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公开(公告)号:KR1020050120024A
公开(公告)日:2005-12-22
申请号:KR1020040045211
申请日:2004-06-18
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772 , B82Y40/00
CPC classification number: G01Q60/38 , B82Y40/00 , H01L21/0273 , H01L21/31 , H01L21/324 , H01L29/772
Abstract: 본 발명은 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 배치 프로세스를 통해 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 정확히 수직 배양된 탄소 나노튜브가 형성된 탐침을 포함하는 캔틸레버를 제공함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장 장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 탄소나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 (a) 캔틸레버 지지대의 상부에 탐침을 형성하는 단계; (b) 상기 캔틸레버 지지대의 상부에 다층막 형성후, 2회에 걸친 패턴 형성 및 불순물 주입으로 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 탐침이 위치하며 탐침의 양측 경사면에 소스 및 드레인 영역이 형성되도록 캔틸레버 아암을 형성하는 단계; (c) 상기 기판 상부에 포토레지스트를 도포하고 애싱하여 탐침의 첨두부를 노출시키는 단계; (d) 상기 포토레지스트의 상부에 금속막을 형성하고 상기 포토레지스트를 제거하여 탐침의 첨두부에만 금속막을 남기는 단계; (e) 상기 금속막을 열처리한 후에 구형으로 변형하여 금속구를 형성하는 단계; (f) 상기 탐침의 첨두부에 탄소 나노튜브를 수직으로 배양시키는 단계; 및 (g) 상기 캔틸레버 아암의 일부를 제거하여 캔틸레버 아암을 부상시키는 단계를 포함하는 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 제조방법에 의해 달성된다.
따라서, 본 발명의 탄소 나노튜브 트랜지스터 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조방법은 배치 프로세스를 통해 전계효과 트랜지스터의 채널 영역에 정확히 수직 배양된 탄소 나노튜브가 형성된 탐침을 포함하는 캔틸레버를 제공함으로써 테라 비트급 탐침형 정보 저장 장치에 사용할 수 있고 정보의 센싱 능력을 향상시키면서 생산 제조원가를 낮추는 효과가 있다.-
公开(公告)号:KR1020050114435A
公开(公告)日:2005-12-06
申请号:KR1020040039653
申请日:2004-06-01
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01Q60/38 , H01L21/027 , H01L21/31 , H01L21/324
CPC classification number: G01Q60/38 , H01L21/0273 , H01L21/31 , H01L21/324
Abstract: 본 발명은 락인 증폭기를 사용하지 않으면서도 수십 GHz 이상에서 작동되는 반도체 소자의 고주파 특성을 볼 수 있는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 상기 목적은 캔틸레버 지지대, 상기 캔틸레버 지지대상에 위치하며 일측이 부상된 캔틸레버 아암, 상기 캔틸레버 아암 선단에 위치한 팁, 상기 팁 내에 형성된 채널 및 상기 채널의 양측면에 각각 형성된 소스 및 드레인으로 이루어진 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 있어서, 상기 팁은 콘 모양 또는 피라미드 모양임을 특징으로 하는 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버에 의해 이루어짐에 기술적 특징이 있다.
따라서, 본 발명의 고주파 소자 검사용 기능성 원자간력 현미경 캔틸레버 및 그 제조 방법은 팁을 제외한 주변의 절연막을 제거하므로써 고주파 소자의 검사가 가능한 효과가 있다.-
公开(公告)号:KR1020050067895A
公开(公告)日:2005-07-05
申请号:KR1020030098928
申请日:2003-12-29
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01K7/02
Abstract: 본 발명은 밀리미터파 센서에 관한 것으로서, 소정의 DC드라이버 패드를 금속 신호선을 통해 안테나에 해당하는 밀리미터파 도파부와 연결시켜 DC전류를 입/출력시킬 수 있도록 함으로써 밀리미터파 도파부와 전기적으로 연결된 발열부에 소정의 열을 발생시키도록 하고, 더불어 소정의 온도감지부를 그 발열부의 주위에 형성하여 DC전류의 입/출력에 따라 발열부에서 발생하는 열을 감지하도록 함으로써, 외부에서 이를 이용해 DC전류를 조절하여 발열부가 항상 전이온도를 유지할 수 있도록 한다.
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公开(公告)号:KR100425776B1
公开(公告)日:2004-04-01
申请号:KR1020020022330
申请日:2002-04-23
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G02B26/02
Abstract: PURPOSE: A micro actuator is provided which has a simple fabrication process by simplifying components and reduces a fabrication cost, and performs an accurate driving, and improves the characteristics of a device. CONSTITUTION: The first and the second supporting parts(101,102) are fixed to a substrate(200) by being separated each other. The first and the second elastic parts(111,112) by being connected to the first and the second supporting parts respectively, and are floated from the substrate. A driving part(130) is floated from the substrate by being connected to the first and the second elastic parts, and has a dielectric constant larger than a vacuum dielectric constant. And the first and the second electrodes(121,122) are formed on both sides of the driving part(130), and are fixed to the substrate.
