公开(公告)号：KR100769433B1

公开(公告)日：2007-10-22

申请号：KR1020060121695

申请日：2006-12-04

Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단 ,  한민구

Inventor： 한민구 ,  한상면

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/42384 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/78621

Abstract: A thin film transistor, a manufacturing method thereof, and a flat panel display having the same are provided to reduce a manufacturing cost by forming an LDD(Lightly Doped Diffusion) region and source and drain regions without using extra mask and photolithography. A semiconductor layer(13) is formed on a substrate(11). A gate electrode(15a) is isolated from the semiconductor layer by a gate insulating layer(14), and openings are formed on both sides of the gate electrode. A first impurity region is formed in the semiconductor layer, and is exposed by the openings. A second impurity region is formed on both sides of the gate electrode, in which an impurity concentration of the second impurity region is higher than that of the second impurity region. A buffer layer(12) is formed between the substrate and the semiconductor layer.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法和具有该薄膜晶体管的平板显示器，以通过在不使用额外掩模和光刻的情况下形成LDD（轻掺杂扩散）区域和源极和漏极区域来降低制造成本。 半导体层（13）形成在基板（11）上。 栅电极（15a）通过栅极绝缘层（14）与半导体层隔离，并且在栅电极的两侧形成开口。 第一杂质区形成在半导体层中，并被开口露出。 第二杂质区形成在栅电极的两侧，其中第二杂质区的杂质浓度高于第二杂质区的杂质浓度。 在衬底和半导体层之间形成缓冲层（12）。

公开(公告)号：KR100704016B1

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：KR1020030084577

申请日：2003-11-26

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  남우진 ,  정상훈

IPC: G02F1/133

Abstract: 본 발명은 액정표시장치를 구동하기 위한 구동회로 중 데이터 드라이버에 관한 것으로, 디지털 인터페이스 구동방식의 데이터 드라이버에 관한 것이다.
본 발명에 따른 액정표시장치의 데이터 드라이버는 샘플링 신호를 공급하는 쉬프트 레지스터 어레이와, 상기 샘플링 신호에 응답하여 비디오 데이터를 래치하여 출력하는 래치 어레이와, 상기 래치 어레이의 출력신호에 따라 해당 데이터 라인을 선택하는 디코더 어레이와, 상기 디코더 어레이의 출력신호에 따라 해당 데이터 라인으로 아날로그 전압을 출력하는 전송게이트 어레이를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.

데이터 드라이버, 다결정 박막 트랜지스터, 부트-스트래핑,

公开(公告)号：KR100642265B1

公开(公告)日：2006-11-06

申请号：KR1020050006206

申请日：2005-01-24

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  이재훈 ,  한창욱 ,  유봉현

IPC: G09G3/30

Abstract: 본 발명은 유기발광소자의 구동을 위한 전압기입방식 화소구조에 관한 것으로, 특히 비정질 실리콘 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)의 문턱전압 열화를 억제함으로써 유기발광소자로 흐르는 전류감소를 억제하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 전압기입방식 화소구조는 외부에서 인가되는 스캔 신호에 의해 구동 화소를 선택하며, 데이터 전압이 인가되는 제1 스위칭 트랜지스터와; 상기 제1 스위칭 트랜지스터에 의해 인가되는 제어전압에 따라 소정의 전하를 저장하는 커패시터와; 상기 커패시터에 저장된 전하에 따른 전압을 입력받아 전류를 해당 화소에 인가하는 제2 구동 트랜지스터; 및 상기 제2 구동 트랜지스터의 게이트 노드에 다이오드 구조로 접속되며, 클럭신호가 접속되어 일정한 음전압을 인가할 수 있는 제3 스위칭 트랜지스터를 포함하며, 상기 제2 구동용 트랜지스터의 문턱전압의 열화를 최소화하기 위해 한 프레임 시간의 일부분의 시간동안 상기 제2 구동용 트랜지스터의 게이트에 음의 전압을 인가함을 특징으로 한다.
유기발광소자, 비정질 실리콘 박막트랜지스터, 문턱전압

Abstract translation: 用于抑制过有机发光器件通过抑制阈值电压的劣化减小流过的电流，本发明涉及一种电压编程方法，用于驱动有机发光装置的像素结构中，在特定的无定形硅薄膜晶体管（薄膜晶体管）。 电压编程方法根据本发明的像素结构中选择通过从外部，其与数据电压施加的第一开关晶体管施加的扫描信号以驱动像素; 电容器，用于根据由第一开关晶体管施加的控制电压来存储预定电荷; 第二驱动晶体管，接收与存储在电容器中的电荷相对应的电压并且向像素施加电流; 并且被连接作为一个二极管结构，所述第二驱动器晶体管的栅极节点，时钟信号被连接并固定具有负电压的第三开关晶体管被应用，最小化所述第二驱动晶体管的阈值电压的劣化 对于一帧时间的一部分，负电压被施加到第二驱动晶体管的栅极。

