENER

    公开(公告)号:KR1020070080513A

    公开(公告)日:2007-08-10

    申请号:KR1020060011877

    申请日:2006-02-07

    Abstract: An FOUP(Front Opening Unified Pod) opener is provided to improve the preciseness of door opening/closing processes by driving an opening/closing member using a gear and chain type mechanism. An FOUP opener includes an opening/closing member(110) connected with a door, a transfer screw(124) for moving the opening/closing member, and a driving unit. The driving unit(130) drives the transfer screw. The driving unit is composed of a motor(132), a first gear(134a) rotated by the motor, a second gear, and a chain. The second gear(134b) is connected with the transfer screw. The second gear rotates the transfer screw by using the torque of the first gear. The chain(136) enclose the first and the second gears in order to transfer the torque of the first gear to the second gear.

    Abstract translation: 提供了一种FOUP(前开式统一荚)开启装置,通过使用齿轮和链式机构驱动开/关构件来提高门打开/关闭过程的精确度。 FOUP开启器包括与门连接的打开/关闭构件(110),用于移动打开/关闭构件的转印螺钉(124)和驱动单元。 驱动单元(130)驱动转移螺钉。 驱动单元由马达(132),由马达旋转的第一齿轮(134a),第二齿轮和链条构成。 第二齿轮(134b)与转印螺杆连接。 第二齿轮通过使用第一档的扭矩来旋转传递螺杆。 链条(136)围绕第一和第二齿轮,以将第一档位的转矩传递到第二档位。

    스플리트 게이트형 플래시 메모리 소자 제조방법
    100.
    发明授权
    스플리트 게이트형 플래시 메모리 소자 제조방법 失效
    用于制造分离栅型闪存器件的方法

    公开(公告)号:KR100665834B1

    公开(公告)日:2007-01-09

    申请号:KR1020000073706

    申请日:2000-12-06

    Abstract: 플로팅 게이트의 폴리 팁 형성시, 등방성 건식식각 공정을 스킵하는 대신에 산화 공정을 별도 더 추가하므로써, 식각 장비의 변화에 영향을 받지 않으면서도 기존의 건식식각 공정을 적용할 때보다 팁 모양을 더 뾰족하게 형성할 수 있도록 하여, 공정 신뢰성을 높이고 이레이즈 효율을 향상시킬 수 있도록 한 스플리트 게이트형 플래시 메모리 소자 제조방법이 개시된다.
    이를 위하여 본 발명에서는, 반도체 기판 상에 제 1 절연막과 제 1 도전막 및 질화막을 순차 적층하는 단계; 제 1 도전막의 표면이 일부 노출되도록 질화막을 선택식각한 후 산화공정을 실시하여, 제 1 도전막의 표면 노출부를 따라 성장되는 로커스 산화막을 매개체로해서 폴리 팁 형성을 이루는 단계; 질화막 측벽에 제 1 스페이서를 형성하는 단계; 제 1 스페이서 사이의 기판 표면이 노출되도록 로커스 산화막과 제 1 도전막 및 제 1 절연막을 순차 식각하는 단계; 제 1 스페이서 사이의 상기 기판 내에 소스 정션을 형성하는 단계; 로커스 산화막과 제 1 도전막의 측벽에 제 2 스페이서를 형성하는 단계; 제 1 및 제 2 스페이서 사이에 소스 정션과 연결되는 소스 라인을 형성하고 그 표면을 산화시키는 단계; 질화막을 제거하는 단계; 제 1 스페이서를 마스크로해서 제 1 도전막을 선택식각하여 플로팅 게이트를 형성하는 단계를 포함하는 스플리트 게이트형 플래시 메모리 소자 제조방법이 제공된다.

    Abstract translation: 除了跳过各向同性的干法刻蚀工艺之外,氧化工艺还被添加到浮置栅极以形成多晶硅尖端,使得尖端的形状比传统的干法刻蚀工艺的形状更加明显, 公开了一种制造分离栅型闪存器件的方法,其中可以提高工艺可靠性并且可以提高擦除效率。

Patent Agency Ranking