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公开(公告)号：KR1020160136664A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：KR1020150070511
申请日：2015-05-20
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은독성이없고인간의생체시스템과결합할수 있는친환경적인실크조성물과, 그를이용하여조명, 디스플레이, 진단, 치료를위한광학분야에서플렉서블한유연성을갖는발광소자를제공하는것을목적으로한다. 이를위해본 발명에따른실크조성물은임의의용매에실크를일정농도(濃度)로혼합하고, 상기실크가혼합된용액을건조시켜일정두께의박막을형성하며, 발광소자는제 1 도전성반도체층과, 활성층과, 제 2 도전성반도체층과, 반사부가적층되고, 상기제 1 도전성반도체층에제 1 전극이설치되며, 상기반사부에제 2 전극이설치되고, 상기반사부에열을방출하는방열부가설치되며, 상기방열부에실크가일정두께로형성된실크조성물을포함한다. 따라서실크를이용한조성물을발광소자의기판으로사용함으로써, 플렉서블한유연성을갖는발광소자를제공할수 있고, 실크를발광소자의보호막으로도사용함으로써, 친환경적이고, 생체친화적인발광소자를제공할수 있는장점이있다.
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公开(公告)号：KR1020150141002A
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：KR1020140069361
申请日：2014-06-09
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은 LED 소자가잘 구부러지도록유연성을갖는플렉서블 LED 및그 제조방법을제공하는것을목적으로한다. 이를위해본 발명은제 1 도전성반도체층과, 활성층과, 제 2 도전성반도체층과, 반사부가적층되고, 상기제 1 도전성반도체층에제 1 전극이설치되며, 상기반사부에제 2 전극이설치되고, 상기반사부에열을방출하는방열부가설치되며, 상기방열부에잘 구부러지는유연성을갖는플렉서블기판을설치한것을특징으로한다. 따라서본 발명은 LED 소자가잘 구부러지도록유연성을갖는장점이있다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种灵活的LED，其具有容易弯曲LED器件的灵活性及其制造方法。 为此，堆叠第一导电半导体层，有源层，第二导电半导体层和反射部分; 第一电极安装在第一导电半导体层上; 第二电极安装在反射部分上; 并且在反射部上安装有散热部，以将热量辐射到反射部。 具有柔性的柔性基板安装在散热部上。 因此，本发明具有容易弯曲LED器件的灵活性。
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公开(公告)号：KR101568133B1
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：KR1020140067034
申请日：2014-06-02
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L21/318 , H01L21/20
Abstract: 복수의 GaN 조각을준비하는단계; 제조하고자하는대면적질화물기판의크기에상응하여복수의 GaN 조각을로더상에서로이격시켜배치하는단계; 상기서로이격된복수의 GaN 조각의측면에 GaN을성장시켜상기복수의 GaN 조각사이에 GaN 머지영역을형성하는단계; 상기 GaN 조각및 상기 GaN 머지영역을덮도록상부 GaN층을형성하는단계; 및상기복수의 GaN 조각, GaN 머지영역, 상기상부 GaN층으로이루어진대면적질화물기판을상기로더로부터분리하는단계를포함하는조각 GaN을이용한대면적질화물기판의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 提供一种使用GaN片段制造具有大面积的氮化物衬底的方法，其包括以下步骤：制备多个GaN片段; 对应于具有大面积的氮化物衬底的尺寸，在装载器上分开布置GaN片段; 通过在彼此分离的GaN片段的侧面上生长GaN来在GaN片段之间形成GaN合并区域; 形成顶部GaN层以覆盖GaN合并区域和GaN片段; 并且从装载器中分离具有由GaN片段，GaN合并区域和顶部GaN层组成的大面积的氮化物衬底。
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公开(公告)号：KR1020150097307A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020140018658
申请日：2014-02-18
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01B13/0026
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 상기 기판상에 탄소 나노 튜브 도전층을 형성하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법에 관한 것으로서, 복수 개의 탄소 나노 튜브를 구비하는 분산액을 제조하는 단계, 상기 분산액에 대하여 원심 분리 공정을 진행하는 단계, 상기 원심 분리 공정을 거친 분산액을 기판에 대하여 성막하는 단계, 상기 성막 단계를 진행하여 형성된 막의 표면에 대하여 활성화 공정을 진행하는 단계, 적어도 금속 원소를 포함하는 도금액을 준비하는 단계, 상기 활성화를 진행한 기판을 상기 도금액에 넣어 도금 공정을 진행하는 단계 및 상기 기판에 대하여 열처리를 구비하는 후처리 공정을 진행하는 단계를 포함하는 탄소 나노 튜브 도전층 제조 방법을 개시한다.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种制造碳纳米管导电层以在基板上形成碳纳米管导电层的方法。 该方法包括：制造具有碳纳米管的分散液的工序; 对分散液体进行离心过滤处理的步骤; 在基板上形成通过离心过滤处理的分散液体层的工序; 在通过进行层形成步骤形成的层的表面上进行活化处理的步骤; 制备至少包含金属元素的电镀溶液的步骤; 将通过激活处理的基板浸渍在电镀液中的电镀工序的工序; 以及对基板进行热处理的后处理工序的工序。
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公开(公告)号：KR1020150036839A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020130115697
申请日：2013-09-27
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은기판, 상기기판상에형성되는반사금속층, 상기반사금속층상에형성되고, p-형 3족-질화물계반도체층, n-형 3족-질화물계반도체층및 상기 p-형 3족-질화물계반도체층과 n-형 3족-질화물계반도체층사이에형성된활성층을구비하는적층체, 상기적층체상에형성되는투명윈도우부재및 상기 p-형 3족-질화물계반도체층및 n-형 3족-질화물계반도체층중 하나에전기적으로연결된패드부를포함하는발광다이오드를제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种发光二极管，其包括基板; 形成在所述基板上的反射金属层; 形成在反射金属层上的层压体，并且包括p型III族氮化物基半导体层，n型III族氮化物基半导体层和形成在p型基团III族氮化物基半导体层之间的有源层， 氮化物基半导体层和n型III族氮化物基半导体层; 形成在所述层叠体上的透明窗构件; 以及与p型III族氮化物系半导体层和n型III族氮化物类半导体层中的一者电连接的焊盘部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140103678A
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020130017384
申请日：2013-02-19
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L2224/24 , H01L2924/12041 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: The present invention discloses a light emitting diode which includes a substrate and a cell array comprising a plurality of unit cells, arranged and formed on the substrate. The cell array may have a cross section in the shape of a polygon having at least one internal angle smaller or larger than 90°. Moreover, the cell array comprising a plurality of unit cells has characteristics of high voltage light emitting diodes of which unit cells are connected in series. When the shape of the cell array has the internal angle smaller or larger than 90°, light emitting properties are enhanced; an area of the light emitting diode as the high voltage light emitting diode has an increased efficiency.
