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公开(公告)号：KR100887805B1
公开(公告)日：2009-03-09
申请号：KR1020070092367
申请日：2007-09-12
Applicant: 현대자동차주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
CPC classification number: H01L27/0266 , H01L29/7302
Abstract: An apparatus for protecting insulated gate bipolar transistor is provided to strengthen a protection of an IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) module by integrating a protective circuit inside the IGBT. A main IGBT(100) includes a p-type floating well(110). A current detecting circuit includes a first MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)(210). The first MOSFET detects a current flowing through the p-type floating well, and supplies a voltage to a gate of a second MOSFET(310) inside a pull-down circuit. The second MOSFET turns on by supplying the voltage to the current detecting circuit, and reduces a gate voltage of the main IGBT. A voltage of the p-type floating well is supplied to a gate and a drain of the first MOSFET device.
Abstract translation: 提供一种用于保护绝缘栅双极晶体管的装置，通过在IGBT内集成保护电路来加强对IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的保护。 主IGBT（100）包括p型浮动井（110）。 电流检测电路包括第一MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）（210）。 第一MOSFET检测流过p型浮动阱的电流，并向下拉电路内的第二MOSFET（310）的栅极提供电压。 第二个MOSFET通过向电流检测电路提供电压而导通，并降低主IGBT的栅极电压。 p型浮置阱的电压被提供给第一MOSFET器件的栅极和漏极。
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公开(公告)号：KR100539401B1
公开(公告)日：2005-12-27
申请号：KR1020030051596
申请日：2003-07-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H02H3/08
Abstract: 본 발명은 부하의 단락시 전원부의 고전압으로 인해 전력소자가 파괴되는 것을 방지하기 위한 절연게이트형 전력소자의 단락상태 유지를 위한 보호회로에 관한 것이다.
본 발명은 부하의 단락시 전원부의 고전압으로 인해, 상기 부하에 애노드가 연결된 절연게이트형 전력소자가 파괴되는 것을 방지하기 위한 보호회로에 있어서, 게이트가 노드 A에서 상기 게이트절연형 전력소자의 게이트와 연결되고, 상기 애노드 전압을 노드 B로 전달하는 패스 트랜지스터와; 상기 절연게이트형 전력소자의 게이트전극 단자와 상기 노드 B와의 사이에 연결되고, 상기 노드 B에서의 전압이 문턱전압 이상일 경우 상기 노드 A의 전압을 강하시키는 풀-다운(pull-down)부와; 상기 게이트전극 단자의 전압이 0일 경우 상기 노드 B의 전압을 0로 낮추는 리셋 다이오드를 포함하여 구성됨을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020050012593A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：KR1020030051594
申请日：2003-07-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/74
Abstract: PURPOSE: An emitter switched thyristor having a protection circuit is provided to improve the short-circuit withstanding capability of an EST(Emitter Switched Thyristor). CONSTITUTION: A protection circuit(200) prevents an emitter switched thyristor(100) from being broken due to a high voltage by dropping a gate voltage after detecting a voltage of a floating emitter. A transistor drops a voltage of a node A in case the voltage of the floating emitter increases more than a threshold voltage. A reset diode(202) drops a voltage of a node B in case the voltage of the gate electrode terminal(110) is zero. A resistance device(203) is connected between the gate electrode terminal of the emitter switched thyristor and a second gate electrode(110B).
Abstract translation: 目的：提供具有保护电路的发射极开关晶闸管，以提高EST（发射极开关晶闸管）的短路耐受能力。 构成：保护电路（200）通过在检测到浮动发射极的电压之后降低栅极电压来防止发射极开关晶闸管（100）由于高电压而损坏。 在浮动发射极的电压增加超过阈值电压的情况下，晶体管降低节点A的电压。 在栅电极端子（110）的电压为零的情况下，复位二极管（202）降低节点B的电压。 电阻装置（203）连接在发射极开关晶闸管的栅电极端子和第二栅电极（110B）之间。
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公开(公告)号：KR100501236B1
公开(公告)日：2005-07-18
申请号：KR1020030051594
申请日：2003-07-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/74
Abstract: 본 발명은 부하의 단락시 전원부의 고전압으로 인해 전력소자가 파괴되는 것을 방지하기 위한 보호회로를 구비한 에미터 스위치 사이리스터에 관한 것이다.