公开(公告)号：KR100642264B1

公开(公告)日：2006-11-06

申请号：KR1020050010587

申请日：2005-02-04

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  남우진

IPC: G09G3/30

Abstract: 본 발명은 유기발광표시장치에 관한 것으로, 특히 전원공급용 배선이 차지하는 면적에 기인한 개구율 감소로 인한 유기발광소자의 열화를 방지하는 유기발광소자의 화소구조에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기발광소자의 화소구조는 제1 방향으로 형성되며, 데이터전압을 전달하는 데이터 라인과; 상기 제1 방향과 교차되는 제2 방향으로 형성되며, 스캔 신호를 전달하는 다수의 스캔 라인과; 상기 데이터 라인과 다수의 스캔 라인에 의해 정의되는 각 화소를 선택하도록 형성된 각각의 스위칭 트랜지스터와; 상기 데이터 라인으로 인가되는 전압에 따라 해당 전하를 저장하도록 형성된 각각의 커패시터와; 상기 스캔 라인을 통해 전원전압을 공급받도록 상기 스캔 라인과 접속된 각각의 구동 트랜지스터와; 상기 구동 트랜지스터에 흐르는 전류에 의해 발광하는 각각의 유기발광소자(Organic-Light Emitting Diode)를 포함함을 특징으로 한다.
액티브 매트릭스 OLED, 화소, 개구율, 전류밀도

Abstract translation: 本发明涉及一种有机发光装置，以防止有机发光由于该元件的劣化，特别是在像素结构中，减小的孔径比由于通过布线用于OLED显示器上电源所占据的面积。 根据本发明的有机发光二极管的像素结构包括：在第一方向上形成并传输数据电压的数据线; 多个扫描线，形成在与第一方向交叉的第二方向上并发送扫描信号; 每个开关晶体管被配置为选择由数据线和多条扫描线限定的每个像素; 每个电容器被配置为根据施加到数据线的电压来存储对应的电荷; 每个驱动晶体管连接到扫描线以通过扫描线接收电源电压; 并且有机发光二极管（OLED）通过在驱动晶体管中流动的电流来发光。

公开(公告)号：KR100628918B1

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：KR1020040108741

申请日：2004-12-20

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  유봉현 ,  남우진

IPC: G09G3/30

Abstract: 본 발명은 유기발광소자의 구동을 위한 구동용 트랜지스터에 인가되는 일방향의 데이터 전압으로 인한 구동용 트랜지스터의 특성열화를 방지할 수 있는 유기발광소자의 구동방법 및 이를 이용한 표시장치에 관한 것이다. 본 발명은 유기발광소자에 전류를 공급하는 구동용 트랜지스터의 구동방법에 있어서, 한 프레임 동안에 상기 구동용 트랜지스터의 게이트에, 상기 유기발광소자의 발광을 위한 정방향의 데이터 전압뿐만 아니라 상기 정방향의 데이터 전압의 인가로 인한 상기 구동트랜지스터의 열화를 치유하기 위한 역방향의 데이터 전압을 일정 시간 인가함을 특징으로 한다.
유기발광소자, 화소, 게이트 바이어스, 표시장치

公开(公告)号：KR100625214B1

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：KR1020050005441

申请日：2005-01-20

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 지인환 ,  전병철 ,  최영환 ,  김수성 ,  한민구

IPC: H01L29/73

Abstract: 본 발명은 보호회로를 내장한 절연게이트 바이폴라 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor; 이하 IGBT라 칭함)에 관한 것이다. 본 발명의 절연 게이트형 반도체 장치는 반도체층과; 상기 반도체층에 형성된 주 IGBT 소자와; 상기 주 IGBT 소자와 인접하여 상기 반도체층에 형성되며, 상기 주 IGBT 소자에 비정상적인 고전류가 흐를 경우 그 내부의 전압이 상승하는 플로팅 웰과; MOSFET 소자를 구비하며, 상기 플로팅 웰로부터 인가되는 전압의 크기가 상기 MOSFET의 문턱전압 이상인 경우 상기 주 IGBT 소자에 흐르는 전류를 감소시키는 보호회로를 포함함을 특징으로 한다.
절연게이트 바이폴라 트랜지스터, 스위칭 소자, 애벌런치 에너지, 플로팅 웰

Abstract translation: 本发明涉及内置有保护电路的绝缘栅双极型晶体管（以下称为IGBT）。 本发明的绝缘栅半导体器件包括：半导体层; 主要的IGBT元件形成在半导体层中; 形成在与主IGBT元件相邻的半导体层中并且当异常高电流流过主IGBT元件时内部电压升高的浮动阱; 以及保护电路，用于当从浮阱施加的电压的大小等于或大于MOSFET的阈值电压时，减小流过主IGBT元件的电流。

