公开(公告)号：KR1020060084665A

公开(公告)日：2006-07-25

申请号：KR1020050005441

申请日：2005-01-20

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 지인환 ,  전병철 ,  최영환 ,  김수성 ,  한민구

IPC: H01L29/73

CPC classification number: H01L27/0266 ,  H01L29/7371

Abstract: 본 발명은 보호회로를 내장한 절연게이트 바이폴라 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor; 이하 IGBT라 칭함)에 관한 것이다. 본 발명의 절연 게이트형 반도체 장치는 제1 도전형의 반도체층과; 상기 반도체층의 제1 영역에 형성된 주 IGBT 소자와; 상기 주 IGBT 소자에서 비정상적인 고전류가 흐를 경우 이를 감지하기 위해 상기 제1 영역에 인접하여 상기 반도체층의 제2 영역에 형성된 플로팅 웰과; 상기 플로팅 웰로부터 인가되는 감지신호에 따라 상기 주 IGBT 소자에 흐르는 전류를 감소시키기 위해 상기 제2 영역에 인접하여 상기 반도체층의 제3 영역에 형성된 MOSFET 소자를 구비하는 보호회로를 포함함을 특징으로 한다.
절연게이트 바이폴라 트랜지스터, 스위칭 소자, 애벌런치 에너지, 플로팅 웰

公开(公告)号：KR100463029B1

公开(公告)日：2004-12-23

申请号：KR1020020016135

申请日：2002-03-25

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  이유상 ,  김수성 ,  오재근 ,  이승철 ,  최연익

IPC: H01L29/74

Abstract: PURPOSE: A horizontal type thyristor is provided to be capable of improving forward current saturation characteristics and obtaining fast switching characteristics for reducing power consumption at turn-off state. CONSTITUTION: A horizontal type thyristor is provided with a substrate(430), an anode and a cathode formed at the upper portion of the substrate, the first N+ type region(402) formed at the lower portion of the anode, a P+ type region(404a) formed at the lower portion of an FOC(Floating Ohmic Contact), and the second N+ type region(404b) formed at the lower portion of the anode for being electrically connected with the P+ region formed at the lower portion of the FOC. At this time, electrons are flowed from the second N+ type region by flowing holes having the same quantity of the electrons into the P+ type region, according to the principle of charge neutrality.

Abstract translation: 目的：提供一种水平型晶闸管，能够改善正向电流饱和特性并获得快速开关特性，以降低关断状态下的功耗。 本发明公开了一种水平型晶闸管，其包括衬底（430），形成在衬底上部的阳极和阴极，形成在阳极下部的第一N +型区域（402），形成在衬底上的P +型区域 在FOC（浮动欧姆接触）的下部形成的第一N +型区域（404a）和形成在阳极下部的第二N +型区域（404b），用于与在FOC的下部形成的P +区域电连接 。 此时，根据电荷中性原理，通过使具有相同量的电子的空穴流入P +型区域，电子从第二N +型区域流动。

公开(公告)号：KR100625214B1

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：KR1020050005441

申请日：2005-01-20

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 지인환 ,  전병철 ,  최영환 ,  김수성 ,  한민구

IPC: H01L29/73

Abstract: 본 발명은 보호회로를 내장한 절연게이트 바이폴라 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor; 이하 IGBT라 칭함)에 관한 것이다. 본 발명의 절연 게이트형 반도체 장치는 반도체층과; 상기 반도체층에 형성된 주 IGBT 소자와; 상기 주 IGBT 소자와 인접하여 상기 반도체층에 형성되며, 상기 주 IGBT 소자에 비정상적인 고전류가 흐를 경우 그 내부의 전압이 상승하는 플로팅 웰과; MOSFET 소자를 구비하며, 상기 플로팅 웰로부터 인가되는 전압의 크기가 상기 MOSFET의 문턱전압 이상인 경우 상기 주 IGBT 소자에 흐르는 전류를 감소시키는 보호회로를 포함함을 특징으로 한다.
절연게이트 바이폴라 트랜지스터, 스위칭 소자, 애벌런치 에너지, 플로팅 웰

Abstract translation: 本发明涉及内置有保护电路的绝缘栅双极型晶体管（以下称为IGBT）。 本发明的绝缘栅半导体器件包括：半导体层; 主要的IGBT元件形成在半导体层中; 形成在与主IGBT元件相邻的半导体层中并且当异常高电流流过主IGBT元件时内部电压升高的浮动阱; 以及保护电路，用于当从浮阱施加的电压的大小等于或大于MOSFET的阈值电压时，减小流过主IGBT元件的电流。

公开(公告)号：KR100887805B1

公开(公告)日：2009-03-09

申请号：KR1020070092367

申请日：2007-09-12

Applicant: 현대자동차주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  지인환 ,  조규헌 ,  김수성 ,  임준채

IPC: H01L29/70 ,  G05F1/10

CPC classification number: H01L27/0266 ,  H01L29/7302

Abstract: An apparatus for protecting insulated gate bipolar transistor is provided to strengthen a protection of an IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) module by integrating a protective circuit inside the IGBT. A main IGBT(100) includes a p-type floating well(110). A current detecting circuit includes a first MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)(210). The first MOSFET detects a current flowing through the p-type floating well, and supplies a voltage to a gate of a second MOSFET(310) inside a pull-down circuit. The second MOSFET turns on by supplying the voltage to the current detecting circuit, and reduces a gate voltage of the main IGBT. A voltage of the p-type floating well is supplied to a gate and a drain of the first MOSFET device.

Abstract translation: 提供一种用于保护绝缘栅双极晶体管的装置，通过在IGBT内集成保护电路来加强对IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的保护。 主IGBT（100）包括p型浮动井（110）。 电流检测电路包括第一MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）（210）。 第一MOSFET检测流过p型浮动阱的电流，并向下拉电路内的第二MOSFET（310）的栅极提供电压。 第二个MOSFET通过向电流检测电路提供电压而导通，并降低主IGBT的栅极电压。 p型浮置阱的电压被提供给第一MOSFET器件的栅极和漏极。

公开(公告)号：KR1020030077187A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：KR1020020016135

申请日：2002-03-25

Applicant: 재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 한민구 ,  이유상 ,  김수성 ,  오재근 ,  이승철 ,  최연익

IPC: H01L29/74

Abstract: PURPOSE: A horizontal type thyristor is provided to be capable of improving forward current saturation characteristics and obtaining fast switching characteristics for reducing power consumption at turn-off state. CONSTITUTION: A horizontal type thyristor is provided with a substrate(430), an anode and a cathode formed at the upper portion of the substrate, the first N+ type region(402) formed at the lower portion of the anode, a P+ type region(404a) formed at the lower portion of an FOC(Floating Ohmic Contact), and the second N+ type region(404b) formed at the lower portion of the anode for being electrically connected with the P+ region formed at the lower portion of the FOC. At this time, electrons are flowed from the second N+ type region by flowing holes having the same quantity of the electrons into the P+ type region, according to the principle of charge neutrality.

Abstract translation: 目的：提供一种水平型晶闸管，能够提高正向电流饱和特性，并获得快速的开关特性，以减少关断状态下的功耗。 构造：水平型晶闸管设置有形成在基板的上部的基板（430），阳极和阴极，形成在阳极的下部的第一N +型区域（402），P +型区域 形成在FOC（浮动欧姆接触件）的下部的第二N +型区域（404a）和形成在阳极下部的第二N +型区域（404b），用于与形成在FOC的下部的P +区域电连接 。 此时，根据电荷中性原理，电子通过将具有相同量的电子的空穴流入P +型区域而从第二N +型区域流出。