본 발명은 보호회로에 의해 플로팅 에미터의 전압을 감지하여 EST의 안쪽 게이트 전압을 낮추어줌으로써 EST의 단락유지를 위해 필수적인 고전압 전류 포화특성을 얻을 수 있도록 하며, 본 발명에 의한 EST는 산업용 모터 제어에서 통상 요구되는 10㎲ 정도의 단락유지 특성을 갖는다.-
公开(公告)号：KR100625214B1
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：KR1020050005441
申请日：2005-01-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/73
Abstract: 본 발명은 보호회로를 내장한 절연게이트 바이폴라 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor; 이하 IGBT라 칭함)에 관한 것이다. 본 발명의 절연 게이트형 반도체 장치는 반도체층과; 상기 반도체층에 형성된 주 IGBT 소자와; 상기 주 IGBT 소자와 인접하여 상기 반도체층에 형성되며, 상기 주 IGBT 소자에 비정상적인 고전류가 흐를 경우 그 내부의 전압이 상승하는 플로팅 웰과; MOSFET 소자를 구비하며, 상기 플로팅 웰로부터 인가되는 전압의 크기가 상기 MOSFET의 문턱전압 이상인 경우 상기 주 IGBT 소자에 흐르는 전류를 감소시키는 보호회로를 포함함을 특징으로 한다.
절연게이트 바이폴라 트랜지스터, 스위칭 소자, 애벌런치 에너지, 플로팅 웰Abstract translation: 本发明涉及内置有保护电路的绝缘栅双极型晶体管（以下称为IGBT）。 本发明的绝缘栅半导体器件包括：半导体层; 主要的IGBT元件形成在半导体层中; 形成在与主IGBT元件相邻的半导体层中并且当异常高电流流过主IGBT元件时内部电压升高的浮动阱; 以及保护电路，用于当从浮阱施加的电压的大小等于或大于MOSFET的阈值电压时，减小流过主IGBT元件的电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100522519B1
公开(公告)日：2005-10-18
申请号：KR1020020031918
申请日：2002-06-07
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 매그나칩 반도체 유한회사
IPC: H01L29/74
Abstract: 본 발명은 사이리스터(Thyristor)로 동작하는 고전압 소자 구조에 게이트 커플링을 사용하며, 정전기 보호 사이리스터에 있어서, 고전압 소자의 특성에 따른 입/출력 신호의 상승/하강 시간과 ESD 펄스의 상승/하강 시간의 차이에 따라 상기 게이트 커플링 동작이 이루어지도록 필드 산화막 또는 두꺼운 산화막을 게이트 산화막으로 사용한다.
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公开(公告)号：KR1020050012901A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：KR1020030051596
申请日：2003-07-25
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H02H3/08
Abstract: PURPOSE: A protection circuit is provided to prevent breakdown of a power device caused due to the high voltage of a power source unit upon occurrence of short-circuit of a load. CONSTITUTION: A protection circuit(200) comprises a pass transistor(210), a pull-down unit(220), and a reset diode(230). The pass transistor has a gate connected to a gate of an insulated gate type power device at a gate A, and transfers an anode voltage to a node B. The pull-down unit is connected between a gate electrode terminal of the insulated gate type power device and the node B, and pulls down the voltage of the node A when the voltage at the node B is higher than a threshold voltage. The reset diode lowers the voltage of the node B to zero when the voltage of the gate electrode terminal is zero.