公开(公告)号：KR100625215B1

公开(公告)日：2006-09-18

申请号：KR1020040097125

申请日：2004-11-24

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 하민우 ,  이승철 ,  한민구

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/324

Abstract: 본 발명은 후처리 어닐링 (post annealing) 기술에 관한 것으로, GaN 소자의 드레인 전류 증가, 트랜스 컨덕턴스(transconductance) 증가, 누설 전류 감소 및 항복 전압 (breakdown voltage) 증가를 위하여 GaN 소자가 제작된 뒤 소자에 엑시머 레이저 펄스 (excimer laser pulse)를 가하는 것이다. 본 발명에 따른 엑시머 레이저 펄스를 이용한 후처리 어닐링 방법은 공정이 용이하며 쇼트키 게이트 (Schottky gate)의 열화 없이 GaN 소자의 전기적 특성을 개선할 수 있다.
후처리 어닐링, 엑시머 레이저, GaN, 높은 전자이동도 트랜지스터

Abstract translation: 本发明涉及一种治疗后退火（后退火）技术，后部元件是由增加GaN器件的漏极电流GaN器件，增加跨导（互导），减少漏电流和增加击穿电压（击穿电压） 准分子激光脉冲被应用。 利用受激准分子激光脉冲在根据本发明的中间退火方法可以促进该过程，并且提高了GaN器件的电学特性，而不肖特基栅极（肖特基栅）的劣化后。

公开(公告)号：KR1020060095087A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：KR1020050015986

申请日：2005-02-25

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  이재훈

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78627 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/26586

Abstract: 본 발명은 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 특성을 향상시키기 위한 도핑 방법 및 이를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제조방법에 관한 것으로, 기판 상에 적층 형성된 다결정 실리콘 박막, 게이트 절연막 및 게이트 전극 상에 상기 박막트랜지스터의 소스/드레인 도핑을 위한 도펀트를 주입할 시에, 소스 드레인/부분과 GOLDD(Gate Overlapped Lightly Doped Drain) 영역이 동시에 형성되도록 도펀트를 미리 설정된 각도로 사선 방향으로 주입한다.
박막트랜지스터, 도펀트, GOLDD, 다결정

公开(公告)号：KR100608250B1

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：KR1020040064213

申请日：2004-08-16

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  정상훈

IPC: G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  H03F3/30

Abstract: 본 발명은 능동구동 디스플레이(active matrix display)의 구동을 위한 아날로그 버퍼회로에 관한 것으로, 데이터신호를 샘플링하는 제1 트랜지스터와; 상기 제1 트랜지스터의 소스/드레인 전류 통로에 자신의 소스/드레인 전류통로가 접속되며, 노드 A에서 게이트 전극과 드레인 전극이 접속된 제2 트랜지스터와; 제1 전원전압(VDD)을 수신하며, 액티브 신호에 따라 제어되는 제3 트랜지스터와; 상기 노드 A에 게이트 전극이 접속된 제4 트랜지스터와; 상기 제1 트랜지스터의 소스/드레인 전류 통로와 상기 노드 A 사이에 자신의 소스/드레인 전류통로가 접속되며, 게이트 전극과 드레인 전극이 접속된 제5 트랜지스터와; 제2 전원전압(VSS)을 수신하고, 상기 제5 트랜지스터의 드레인 전극에 자신의 소스/드레인 전류 통로가 접속되며, 리셋 신호에 따라 제어되는 제6 트랜지스터와; 상기 제2 전원전압(VSS)을 수신하고, 상기 제4 트랜지스터의 소스 전극에 자신의 소스/드레인 전류 통로가 접속되며, 리셋 신호에 따라 제어되는 제7 트랜지스터를 포함함을 특징으로 한다.
아날로그 버퍼회로, 능동구동 디스플레이, 부트스트래핑

公开(公告)号：KR1020060085374A

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：KR1020050006206

申请日：2005-01-24

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  이재훈 ,  한창욱 ,  유봉현

IPC: G09G3/30

CPC classification number: G09G3/3266 ,  G09G3/3291 ,  G09G2320/02 ,  G09G2330/045

Abstract: 본 발명은 유기발광소자의 구동을 위한 전압기입방식 화소구조에 관한 것으로, 특히 비정질 실리콘 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)의 문턱전압 열화를 억제함으로써 유기발광소자로 흐르는 전류감소를 억제하기 위한 것이다. 본 발명에 따른 전압기입방식 화소구조는 외부에서 인가되는 스캔 신호에 의해 구동 화소를 선택하며, 데이터 전압이 인가되는 제1 스위칭 트랜지스터와; 상기 제1 스위칭 트랜지스터에 의해 인가되는 제어전압에 따라 소정의 전하를 저장하는 커패시터와; 상기 커패시터에 저장된 전하에 따른 전압을 입력받아 전류를 해당 화소에 인가하는 제2 구동 트랜지스터; 및 상기 제2 구동 트랜지스터의 게이트 노드에 다이오드 구조로 접속되며, 클럭신호가 접속되어 일정한 음전압을 인가할 수 있는 제3 스위칭 트랜지스터를 포함하며, 상기 제2 구동용 트랜지스터의 문턱전압의 열화를 최소화하기 위해 한 프레임 시간의 일부분의 시간동안 상기 제2 구동용 트랜지스터의 게이트에 음의 전압을 인가함을 특징으로 한다.
유기발광소자, 비정질 실리콘 박막트랜지스터, 문턱전압