Abstract translation: 目的:提供一种微型致动器,其通过简化部件并降低制造成本而实现简单的制造工艺,并且执行准确的驱动,并且改善器件的特性。 组成:第一和第二支撑部件(101,102)通过彼此分离而固定到基板(200)。 第一和第二弹性部分(111,112)通过分别连接到第一和第二支撑部分并且从基板浮起。 驱动部分(130)通过连接到第一和第二弹性部分而从基板浮起,并具有大于真空介电常数的介电常数。 并且第一和第二电极(121,122)形成在驱动部分(130)的两侧,并固定到基板。
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公开(公告)号:KR1020030083930A
公开(公告)日:2003-11-01
申请号:KR1020020022332
申请日:2002-04-23
Applicant: 전자부품연구원
IPC: B81B7/00
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/03 , B81B2201/031 , B81B2203/0136 , B81C1/00015 , B81C1/00349 , B81C1/00388 , B81C1/00555
Abstract: PURPOSE: A thermal micro actuator and a method for fabricating the same are provided to amplify displacement of the thermal micro actuator by installing an arch bar at end portions of two arch bars. CONSTITUTION: A thermal micro actuator includes a substrate(50). A first electrode(51), a ground electrode(52) and a second electrode(53) are fixed to the substrate(50) in such a manner that they are parallel spaced by a predetermined distance. A first arch bar(54) extends from the first electrode(51) and the ground electrode(52). A second arch bar(55) extends from the second electrode(53) and the ground electrode(52). A third arch bar(56) extends from end portions of the first and second arch bars(54,55). A front section(58) extends from a center(57) of the third arch bar(56).
Abstract translation: 目的:提供一种热微致动器及其制造方法,用于通过在两个拱杆的端部安装拱杆来放大热微致动器的位移。 构成:热微致动器包括衬底(50)。 第一电极(51),接地电极(52)和第二电极(53)以平行间隔预定距离的方式固定到基板(50)。 第一拱杆(54)从第一电极(51)和接地电极(52)延伸。 第二拱杆(55)从第二电极(53)和接地电极(52)延伸。 第三拱杆(56)从第一和第二拱杆(54,55)的端部延伸。 前部(58)从第三拱杆(56)的中心(57)延伸。
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公开(公告)号:KR1020020093491A
公开(公告)日:2002-12-16
申请号:KR1020010032277
申请日:2001-06-09
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01L9/00
CPC classification number: G01L9/0042 , G01L9/0073
Abstract: PURPOSE: A capacitive differential pressure sensor and method for manufacturing the same is provided to allow ease of manufacture by using a single floor sacrificial layer, while improving non-linear characteristics of pressure sensor. CONSTITUTION: A capacitive differential pressure sensor comprises an outer electrode(12), a first lower electrode(14) and a second lower electrode(16) which are spaced apart from each other at a semiconductor substrate(10); columns(18,20) vertically connected to the outer electrode and the first lower electrode, respectively; and a first upper electrode(22) connected to the column of the outer electrode and disposed in parallel to the first lower electrode, and a second upper electrode(24) connected to the column of the first lower electrode and disposed in parallel to the second lower electrode. The capacitive differential pressure sensor further comprises an insulation film(11) formed at upper and lower surfaces of the semiconductor substrate, and a diaphragm formed by partially removing the lower surface of the semiconductor substrate, by the amount corresponding to the first lower electrode.
Abstract translation: 目的:提供一种电容差压传感器及其制造方法,以便通过使用单层地板牺牲层易于制造,同时改善压力传感器的非线性特性。 构成:电容差压传感器包括在半导体衬底(10)处彼此间隔开的外电极(12),第一下电极(14)和第二下电极(16)。 垂直连接到外电极和第一下电极的柱(18,20); 和与第一下部电极平行地配置的与外部电极的列连接的第一上部电极(22),和与第一下部电极的列连接且与第二下部电极平行配置的第二上部电极(24) 下电极。 电容差压传感器还包括形成在半导体衬底的上表面和下表面处的绝缘膜(11)和通过部分地去除半导体衬底的下表面而形成的膜片,其量对应于第一下电极。
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公开(公告)号:KR1020160082330A
公开(公告)日:2016-07-08
申请号:KR1020140191246
申请日:2014-12-28
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01J1/02
CPC classification number: G01J1/02
Abstract: 고감도테라헤르츠파감지소자가제공된다. 본발명에따른테라헤르츠파감지소자는테라헤르츠파를수신하는안테나, 수신된테라헤르츠파를흡수하여온도상승으로인한저항변화를일으키는나노구조체및 저항변화로부터감지신호를발생하는신호처리부를포함한다.
Abstract translation: 提供了一种高灵敏度的太赫兹波感测装置。 根据本发明,太赫兹波检测装置包括:接收太赫兹波的天线; 吸收接收到的太赫兹波的纳米结构引起由温度升高引起的电阻变化; 以及信号处理单元,从所述电阻变化产生感测信号。
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