Abstract translation: 目的：提供保护电路，以防止在发生负载短路时由于电源单元的高压而导致的功率器件故障。 构成：保护电路（200）包括传输晶体管（210），下拉单元（220）和复位二极管（230）。 传输晶体管在栅极A处具有连接到绝缘栅型功率器件的栅极的栅极，并将阳极电压传输到节点B.该下拉单元连接在绝缘栅极型功率的栅电极端子 器件和节点B，并且当节点B处的电压高于阈值电压时，降低节点A的电压。 当栅电极端子的电压为零时，复位二极管将节点B的电压降低到零。
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公开(公告)号：KR1020030094673A
公开(公告)日：2003-12-18
申请号：KR1020020031918
申请日：2002-06-07
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단 , 매그나칩 반도체 유한회사
IPC: H01L29/74
Abstract: PURPOSE: An electrostatic discharge(ESD) protection thyristor is provided to reduce a trigger voltage of a thyristor and improve an ESD characteristic by forming a gate-coupled thyristor(GCT) using a gate coupling concept in a device structure functioning as the thyristor. CONSTITUTION: The ESD protection thyristor uses a field oxide layer or a thick oxide layer as a gate oxide layer, including a gate coupling thyristor structure to prevent static electricity of a high voltage device. The gate coupling operation is performed according to a difference of time interval between the rising/falling time of an input/output signal and the rising/falling time of an ESD pulse.
Abstract translation: 目的：提供一种静电放电（ESD）保护晶闸管，以减少晶闸管的触发电压，并通过在用作晶闸管的器件结构中使用栅极耦合概念形成栅极耦合晶闸管（GCT）来提高ESD特性。 构成：ESD保护晶闸管使用场氧化物层或厚氧化物层作为栅极氧化层，包括栅极耦合晶闸管结构，以防止高压器件的静电。 根据输入/输出信号的上升/下降时间与ESD脉冲的上升/下降时间之间的时间间隔的差异执行栅极耦合操作。
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公开(公告)号：KR100841398B1
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：KR1020070020391
申请日：2007-02-28
Applicant: 한국원자력연구원 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/73
Abstract: A method and an apparatus for improving an electrical characteristic of a BRT device are provided to manufacture the BRT device having a high performance switching by irradiating an optimized electron beam on the BRT device. An electron beam is irradiated on a BRT(Base Resistance controlled Thyristor) device to extract a first specific condition value of the electron beam which shortens a lifespan of minor carrier. The electron beam of the extracted first specific condition value is irradiated on other BRT device. The other BRT device is subjected to a thermal annealing process to extract a second specific condition value which increases a threshold voltage. Another BRT device is subjected to the thermal annealing process of the extracted specific condition value.
Abstract translation: 提供一种用于改善BRT装置的电气特性的方法和装置，以通过在BRT装置上照射优化的电子束来制造具有高性能切换的BRT装置。 电子束照射在BRT（基极电阻控制晶闸管）器件上，以提取缩短次要载流子寿命的电子束的第一特定条件值。 提取的第一特定条件值的电子束照射在其他BRT装置上。 对其他BRT器件进行热退火处理，以提取增加阈值电压的第二特定条件值。 对另一BRT装置进行提取的特定条件值的热退火处理。
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公开(公告)号：KR1020060084665A
公开(公告)日：2006-07-25
申请号：KR1020050005441
申请日：2005-01-20
Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H01L29/73
CPC classification number: H01L27/0266 , H01L29/7371
Abstract: 본 발명은 보호회로를 내장한 절연게이트 바이폴라 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor; 이하 IGBT라 칭함)에 관한 것이다. 본 발명의 절연 게이트형 반도체 장치는 제1 도전형의 반도체층과; 상기 반도체층의 제1 영역에 형성된 주 IGBT 소자와; 상기 주 IGBT 소자에서 비정상적인 고전류가 흐를 경우 이를 감지하기 위해 상기 제1 영역에 인접하여 상기 반도체층의 제2 영역에 형성된 플로팅 웰과; 상기 플로팅 웰로부터 인가되는 감지신호에 따라 상기 주 IGBT 소자에 흐르는 전류를 감소시키기 위해 상기 제2 영역에 인접하여 상기 반도체층의 제3 영역에 형성된 MOSFET 소자를 구비하는 보호회로를 포함함을 특징으로 한다.
절연게이트 바이폴라 트랜지스터, 스위칭 소자, 애벌런치 에너지, 플로팅 웰
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