Abstract translation: 本发明公开了一种发光二极管，其包括基板和包括多个单元电池的单元阵列，其布置并形成在基板上。 电池阵列可以具有具有小于或大于90°的至少一个内角的多边形形状的横截面。 此外，包括多个单电池的电池阵列具有串联连接单位电池的高电压发光二极管的特性。 当电池阵列的形状具有小于或大于90°的内角时，发光性能增强; 作为高电压发光二极管的发光二极管的面积具有提高的效率。
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公开(公告)号：KR101402440B1
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：KR1020120134782
申请日：2012-11-26
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/10 , H01L33/12 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: Provided is a manufacturing method of a vertical light emitting diode which includes the steps of: forming a buffer layer on a growth substrate; forming a light-emitting structure including an active layer on the buffer layer; attaching a flexible support substrate on the light-emitting structure; and separating the light-emitting structure from the growth substrate by selectively removing the buffer layer using an etching solution.
Abstract translation: 提供了一种垂直发光二极管的制造方法，其包括以下步骤：在生长衬底上形成缓冲层; 在缓冲层上形成包括活性层的发光结构; 将柔性支撑基板附接到发光结构上; 并且通过使用蚀刻溶液选择性地除去缓冲层，将发光结构与生长衬底分离。
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公开(公告)号：KR101300805B1
公开(公告)日：2013-08-26
申请号：KR1020110054749
申请日：2011-06-07
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 발광 다이오드의 광추출 영역의 상부 접촉층에 발광파장보다 작은 두께를 가지고 점차적으로 굴절률을 달리한 멀티층 또는 발광파장보다 작은 주기의 무반사 구조층을 가져 내부반사를 줄이는 발광 다이오드 및 그 제조방법을 제공함에 있다.
이러한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명은, n형 또는 p형 Al
x Ga
y In
z N(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 하부 접촉층; 상기 하부 접촉층 상단에 형성되고 Al
x Ga
y In
z N(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 장벽층 및 Al
x Ga
y In
z N(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 우물층을 적어도 하나 이상 포함하는 단일 또는 다중양자 우물구조를 가지는 활성층; 및 상기 활성층 상단에 형성되고 p형 또는 n형 Al
x Ga
y In
z N(0 ≤ x, y, z ≤ 1)로 이루어진 상부 접촉층; 을 포함하고, 상기 상부 접촉층 또는 하부 접촉층의 바깥부에 발광파장보다 작은 두께를 가지고 점차적으로 굴절률을 달리한 멀티층 또는 발광파장보다 작은 주기의 무반사 구조층을 가지는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR101244583B1
公开(公告)日：2013-03-25
申请号：KR1020110045585
申请日：2011-05-16
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 톱니 형태의 에너지 밴드갭을 가지는 활성층을 구비한 발광 소자가 개시된다. 본 발명에 의한 발광 소자는 복수 개의 층을 포함하는 활성층을 구성하는 물질들 간의 조성비가 순차적으로 증감하는 값을 가지도록 연속적으로 변화시킴으로써 상기 활성층 영역이 톱니 형태의 에너지 밴드갭을 가지도록 설정할 수 있다. 이를 통하여 상기 활성층으로 유입되는 전자와 정공의 구속 효과를 극대화시켜 고휘도의 발광 소자를 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR101233328B1
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：KR1020110034252
申请日：2011-04-13
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/16
Abstract: 본 발명은 무극성 또는 반극성 III족 질화물 수직형 발광 다이오드에 관한 것이다. 구체적으로는 극성 질화물 성장에 의한 문제점을 완화하고 결함을 감소함으로써 내부양자효율을 개선할 수 있으며, 더 나아가 공정이 복잡하고 고비용인 레이저 리프트 오프 방식을 배제하고 습식 식각을 통해서 제조가능한 무극성 또는 반극성 III족 질화물 기반 수직형 발광 다이오드를 제공할 수 있는 장점을 갖는다.
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